Diodes Schottky SiC | Slkor Semi-conducteurs

Accueil Catégories de Produits Dispositifs d'alimentation discrets Appareils SiC Diode Schottky SiC

Diode Schottky SiC Grâce à la structure de diode barrière Schottky haute fréquence, le SiC SBD atteint une haute tension de plus de 600 V, tandis que la tension de tenue maximale du silicium SBD n'est que d'environ 200 V, et sa chute de tension à l'état passant est bien inférieure à celle de la diode à récupération rapide en silicium. son temps de récupération à l'arrêt est plus petit, donc la perte à l'arrêt est plus faible, ce qui entraîne une diminution des interférences électromagnétiques EMI. L'utilisation du SiC SBD pour remplacer la diode à récupération rapide de silicium FRD, produit courant, peut réduire considérablement la perte totale, améliorer l'efficacité de l'alimentation électrique et, grâce au fonctionnement à haute fréquence, réaliser la miniaturisation des composants passifs tels que les inductances et les condensateurs. , et les interférences électromagnétiques EMI sont plus faibles. Le carbure de silicium SBD peut être largement utilisé dans les climatiseurs, les alimentations électriques, les onduleurs dans les systèmes de production d'énergie photovoltaïque, les systèmes de traction motorisée pour véhicules électriques et les chargeurs rapides.

Produits Documentation Centres de données

Fiche technique 3D modèle

Diodes Schottky SiC SL12010B TO-220-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：10.5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：153W Package：TO-220-2

Fiche technique 3D modèle

Diodes Schottky de puissance SiC SL12030B TO-247-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：30A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：288W Package：TO-247-2

Fiche technique 3D modèle

Diodes barrière Schottky SiC SL12005B TO-220-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：5A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：110W Package：TO-220-2

Fiche technique 3D modèle

Redresseur à diode Schottky SiC SL12040B TO-247-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：40A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：385W Package：TO-247-2

Fiche technique 3D modèle

Redresseurs Schottky SiC SL12020B TO-247-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：22A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：272W Package：TO-247-2

Fiche technique 3D modèle

SL12015B Redresseurs à barrière SiC Schottky TO-247-2 VRRM（V）：1200V IF（A）：15A VF Typ（V）：1.8V PD@TC=25℃（W）：220W Package：TO-247-2

Diodes Schottky SiC SL12010B TO-220-2	1200V	10.5A	1.8V	153W	TO-220-2
Diodes Schottky de puissance SiC SL12030B TO-247-2	1200V	30A	1.8V	288W	TO-247-2
Diodes barrière Schottky SiC SL12005B TO-220-2	1200V	5A	1.8V	110W	TO-220-2
Redresseur à diode Schottky SiC SL12040B TO-247-2	1200V	40A	1.8V	385W	TO-247-2
Redresseurs Schottky SiC SL12020B TO-247-2	1200V	22A	1.8V	272W	TO-247-2
SL12015B Redresseurs à barrière SiC Schottky TO-247-2	1200V	15A	1.8V	220W	TO-247-2

Hotline

tel: +86 755 83044319

Whatsapp:+8618073002950

ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.

SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.

Courriel : slkoric@slkormicro.com

Whatsapp:+8618073002950

Tel. : +86 755 83044319

Building T2, Lijincheng Industrial Center, Jihua Road, Longhua District,Shenzhen,518109,China

Contact

粤ICP备20017602号