Hotline usługi
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego poziomu RDS (WŁ.)
● Szybkie przełączanie
OPIS
Tranzystor MOSFET FDV305N z kanałem N, w obudowie SOT-23, został zaprojektowany z myślą o niezawodnym i wydajnym przełączaniu w kompaktowej obudowie. Dzięki maksymalnemu napięciu dren-źródło (Vds) wynoszącemu 20 V i ciągłemu prądowi drenu (Id) wynoszącemu 0.9 A, ten tranzystor MOSFET został zaprojektowany z myślą o precyzyjnym zaspokajaniu umiarkowanych potrzeb energetycznych. Niska rezystancja w stanie przewodzenia i niskie napięcie progowe bramki sprawiają, że jest to idealny wybór do różnych zastosowań elektronicznych.
Udogodnienia
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego R DS(ON)
● Przełączanie z dużą prędkością
Zastosowanie
● Ochrona baterii
● Przełącznik obciążenia
● Zarządzanie energią
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.















