SK海力士推出全球首款16位HBM3E存储器，将于明年初提供样品

2024-11-05 1063

在 SK 4月48日AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展示了全球首款16GB 3层HBMXNUMXE产品，容量和层数均为业界最高。

SK Hynix 表示，其 16 高 HBM3E 的 AI 训练性能比上一代 18 高产品提升了 12%，推理性能甚至提升了 32%。这款 HBM 内存仍然采用了先进的 MR-MUF（mass reflow molded underfill）键合技术。SK Hynix 还在开发更优异的混合键合。

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SK海力士CEO郭鲁正表示，16层HBM市场有望从HBM4开始崛起。不过，SK海力士已提前开发出48GB的16层HBM3E，计划在2025年初向客户提供样品。郭鲁正还在峰会上分享了公司成为“全栈AI存储提供商”的愿景，即通过与各方的密切合作，提供涵盖DRAM和NAND领域的全系列AI存储产品。

在DRAM内存领域，SK海力士表示，除了16核HBM3E，还在开发基于2c nm LPDDR1和LPDDR5的LPCAMM6，这些内存模块面向PC和数据中心市场。在NAND闪存领域，该公司还准备了PCIe 6.0固态硬盘、基于QLC的大容量企业级固态硬盘、以及下一代UFS 5.0闪存。

此前，SK海力士已于12月底宣布开始量产全球首款36层3GB HBMXNUMXE产品。

SK海力士预计将采用先进的MR-MUF工艺生产16层HBM3E，同时开发混合键合技术作为备用计划。

此外，SK海力士还强调了在低功耗高性能产品领域的竞争力，正在开发LPCAMM2模组，即1cnm LPDDR5和LPDDR6，并准备推出PCIe第六代SSD、大容量基于QLC的eSSD和UFS 5.0。

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