ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

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Fiche technique 3D modèle

Transistor RF BFG540/X SOT-143B BVCEO(V)：15V IC(mA)：120mA fT(GHz)：9GHz NF(dB)：1.9dB PL1：21dBm Package：SOT-143B

Fiche technique 3D modèle

Transistor RF BFR520 SOT-23 BVCEO(V)：12V IC(mA)：70mA fT(GHz)：9GHz NF(dB)：1.6dB PL1：26dBm Package：SOT-23

Fiche technique 3D modèle

Transistor bipolaire NPN BFG425W-TOB SOT-343R Vceo: 4.5 V Ic:100nA PD : 135 mW VCE:- ft: 25 GHz Température de fonctionnement : 150 ℃@(Tj)

Fiche technique 3D modèle

Transistor bipolaire NPN BFR380F SOT-323 BVCEO(V)：6V

Fiche technique 3D modèle

Transistor épitaxial en silicium BFG520/XR SOT-143R BVCEO(V)：null IC(mA)：70mA fT(GHz)：9GHz NF(dB)：null PL1：null Package：SOT-143R

Transistor RF BFG540/X SOT-143B BFG540/X	15V	120mA	9GHz	1.9dB	21dBm	SOT-143B
Transistor RF BFR520 SOT-23 BFR520	12V	70mA	9GHz	1.6dB	26dBm	SOT-23
Transistor bipolaire NPN BFG425W-TOB SOT-343R BFG425W-TOB
Transistor bipolaire NPN BFR380F SOT-323 BFR380F	6V
Transistor épitaxial en silicium BFG520/XR SOT-143R BFG520/XR	null	70mA	9GHz	null	null	SOT-143R

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tel: +86 755 83044319

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