Produkty
Produkty
FDV305N Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23

● Technologia MOSFET LV Trench Power

● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego poziomu RDS (WŁ.)

● Szybkie przełączanie

OPIS
Tranzystor MOSFET FDV305N z kanałem N, w obudowie SOT-23, został zaprojektowany z myślą o niezawodnym i wydajnym przełączaniu w kompaktowej obudowie. Dzięki maksymalnemu napięciu dren-źródło (Vds) wynoszącemu 20 V i ciągłemu prądowi drenu (Id) wynoszącemu 0.9 A, ten tranzystor MOSFET został zaprojektowany z myślą o precyzyjnym zaspokajaniu umiarkowanych potrzeb energetycznych. Niska rezystancja w stanie przewodzenia i niskie napięcie progowe bramki sprawiają, że jest to idealny wybór do różnych zastosowań elektronicznych.

Udogodnienia

Technologia MOSFET LV Trench Power

Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego R DS(ON)

Przełączanie z dużą prędkością


Zastosowanie

Ochrona baterii

Przełącznik obciążenia

● Zarządzanie energią


Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie

Wsparcie

 

Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

Długowieczność

 

Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.

whatsapp

Hotline usługi

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950