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MOSFET SOT-305 d'amélioration du canal N FDV23N

● Technologie MOSFET BT Trench Power

● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)

● Commutation haute vitesse

Description
Le MOSFET à enrichissement canal N FDV305N en boîtier SOT-23 est conçu pour offrir une commutation fiable et efficace dans un format compact. Avec une tension drain-source maximale (Vds) de 20 V et un courant de drain continu (Id) de 0.9 A, ce MOSFET est conçu pour répondre avec précision aux besoins de puissance modérés. Sa faible résistance à l'état passant et sa faible tension de seuil de grille en font un choix idéal pour diverses applications électroniques.

Fonctionnalité

Technologie MOSFET LV Trench Power

Conception de cellule haute densité pour une faible résistance DS(ON)

Commutation à haute vitesse


Application

Protection de la batterie

Interrupteur de charge

● Gestion de l'alimentation


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