Producten
Producten
FDV305N N-kanaalverbetering MOSFET SOT-23

● Trench Power LV MOSFET-technologie

● Celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS(AAN)

● Hogesnelheidsschakeling

Beschrijving
De FDV305N N-kanaal Enhancement MOSFET SOT-23 is ontworpen voor betrouwbare en efficiënte schakeling in een compacte behuizing. Met een maximale drain-to-source spanning (Vds) van 20 V en een continue drainstroom (Id) van 0.9 A is deze MOSFET ontworpen om gematigde vermogensvereisten nauwkeurig aan te kunnen. De lage inschakelweerstand en lage gate-drempelspanning maken hem een ​​ideale keuze voor diverse elektronische toepassingen.

Kenmerken

Trench Power LV MOSFET-technologie

Ontwerp met hoge celdichtheid voor lage R DS(ON)

Snel schakelen


Toepassing

Batterijbescherming

Belastingschakelaar

● Energiebeheer


Naam
Onderwerp
Beschrijving
Data papier
Support

Support

 

Als u ontwerp- of technische ondersteuning nodig heeft, laat het ons dan weten en vul het reactieformulier in. We nemen zo snel mogelijk contact met u op.

Duurzaamheid

 

Het Levensduurprogramma is bedoeld om onze klanten periodiek te informeren over de verwachte levertijd van onze producten. Het programma wordt regelmatig herzien en bijgewerkt door ons managementteam. Bekijk ons ​​levensduurprogramma hier.

whatsapp

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950