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Diode à récupération rapide
La structure interne de la diode à récupération rapide diffère de celle de la diode à jonction PN ordinaire ; elle appartient à la diode à jonction PIN, c'est-à-dire que la région de base I est ajoutée au milieu du matériau silicium de type P et du matériau silicium de type N pour former une plaquette de silicium PIN. En raison de la très faible épaisseur de la région de base, la charge de récupération inverse est très réduite, ce qui rend le temps de récupération inverse de la diode à récupération rapide plus court, la chute de tension directe plus faible, et la tension de claquage inverse (valeur de tenue en tension) plus élevée.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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