איך לבחור MOS נכון? לאילו פרטים עלי לשים לב?

MOS על ידי רוב הנשאים המעורבים בהולכה, הידוע גם כטרנזיסטור מונופול. הוא שייך למכשיר המוליך למחצה מבוקר מתח, עם התנגדות כניסה גבוהה 10^7~10^12 ω), רעש נמוך, צריכת חשמל נמוכה, טווח דינמי גדול, אינטגרציה קלה, ללא התמוטטות משנית, אזור עבודה בטיחותי רחב ויתרונות אחרים, להפוך לטרנזיסטור דו קוטבי וטרנזיסטור כוח מתחרים חזקים.

??

1) ערוץ N או ערוץ P?

הצעד הראשון בבחירת התקן טרנזיסטור MOS טוב הוא להחליט האם להשתמש בטרנזיסטורי MOSFET בעלי ערוץ n או ערוץ P. ביישומי ספק כוח אופייניים, כאשר ה-MOSFET מחובר להארקה והעומס מחובר למתח האספקה, ה-MOSFET מהווה מתג צד מתח נמוך. במתגים צד מתח נמוך, יש להשתמש ב-MOSFET בעל ערוץ N בהתחשב במתח הנדרש לכיבוי או הדלקה של ההתקן. כאשר ה-MOSFET מחובר לאפיק והעומס מחובר להארקה, נעשה שימוש במתג צד מתח גבוה. טרנזיסטורי MOSFET בעלי ערוץ P משמשים בדרך כלל בטופולוגיה זו, שוב למטרת הנעת מתח.

2) קבע את הזרם המדורג של ה-MOSFET

הזרם הנקוב צריך להיות הזרם המרבי שהעומס יכול לעמוד בו בכל התנאים. בדומה למקרה המתח, גם אם המערכת מייצרת זרם שיא, ודא שהטרנזיסטור MOS שנבחר יכול לעמוד בזרם המדורג הזה. שני המקרים הנוכחיים שנחשבים הם מצב מתמשך ודופק. במצב הפעלה מתמשך, טרנזיסטור MOS נמצא במצב יציב והזרם ממשיך לזרום דרך המכשיר. דופק הוא כאשר יש גל (או ספייק) גדול של זרם זורם דרך המכשיר. לאחר שנקבע הזרם המקסימלי בתנאים אלה, פשוט בחר את המכשיר שיכול לעמוד בפני הזרם המרבי.

3) השלב הבא בבחירת MOSFET הוא דרישות פיזור החום של המערכת.

יש לשקול שני תרחישים שונים, המקרה הגרוע והנכון. החישוב הגרוע ביותר מומלץ מכיוון שהוא מספק מרווח בטיחות גדול יותר ומבטיח שהמערכת לא תיכשל.

4) השלב האחרון בבחירת MOSFET הוא קביעת ביצועי המיתוג של ה-MOSFET.

ישנם פרמטרים רבים המשפיעים על ביצועי המתג, אך החשובים ביותר הם קיבול שער/ניקוז, שער/מקור וקיבול ניקוז/מקור. קבלים אלה גורמים להפסדי מיתוג במכשיר מכיוון שיש לטעון אותם בכל פעם שהם נדלקים וכיבויים. לכן, מהירות המיתוג של ה-MOSFET יורדת, וגם יעילות המכשיר יורדת. על מנת לחשב את ההפסד הכולל של המכשיר במהלך המיתוג, יש לחשב את ההפסד במהלך המיתוג (Eon) ואת ההפסד במהלך המיתוג (Eoff).