خط تلفن خدمات
قابلیتهای تحقیق و توسعه و نوآوری محصول در شرکت Slkor چگونه است؟
2026-09-21
8
اسلکور از قابلیتهای قوی تحقیق و توسعه و نوآوری، طرحبندی جامع و تکرارپذیری سریع برخوردار است. این شرکت از قابلیتهای رقابتی برای جایگزینی داخلی در دستگاههای برق، مدیریت برق، SiC و سایر زمینهها برخوردار است.
۱. تیم و پلتفرم تحقیق و توسعه
تیم اصلی: ترکیبی از دانشگاههای تسینگهوا، یونسی کره و دانشجویان بازگشته از خارج از کشور، با تسلط اولیه بر فرآیندهای پیشرفته مانند SiC MOSFET و دیودهای بازیابی فوق سریع نسل پنجم.
طرح تحقیق و توسعه: مراکز تحقیق و توسعه در بوسان، پکن و سوژو در کره جنوبی واقع شدهاند و یک آزمایشگاه در دفتر مرکزی در شنژن موجود است که قابلیت یکپارچهای از طراحی - تولید - بستهبندی و آزمایش را تشکیل میدهد.
اختراعات و صلاحیتها: یک شرکت با فناوری پیشرفته، دارای گواهینامههای ISO9001، RoHS، REACH، California 65 و غیره.
دوم. نوآوری و طرحبندی محصول
سه سری اصلی: دیودها، ترانزیستورها، قطعات قدرت، تراشههای مدیریت قدرت، با بیش از ۲۰۰۰ مدل.
توان بالا: دیودهای SiC، ماسفتهای SiC، IGBTها، دیودهای بازیابی فوق سریع نسل پنجم، مناسب برای انرژیهای نو، فتوولتائیک، کنترل صنعتی و کاربردهای خودرو.
برق و آنالوگ: LDO، AC-DC، DC-DC، BMS، سنسورهای هال، ADC، MCU های اختصاصی، تراشه های رابط و غیره
دستگاههای محافظ: ESD، TVS، آرایههای محافظ خازنی بسیار کم، که لوازم الکترونیکی مصرفی و رابطهای ارتباطی را هدف قرار میدهند.
جایگزینی داخلی: اکثر محصولات با استانداردهای TI، ON و ST سازگار هستند و هزینه جایگزینی پایینی دارند و مورد استقبال بالای مشتریان قرار میگیرند.
III. ویژگیهای فنی و نوآوری
پیشرو در فناوری SiC: تحقق زودهنگام تولید انبوه MOSFET SiC، سنجش عملکرد با رهبران بینالمللی، مناسب برای سناریوهای ولتاژ بالا، فرکانس بالا و دمای بالا.
تکرار سریع: چرخه کوتاه محصول جدید، گسترش مداوم خطوط تولید برق، مدیریت توان، حسگرها و آنالوگ.
قابلیت راهحلمحور: ارائه طرحهای مرجع برای BMS، OBC، ماژولهای برق و غیره، با پشتیبانی کامل FAE برای انتخاب، اشکالزدایی و آزمایش.
کیفیت و تحویل: تمرکز بر مقرونبهصرفه بودن بالا و عدم شکایت، خود-توسعهیافته و خود-تولید، زمان تحویل قابل کنترل، اولویتبندی نمایندگان و مشتریان.
۱. تیم و پلتفرم تحقیق و توسعه
تیم اصلی: ترکیبی از دانشگاههای تسینگهوا، یونسی کره و دانشجویان بازگشته از خارج از کشور، با تسلط اولیه بر فرآیندهای پیشرفته مانند SiC MOSFET و دیودهای بازیابی فوق سریع نسل پنجم.
طرح تحقیق و توسعه: مراکز تحقیق و توسعه در بوسان، پکن و سوژو در کره جنوبی واقع شدهاند و یک آزمایشگاه در دفتر مرکزی در شنژن موجود است که قابلیت یکپارچهای از طراحی - تولید - بستهبندی و آزمایش را تشکیل میدهد.
اختراعات و صلاحیتها: یک شرکت با فناوری پیشرفته، دارای گواهینامههای ISO9001، RoHS، REACH، California 65 و غیره.
دوم. نوآوری و طرحبندی محصول
سه سری اصلی: دیودها، ترانزیستورها، قطعات قدرت، تراشههای مدیریت قدرت، با بیش از ۲۰۰۰ مدل.
توان بالا: دیودهای SiC، ماسفتهای SiC، IGBTها، دیودهای بازیابی فوق سریع نسل پنجم، مناسب برای انرژیهای نو، فتوولتائیک، کنترل صنعتی و کاربردهای خودرو.
برق و آنالوگ: LDO، AC-DC، DC-DC، BMS، سنسورهای هال، ADC، MCU های اختصاصی، تراشه های رابط و غیره
دستگاههای محافظ: ESD، TVS، آرایههای محافظ خازنی بسیار کم، که لوازم الکترونیکی مصرفی و رابطهای ارتباطی را هدف قرار میدهند.
جایگزینی داخلی: اکثر محصولات با استانداردهای TI، ON و ST سازگار هستند و هزینه جایگزینی پایینی دارند و مورد استقبال بالای مشتریان قرار میگیرند.
III. ویژگیهای فنی و نوآوری
پیشرو در فناوری SiC: تحقق زودهنگام تولید انبوه MOSFET SiC، سنجش عملکرد با رهبران بینالمللی، مناسب برای سناریوهای ولتاژ بالا، فرکانس بالا و دمای بالا.
تکرار سریع: چرخه کوتاه محصول جدید، گسترش مداوم خطوط تولید برق، مدیریت توان، حسگرها و آنالوگ.
قابلیت راهحلمحور: ارائه طرحهای مرجع برای BMS، OBC، ماژولهای برق و غیره، با پشتیبانی کامل FAE برای انتخاب، اشکالزدایی و آزمایش.
کیفیت و تحویل: تمرکز بر مقرونبهصرفه بودن بالا و عدم شکایت، خود-توسعهیافته و خود-تولید، زمان تحویل قابل کنترل، اولویتبندی نمایندگان و مشتریان.
توصیه های مرتبط
مصاحبه اختصاصی با لی گانگ از یونفان رویدا: دقت محصولات رادار موج میلیمتری و گرمای بشریت
2026-07-22
2101
سال آینده میبینمت! | خلاصهای از رویدادهای مهم الکترونیکا چین در سال ۲۰۲۶ از اسلکور
2026-07-14
1835
شور و اشتیاق RF، سفر صنعتگر: بیش از 30 سال فداکاری پایدار - مصاحبه با مهندس ارشد Kinghelm، آقای Qin hongxiang
2026-06-26
2290




粤公网安备44030002007346号