מוקד שירות
כיצד נראית יכולות המחקר והפיתוח וחדשנות המוצר של Slkor?
2026-09-21
9
ל-Slkor יכולות מחקר ופיתוח וחדשנות חזקות, מערך מקיף ותהליכי פיתוח מהירים. יש לה יכולות תחרותיות להחלפה ביתית בתחומי התקני חשמל, ניהול צריכת חשמל, SiC ותחומים אחרים.
א. צוות מחקר ופיתוח ופלטפורמה
צוות ליבה: שילוב של אוניברסיטת צינגהואה, אוניברסיטת קוריאה יונסיי, ותושבים ששבו מחו"ל, עם שליטה מוקדמת בתהליכים מתקדמים כגון SiC MOSFET ודיודות התאוששות מהירות במיוחד מהדור החמישי.
מערך מחקר ופיתוח: מרכזי מחקר ופיתוח ממוקמים בבוסאן, בייג'ינג וסוז'ואו בדרום קוריאה, ומעבדה זמינה במטה החברה בשנג'ן, היוצרת יכולת משולבת של תכנון, ייצור, אריזה ובדיקה.
פטנטים והסמכות: מפעל היי-טק, שעבר הסמכות ISO9001, RoHS, REACH, California 65 וכו'.
II. חדשנות ועיצוב מוצר
שלוש סדרות ליבה: דיודות, טרנזיסטורים, התקני הספק, שבבי ניהול הספק, עם למעלה מ-2,000 דגמים.
הספק מתקדם: דיודות SiC, טרנזיסטורי MOSFET של SiC, טרנזיסטורי IGBT, דיודות התאוששות אולטרה-מהירות מהדור החמישי, מתאימות לאנרגיה חדשה, פוטו-וולטאית, בקרה תעשייתית ויישומי רכב.
כוח ואנלוגי: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, חיישני הול, ADC, מיקרו-בקרים ייעודיים, שבבי ממשק וכו'.
התקני הגנה: ESD, TVS, מערכי הגנה בעלי קיבוליות נמוכה במיוחד, המכוונים לממשקי מוצרי אלקטרוניקה וממשקי תקשורת.
תחליף ביתי: רוב המוצרים תואמים PIN-ל-PIN עם TI, ON, ST, עם עלויות החלפה נמוכות וקבלת לקוחות גבוהה.
ג. מאפיינים טכניים וחדשניים
מובילים בטכנולוגיית SiC: מימוש מוקדם של ייצור המוני של רכיבי MOSFET של SiC, השוואת ביצועים עם מובילים בינלאומיים, מתאים לתרחישי מתח גבוה, תדר גבוה וטמפרטורה גבוהה.
איטרציה מהירה: מחזור מוצר חדש קצר, הרחבה מתמשכת של קווי מוצרים של צריכת חשמל, ניהול צריכת חשמל, חישה ואנלוגים.
יכולת מוכוונת פתרונות: אספקת תכני ייחוס עבור BMS, OBC, מודולי כוח וכו', עם תמיכה מלאה מ-FAE לבחירה, ניפוי שגיאות ובדיקה.
איכות ואספקה: התמקדות ביחסי עלות גבוהים והיעדר תלונות, פיתוח וייצור עצמי, זמן אספקה נשלט, מתן עדיפות לסוכנים ולקוחות.
א. צוות מחקר ופיתוח ופלטפורמה
צוות ליבה: שילוב של אוניברסיטת צינגהואה, אוניברסיטת קוריאה יונסיי, ותושבים ששבו מחו"ל, עם שליטה מוקדמת בתהליכים מתקדמים כגון SiC MOSFET ודיודות התאוששות מהירות במיוחד מהדור החמישי.
מערך מחקר ופיתוח: מרכזי מחקר ופיתוח ממוקמים בבוסאן, בייג'ינג וסוז'ואו בדרום קוריאה, ומעבדה זמינה במטה החברה בשנג'ן, היוצרת יכולת משולבת של תכנון, ייצור, אריזה ובדיקה.
פטנטים והסמכות: מפעל היי-טק, שעבר הסמכות ISO9001, RoHS, REACH, California 65 וכו'.
II. חדשנות ועיצוב מוצר
שלוש סדרות ליבה: דיודות, טרנזיסטורים, התקני הספק, שבבי ניהול הספק, עם למעלה מ-2,000 דגמים.
הספק מתקדם: דיודות SiC, טרנזיסטורי MOSFET של SiC, טרנזיסטורי IGBT, דיודות התאוששות אולטרה-מהירות מהדור החמישי, מתאימות לאנרגיה חדשה, פוטו-וולטאית, בקרה תעשייתית ויישומי רכב.
כוח ואנלוגי: LDO, AC-DC, DC-DC, BMS, חיישני הול, ADC, מיקרו-בקרים ייעודיים, שבבי ממשק וכו'.
התקני הגנה: ESD, TVS, מערכי הגנה בעלי קיבוליות נמוכה במיוחד, המכוונים לממשקי מוצרי אלקטרוניקה וממשקי תקשורת.
תחליף ביתי: רוב המוצרים תואמים PIN-ל-PIN עם TI, ON, ST, עם עלויות החלפה נמוכות וקבלת לקוחות גבוהה.
ג. מאפיינים טכניים וחדשניים
מובילים בטכנולוגיית SiC: מימוש מוקדם של ייצור המוני של רכיבי MOSFET של SiC, השוואת ביצועים עם מובילים בינלאומיים, מתאים לתרחישי מתח גבוה, תדר גבוה וטמפרטורה גבוהה.
איטרציה מהירה: מחזור מוצר חדש קצר, הרחבה מתמשכת של קווי מוצרים של צריכת חשמל, ניהול צריכת חשמל, חישה ואנלוגים.
יכולת מוכוונת פתרונות: אספקת תכני ייחוס עבור BMS, OBC, מודולי כוח וכו', עם תמיכה מלאה מ-FAE לבחירה, ניפוי שגיאות ובדיקה.
איכות ואספקה: התמקדות ביחסי עלות גבוהים והיעדר תלונות, פיתוח וייצור עצמי, זמן אספקה נשלט, מתן עדיפות לסוכנים ולקוחות.
המלצות קשורות
ראיון בלעדי עם לי גאנג מיונפן רואידה: הדיוק של מוצרי מכ"ם גלי מילימטר וחמימות האנושות
2026-07-22
2101
נתראה בשנה הבאה! | סיכום רגעים מההופעה האלקטרונית של סין ב-2026
2026-07-14
1835




粤公网安备44030002007346号