Компания Slkor обладает мощными научно-исследовательскими и инновационными возможностями, комплексной структурой и способностью к быстрому внедрению инноваций. Она имеет конкурентоспособные возможности для замещения отечественных аналогов в области силовых приборов, управления питанием, SiC и других областях.
I. Команда исследований и разработок и платформа
Основной состав команды: сочетание специалистов из Университета Цинхуа, Корейского университета Ёнсе и вернувшихся из-за рубежа, обладающих ранним опытом работы с передовыми технологиями, такими как SiC MOSFET и диоды сверхбыстрого восстановления пятого поколения.
Структура НИОКР: Центры НИОКР расположены в Пусане, Пекине и Сучжоу (Южная Корея), а в головном офисе в Шэньчжэне имеется лаборатория, что формирует интегрированный комплекс возможностей в области проектирования, производства, упаковки и тестирования.
Патенты и квалификация: Высокотехнологичное предприятие, прошедшее сертификацию по стандартам ISO9001, RoHS, REACH, California 65 и др.
II. Инновации в продукте и компоновка
Три основные серии: диоды, транзисторы, силовые приборы, микросхемы управления питанием, насчитывающие более 2,000 моделей.
Высокопроизводительные силовые транзисторы: SiC-диоды, SiC MOSFET-транзисторы, IGBT-транзисторы, диоды пятого поколения со сверхбыстрым восстановлением, подходящие для новых источников энергии, фотовольтаики, промышленного управления и автомобильной промышленности.
Силовые и аналоговые преобразователи: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, датчики Холла, АЦП, специализированные микроконтроллеры, интерфейсные микросхемы и т. д.
Защитные устройства: защита от электростатического разряда (ESD), защита от перенапряжения (TVS), сверхнизкоемкостные защитные матрицы, предназначенные для бытовой электроники и коммуникационных интерфейсов.
Замена на внутреннем рынке: Большинство продуктов совместимы по PIN-коду с продукцией TI, ON, ST, что обеспечивает низкую стоимость замены и высокую степень удовлетворенности клиентов.
III. Технические и инновационные характеристики
Технология SiC: ранняя реализация массового производства SiC MOSFET, сравнение характеристик с международными лидерами, пригодность для работы в условиях высокого напряжения, высокой частоты и высоких температур.
Быстрая итерация: короткий цикл разработки новых продуктов, непрерывное расширение линеек продуктов в области электропитания, управления питанием, датчиков и аналоговых устройств.
Ориентированность на решение задач: предоставление типовых проектов для BMS, OBC, силовых модулей и т. д., с полной поддержкой со стороны инженера-проектировщика на этапах выбора, отладки и тестирования.
Качество и сроки поставки: Ориентация на высокую экономическую эффективность и отсутствие нареканий, собственная разработка и производство, контролируемые сроки поставки, приоритетное отношение к агентам и клиентам.