hotline
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)
● Hogesnelheidsschakeling
Beschrijving
De FDV305N N-kanaal Enhancement MOSFET SOT-23 is ontworpen voor betrouwbare en efficiënte schakeling in een compacte behuizing. Met een maximale drain-to-source spanning (Vds) van 20 V en een continue drainstroom (Id) van 0.9 A is deze MOSFET ontworpen om gematigde vermogensvereisten nauwkeurig aan te kunnen. De lage inschakelweerstand en lage gate-drempelspanning maken hem een ideale keuze voor diverse elektronische toepassingen.
Kenmerken
● Trench Power LV MOSFET-technologie
● Ontwerp met hoge celdichtheid voor lage R DS(ON)
● Snel schakelen
Toepassing
● Batterijbescherming
● Belastingschakelaar
● Energiebeheer
Support
Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.
Duurzaamheid
Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons levensduurprogramma hier.















