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Diodo Schottky SiC
Con struttura a diodo Schottky ad alta frequenza, l'SBD in SiC raggiunge tensioni elevate superiori a 600V, mentre la tensione massima di tenuta di un SBD in silicio è solo di circa 200V, e la sua caduta di tensione in conduzione è molto inferiore a quella del diodo a recupero rapido in silicio. Il suo tempo di recupero in spegnimento è più breve, quindi la perdita di spegnimento è minore, con conseguente minore interferenza elettromagnetica (EMI). L'uso dell'SBD in SiC per sostituire il prodotto mainstream, il diodo a recupero rapido in silicio (FRD), può ridurre significativamente la perdita totale, migliorare l'efficienza dell'alimentatore e, attraverso il funzionamento ad alta frequenza, ottenere la miniaturizzazione di componenti passivi come induttori e condensatori, con una minore interferenza elettromagnetica (EMI). L'SBD in carburo di silicio può essere ampiamente utilizzato in condizionatori d'aria, alimentatori, inverter nei sistemi di generazione fotovoltaica, sistemi di trazione motore per veicoli elettrici e caricatori rapidi.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Le linee di prodotto di SLKOR includono dispositivi discreti, come diodi, transistor, dispositivi di potenza; e chip a circuito integrato, come regolatori lineari, chip DC/DC, chip di interfaccia, sensori Hall, ADC e BMS... Abbiamo anni di tecnologia accumulata sui semiconduttori dedicati.
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