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Dispositifs SiC
Le carbure de silicium SiC est un matériau semi-conducteur composé composé de silicium Si et de carbone C, généralement de type cristallin 4H-SiC. Sa rigidité diélectrique de claquage est 10 fois supérieure à celle du Si, sa largeur de bande interdite est 3 fois supérieure à celle du Si, sa conductivité thermique est 3 fois supérieure à celle du Si, et sa vitesse de dérive de saturation est 2 fois supérieure à celle du Si. C'est un matériau pour dispositifs électroniques de puissance nettement supérieur au Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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