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GBLC05CI Dispositivi di protezione ESD SOD-323
La serie GBLC03CI comprende array di soppressori di tensioni transitorie a capacità ultra bassa, progettati per proteggere applicazioni quali dispositivi elettronici portatili e smartphone. Questa serie è disponibile sia in configurazioni unidirezionali che bidirezionali e ha una potenza nominale di 350 Watt per una forma d'onda 8/20us. GBLC03CI e la serie soddisfano i requisiti IEC 61000-4-2 (ESD) e IEC 61000-4-4 (EFT). A frequenze operative più elevate o velocità dei fronti più elevate, la perdita di inserzione e l'integrità del segnale rappresentano una delle principali preoccupazioni. Questa serie offre una capacità ultrabassa e una bassa corrente di dispersione in un contenitore SOD-323 miniaturizzato.
Array TVS bidirezionale a bassissima capacità
Descrizione
● La serie GBLC03CI comprende array di soppressori di tensioni transitorie a capacità ultra bassa, progettati per proteggere applicazioni quali dispositivi elettronici portatili e smartphone. Questa serie è disponibile sia in configurazioni unidirezionali che bidirezionali e ha una potenza nominale di 350 Watt per una forma d'onda 8/20us.
● GBLC03CI e la serie soddisfano i requisiti IEC 61000-4-2 (ESD) e IEC 61000-4-4 (EFT). A frequenze operative più elevate o velocità di elaborazione più elevate, la perdita di inserzione e l'integrità del segnale rappresentano un problema importante.
● Questa serie offre una capacità ultrabassa e una bassa corrente di dispersione in un contenitore SOD-323 miniaturizzato.
Caratteristiche
● IEC61000-4-2 (ESD)±15kV(air), ±8kV(contact)
● EC61000-4-4(EFTD40A(5/50nS)
● IEC61000-4-5 (Lightning)12A(8/20us)
● Protegge una linea VO (bidirezionale)
● Bassa tensione di bloccaggio
● Working voltages: 3V,5V,8V,12V,15V,24V
● Bassa corrente di dispersione
● Il tempo di risposta è <1 ns
Applicazioni
● Telefoni cellulari e accessori
● Apparecchiature basate su microprocessore
● Assistenti digitali personali (PDA)
● Notebook, desktop e server
● Strumentazione portatile
● Periferiche
●Interfaccia USB
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
AZ5325-01F Dispositivi di protezione ESD DFN1006
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.0V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
AZC199-04 Dispositivi di protezione ESD SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOD-523
BTRD04A035 Diodo di protezione ESD DFN1006
Brand: slkor， VRWM(V)： 5 VBR min(V)： 8.4 IR(uA)： 0.1 VC(V)： 10 CJ(pF)： 18 Package： DFN1006
BV-FA05UCA Dispositivi di protezione ESD DFN1006
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.0V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU Dispositivi di protezione ESD DFN2510
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB Dispositivi di protezione ESD DFN1006
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.0V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
Diodi ESD bidirezionali SLSD3V3D5 SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 3.3V VBR min(V)： 5V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 7.5V CJ(pF)： 18pF Package： SOD-523
Diodi ESD bidirezionali SLSD5B5CL SOD-523
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.2V IR(uA)： 2μA VC(V)： 9V CJ(pF)： 4.5pF Package： SOD-523
Diodo di protezione ESD AU0511P1 SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15 Package： DFN1006
Diodo di protezione ESD GBLC03CI SOD-323
Brand: slkor， VRWM(V)： 8V VBR min(V)： 8.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 13.4V CJ(pF)： 0.8pF Package： SOD-323
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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