Jak prawidłowo wybrać MOS? Na jakie szczegóły powinienem zwrócić uwagę?

MOS przez większość nośników biorących udział w przewodzeniu, znany również jako tranzystor monopolowy. Należy do urządzeń półprzewodnikowych sterowanych napięciem, o wysokiej rezystancji wejściowej 10 ^ 7 ~ 10 ^ 12 ω), niskim poziomie hałasu, niskim zużyciu energii, dużym zakresie dynamiki, łatwej integracji, braku wtórnej awarii, szerokim obszarze bezpieczeństwa pracy i innych zaletach, ma stać się silnymi konkurentami tranzystora bipolarnego i tranzystora mocy.

??

1) Kanał N czy kanał P?

Pierwszym krokiem w wyborze dobrego tranzystora MOS jest decyzja, czy zastosować tranzystor MOSFET z kanałem n, czy z kanałem P. W typowych zastosowaniach zasilania, gdy MOSFET jest uziemiony, a obciążenie podłączone do napięcia zasilania, MOSFET stanowi przełącznik strony niskiego napięcia. W przełącznikach strony niskiego napięcia należy zastosować MOSFET z kanałem n, biorąc pod uwagę napięcie wymagane do wyłączenia lub włączenia urządzenia. Gdy MOSFET jest podłączony do magistrali, a obciążenie uziemione, stosuje się przełącznik strony wysokiego napięcia. W tej topologii zazwyczaj stosuje się tranzystory MOSFET z kanałem P, również w celu sterowania napięciem.

2) Określ znamionowy prąd MOSFET-u

Prąd znamionowy powinien być maksymalnym prądem, jaki obciążenie może wytrzymać w każdych warunkach. Podobnie jak w przypadku napięcia, nawet jeśli system generuje prąd szczytowy, należy upewnić się, że wybrany tranzystor MOS jest w stanie wytrzymać ten prąd znamionowy. Dwa obecnie rozważane przypadki to tryb ciągły i impuls impulsowy. W trybie ciągłego włączenia tranzystor MOS jest w stanie ustalonym, a prąd nadal przepływa przez urządzenie. Skok impulsu ma miejsce, gdy przez urządzenie przepływa duży wzrost (lub skok) prądu. Po określeniu maksymalnego prądu w tych warunkach wystarczy wybrać urządzenie, które wytrzyma maksymalny prąd.

3) Następnym krokiem przy wyborze MOSFET-u jest określenie wymagań układu dotyczących odprowadzania ciepła.

Należy rozważyć dwa różne scenariusze, najgorszy i prawdziwy. Zalecane jest obliczenie najgorszego przypadku, ponieważ zapewnia większy margines bezpieczeństwa i gwarantuje, że system nie ulegnie awarii.

4) Ostatnim krokiem wyboru MOSFET-u jest określenie wydajności przełączania MOSFET-u.

Istnieje wiele parametrów wpływających na wydajność przełącznika, ale najważniejsze z nich to pojemność bramka/dren, bramka/źródło oraz pojemność dren/źródło. Kondensatory te powodują straty przełączania w urządzeniu, ponieważ wymagają ładowania przy każdym włączaniu i wyłączaniu. W związku z tym spada szybkość przełączania tranzystora MOSFET, a tym samym sprawność urządzenia. Aby obliczyć całkowitą stratę przełączania, należy obliczyć stratę przełączania (Eon) i stratę przełączania (Eoff).