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SiC MOSFET
L'impedenza dello strato di deriva dei dispositivi in carburo di silicio (SiC) è inferiore rispetto ai dispositivi in silicio (Si), e con la struttura MOSFET è possibile ottenere un'elevata tensione di tenuta e una bassa impedenza senza modulazione della conducibilità. Inoltre, i MOSFET non generano in linea di principio una corrente di coda, consentendo di ridurre significativamente le perdite di commutazione e di ottenere la miniaturizzazione dei componenti di dissipazione termica quando si sostituiscono gli IGBT con i SiC-MOSFET. In aggiunta, la frequenza operativa dei SiC-MOSFET può essere molto superiore a quella degli IGBT, riducendo le dimensioni dei componenti induttivi e capacitivi del circuito, facilitando la realizzazione di sistemi compatti e leggeri. Rispetto ai Si-MOSFET della stessa tensione da 600V a 900V, l'area del chip dei SiC-MOSFET è ridotta, consentendo l'uso in package più piccoli, e le perdite di recupero del diodo intrinseco sono molto contenute. Attualmente, i SiC-MOSFET sono principalmente impiegati in alimentatori industriali di fascia alta, inverter e convertitori di fascia alta, nonché in sistemi di azionamento e controllo motori di fascia alta.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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