MOS nasıl doğru seçilir? Hangi ayrıntılara dikkat etmeliyim?

İletime dahil olan taşıyıcıların çoğunluğu tarafından MOS, tek kutuplu transistör olarak da bilinir. Yüksek giriş direnci 10^7~10^12 ω), düşük gürültü, düşük güç tüketimi, geniş dinamik aralık, kolay entegrasyon, ikincil arıza yok, geniş güvenlik çalışma alanı ve diğer avantajlara sahip voltaj kontrollü yarı iletken cihaza aittir. bipolar transistör ve güç transistörü güçlü rakipler haline geldi.

??

1) N kanalı mı yoksa P kanalı mı?

İyi bir MOS transistör cihazı seçmenin ilk adımı, n-kanallı mı yoksa P-kanallı MOSFET'lerin mi kullanılacağına karar vermektir. Tipik güç kaynağı uygulamalarında, MOSFET topraklandığında ve yük besleme voltajına bağlandığında, MOSFET düşük voltajlı bir yan anahtar oluşturur. Alçak gerilim yan anahtarlarda, cihazın kapatılması veya açılması için gereken gerilim dikkate alınarak N-kanallı MOSFET kullanılmalıdır. MOSFET bus'a bağlandığında ve yük topraklandığında yüksek voltajlı bir yan anahtar kullanılır. P-kanalı MOSFET'ler genellikle bu topolojide yine voltaj sürücüsü amacıyla kullanılır.

2) MOSFET'in nominal akımını belirleyin

Nominal akım, yükün her koşulda dayanabileceği maksimum akım olmalıdır. Gerilim durumuna benzer şekilde, sistem tepe akımı üretse bile, seçilen MOS transistörün bu anma akımına dayanabileceğinden emin olun. Göz önünde bulundurulan iki mevcut durum, sürekli mod ve ani darbedir. Sürekli açık modda, MOS transistörü sabit durumdadır ve cihaz üzerinden akım akmaya devam eder. Nabız yükselmesi, cihazdan akan akımın büyük bir dalgalanması (veya yükselmesi) olduğunda ortaya çıkar. Bu koşullar altında maksimum akım belirlendikten sonra maksimum akıma dayanabilecek cihazı seçmeniz yeterlidir.

3) MOSFET seçiminde bir sonraki adım sistemin ısı yayılım gereksinimleridir.

En kötü durum ve gerçek olmak üzere iki farklı senaryo dikkate alınmalıdır. En kötü durum hesaplaması önerilir çünkü daha büyük bir güvenlik marjı sağlar ve sistemin arızalanmayacağını garanti eder.

4) MOSFET seçiminin son adımı MOSFET'in anahtarlama performansının belirlenmesidir.

Anahtar performansını etkileyen birçok parametre vardır ancak en önemlileri geçit/drenaj, geçit/kaynak ve drenaj/kaynak kapasitansıdır. Bu kapasitörler her açılıp kapandıklarında şarj edilmeleri gerektiğinden cihazda anahtarlama kayıplarına neden olurlar. Dolayısıyla MOSFET'in anahtarlama hızı düşer ve cihazın verimliliği de düşer. Anahtarlama sırasında cihazın toplam kaybının hesaplanması için anahtarlama sırasındaki kayıp (Eon) ve anahtarlama sırasındaki kayıp (Eoff) hesaplanmalıdır.