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Diode de commutation à montage en surface RS1M SMA
La RS1M est une diode redresseuse à commutation rapide montée en surface, logée dans un boîtier SMA à profil bas, adoptant une conception de jonction passivée en verre avec un temps de récupération inverse rapide pour les applications de redressement à haut rendement.
Description
La RS1M est une diode redresseuse à commutation rapide montée en surface, logée dans un boîtier SMA à profil bas, adoptant une conception de jonction passivée en verre avec un temps de récupération inverse rapide pour les applications de redressement à haut rendement.
Fonctionnalité
● Courant redressé direct moyen jusqu'à 1.0 A
● Tension inverse de crête répétitive : 1000 V
● Temps de récupération inverse typique : 500 ns
● Jonction verre passivé
● Boîtier SMA à profil bas pour montage en surface
● L'emballage en plastique est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94V-0
● Soudage à haute température : 250 °C / 10 secondes
● Plage de température de jonction de fonctionnement : -55℃ ~ 150℃
● Conforme RoHS
Applications
● Redressement par alimentation à découpage
● Circuits de conversion de puissance à haute fréquence
● Diodes de roue libre et de retour de courant
● Adaptateurs secteur grand public
● Modules de puissance industriels
● Circuits de charge de batterie
La RS1M est une diode redresseuse à commutation rapide montée en surface, logée dans un boîtier SMA à profil bas, adoptant une conception de jonction passivée en verre avec un temps de récupération inverse rapide pour les applications de redressement à haut rendement.
Fonctionnalité
● Courant redressé direct moyen jusqu'à 1.0 A
● Tension inverse de crête répétitive : 1000 V
● Temps de récupération inverse typique : 500 ns
● Jonction verre passivé
● Boîtier SMA à profil bas pour montage en surface
● L'emballage en plastique est conforme à la norme d'inflammabilité UL 94V-0
● Soudage à haute température : 250 °C / 10 secondes
● Plage de température de jonction de fonctionnement : -55℃ ~ 150℃
● Conforme RoHS
Applications
● Redressement par alimentation à découpage
● Circuits de conversion de puissance à haute fréquence
● Diodes de roue libre et de retour de courant
● Adaptateurs secteur grand public
● Modules de puissance industriels
● Circuits de charge de batterie
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Diode de commutation haute vitesse BAV99 SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 125mA VF(V)： 1V IR(uA)： 30nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de commutation à montage en surface 1N4148WS SOD-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 75V IO(A)： 150mA VF(V)： 1V IR(uA)： 1μA trr(ns)： 4ns Package： SOD-323
Diode de commutation à montage en surface BAS21H SOD-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-323
Diode de commutation à montage en surface BAS316 SOT-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 150mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 25μA@20V trr(ns)： 4ns Package： SOT-323
Diode de commutation à montage en surface BAV19W SOD-123
Marque: slkor， VRRM(V)： 120V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diode de commutation à montage en surface BAV21W SOD-123
Marque: slkor， VRRM(V)： 250V IO(A)： 200mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 0.1μA trr(ns)： 50ns Package： SOD-123
Diode de commutation à montage en surface BAV70 SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 25nA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de commutation à montage en surface MMBD4148, boîtier SOT-23
Marque: slkor， VRRM(V)： 100V IO(A)： 200mA VF(V)： 1V IR(uA)： 5μA trr(ns)： 4ns Package： SOT-23
Diode de petit signal 1N4148WT SOD-523
Marque: slkor， VRRM(V)： 80V IO(A)： 100mA VF(V)： 1.25V IR(uA)： 100nA trr(ns)： 4ns Package： SOD-523
Diode de petit signal BAT54CW SOT-323
Marque: slkor， VRRM(V)： 30V IO(A)： 100μA VF(V)： 0.24V IR(uA)： 2μA trr(ns)： 5ns Package： SOT-323
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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