MOS를 올바르게 선택하는 방법은 무엇입니까? 어떤 세부 사항에 주의해야 합니까?

MOS는 전도에 관련된 대부분의 캐리어에 의해 이루어지며 모노폴 트랜지스터라고도 합니다. 이는 전압 제어 반도체 장치에 속하며 높은 입력 저항(10^7~10^12 Ω), 저소음, 저전력 소모, 넓은 동적 범위, 통합 용이, XNUMX차 고장 없음, 넓은 안전 작업 영역 및 기타 장점을 갖습니다. 바이폴라 트랜지스터와 파워 트랜지스터의 강력한 경쟁자가 되십시오.

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1) N 채널인가, P 채널인가?

좋은 MOS 트랜지스터 소자를 선택하는 첫 번째 단계는 n채널 MOSFET과 P채널 MOSFET 중 어떤 것을 사용할지 결정하는 것입니다. 일반적인 전원 공급 장치 애플리케이션에서 MOSFET이 접지되고 부하가 전원 전압에 연결되면 MOSFET은 저전압 측 스위치를 구성합니다. 저전압 측 스위치에서는 소자를 켜거나 끄는 데 필요한 전압을 고려하여 N채널 MOSFET을 사용해야 합니다. MOSFET이 버스에 연결되고 부하가 접지되면 고전압 측 스위치가 사용됩니다. 이 토폴로지에서는 일반적으로 P채널 MOSFET이 사용되며, 이는 전압 구동을 위한 것입니다.

2) MOSFET의 정격 전류를 결정하세요

정격 전류는 모든 조건에서 부하가 견딜 수 있는 최대 전류여야 합니다. 전압의 경우와 마찬가지로 시스템이 피크 전류를 생성하더라도 선택한 MOS 트랜지스터가 이 정격 전류를 견딜 수 있는지 확인하십시오. 현재 고려되는 두 가지 사례는 연속 모드와 펄스 스파이크입니다. 연속 온 모드에서 MOS 트랜지스터는 안정된 상태에 있으며 전류는 계속해서 장치를 통해 흐릅니다. 펄스 스파이크는 장치를 통해 흐르는 전류의 큰 서지(또는 스파이크)가 있는 경우입니다. 이러한 조건에서 최대 전류가 결정되면 최대 전류를 견딜 수 있는 장치를 선택하면 됩니다.

3) MOSFET 선택을 위한 다음 단계는 시스템의 방열 요구 사항입니다.

최악의 경우와 실제의 두 가지 시나리오를 고려해야 합니다. 최악의 경우 계산은 더 큰 안전 여유를 제공하고 시스템이 실패하지 않도록 보장하므로 권장됩니다.

4) MOSFET 선택의 마지막 단계는 MOSFET의 스위칭 성능을 결정하는 것입니다.

스위치 성능에 영향을 미치는 여러 매개변수가 있지만, 가장 중요한 것은 게이트/드레인, 게이트/소스, 그리고 드레인/소스 커패시턴스입니다. 이러한 커패시터는 스위치가 켜지고 꺼질 때마다 충전되어야 하므로 소자의 스위칭 손실을 유발합니다. 따라서 MOSFET의 스위칭 속도가 감소하고 소자의 효율 또한 감소합니다. 스위칭 중 소자의 총 손실을 계산하려면 스위칭 손실(Eon)과 스위칭 손실(Eoff)을 계산해야 합니다.