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Dispositivi SiC
Il carburo di silicio SiC è un materiale semiconduttore composto da silicio Si e carbonio C, generalmente nella forma cristallina 4H-SiC. La sua intensità di campo di rottura dielettrica è 10 volte quella del Si, il gap energetico è 3 volte quello del Si, la conducibilità termica è 3 volte quella del Si e la velocità di deriva di saturazione è 2 volte quella del Si. È un materiale per dispositivi elettronici di potenza molto superiore rispetto al Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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