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Diode Schottky SiC
采用高频肖特基势垒二极管结构，SiC SBD可实现600V以上的高压，而硅基SBD的最大耐压仅为200V左右，且其导通压降远低于硅快恢复二极管。其关断恢复时间更短，因此关断损耗更低，从而降低电磁干扰EMI。使用SiC SBD替代主流产品硅快恢复二极管FRD，可显著降低总损耗，提高电源效率，并通过高频运行实现电感、电容等无源器件的小型化，同时电磁干扰EMI更低。碳化硅SBD可广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的逆变器、电动汽车电机驱动系统及快速充电桩。
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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