Hotline
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)
● Commutation haute vitesse
Description
Le MOSFET à enrichissement canal N FDV305N en boîtier SOT-23 est conçu pour offrir une commutation fiable et efficace dans un format compact. Avec une tension drain-source maximale (Vds) de 20 V et un courant de drain continu (Id) de 0.9 A, ce MOSFET est conçu pour répondre avec précision aux besoins de puissance modérés. Sa faible résistance à l'état passant et sa faible tension de seuil de grille en font un choix idéal pour diverses applications électroniques.
Fonctionnalité
● Technologie MOSFET LV Trench Power
● Conception de cellule haute densité pour une faible résistance DS(ON)
● Commutation à haute vitesse
Application
● Protection de la batterie
● Interrupteur de charge
● Gestion de l'alimentation
Assistance
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















