מוקד שירות
● טכנולוגיית MOSFET LV של Trench Power
● עיצוב תאים בצפיפות גבוהה עבור RDS(ON) נמוך
● מיתוג במהירות גבוהה
תיאור
ה-MOSFET FDV305N N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 מתוכנן לספק מיתוג אמין ויעיל במארז קומפקטי. עם מתח ניקוז-למקור מרבי (Vds) של 20V וזרם ניקוז רציף (Id) של 0.9A, MOSFET זה מתוכנן להתמודד עם דרישות הספק מתונות בדיוק רב. התנגדות ההפעלה הנמוכה שלו ומתח סף השער הנמוך שלו הופכים אותו לבחירה אידיאלית עבור יישומים אלקטרוניים שונים.
תכונות
● טכנולוגיית MOSFET LV של Trench Power
● עיצוב תאים בצפיפות גבוהה עבור RDS (ON) נמוך
● מיתוג במהירות גבוהה
בקשה
● הגנה על הסוללה
● מתג עומס
● ניהול צריכת חשמל
תמיכה
אם אתם זקוקים לתמיכה טכנית/עיצובית, אנא הודיעו לנו ומלאו את טופס התגובה. נחזור אליכם בהקדם האפשרי.
אריכות ימים
תוכנית אריכות הימים נועדה לספק ללקוחותינו מידע מעת לעת לגבי הזמן הצפוי בו ניתן יהיה להזמין את המוצרים שלנו. תוכנית אריכות הימים נבדקת ומתעדכנת באופן קבוע על ידי צוות ההנהלה הבכיר שלנו. צפו בתוכנית אריכות הימים שלנו כאן.















