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Transistor bipolare (BJT) Transistor, transistor a semiconduttore, noto anche come transistor bipolare, è un dispositivo a semiconduttore in grado di controllare la corrente. Secondo la sua struttura, è diviso in transistor NPN, transistor PNP. Ha la funzione di amplificazione di tensione o corrente, che può essere utilizzata in circuiti di amplificazione, circuiti di oscillazione, circuiti di modulazione e demodulazione, circuiti di commutazione e così via.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23 VCEO(V):400V PD(W)(PD(W)):750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):500mV fT(MHz)(fT(MHz)):8MHz Package(Package):SOT-23 IC(A)(IC(A)):200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92 Il transistor ad alta tensione Polar NPN è progettato per prestazioni robuste in applicazioni ad alta tensione. Con una tensione nominale collettore-emettitore (Vceo) di 450 V e una corrente massima di collettore (Ic) di 0.2 A, questo transistor è ideale per attività di commutazione di potenza e amplificazione. Presenta una capacità di dissipazione di potenza (Pd) di 0.625 W e una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 0.4 V con una corrente di collettore di 50 mA e una corrente di base di 10 mA. Il transistor fornisce inoltre una frequenza di transizione (fT) di 8 MHz, garantendo un funzionamento efficace alle alte frequenze. La sua durata ed efficienza lo rendono una scelta affidabile per i sistemi elettronici esigenti.
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92 Il transistor bipolare PNP 2SA1015-B è progettato per offrire prestazioni e affidabilità eccezionali in un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. Con le sue specifiche avanzate e il design robusto, questo transistor si distingue per la sua efficienza nelle operazioni di amplificazione e commutazione del segnale.
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23 Il transistor digitale PNP 2SA1037-R è un transistor PNP ad alte prestazioni progettato per offrire un funzionamento affidabile in applicazioni elettroniche esigenti. Con una tensione collettore-emettitore (Vceo) massima di 50 V, è adatto per vari compiti di commutazione e amplificazione. Il transistor vanta un'elevata frequenza di transizione (fT) di 140 MHz, rendendolo ideale per l'elaborazione del segnale ad alta velocità.
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89 Il transistor digitale PNP 2SA1661-Y è un transistor ad alte prestazioni progettato per soddisfare le esigenze delle moderne applicazioni elettroniche. Grazie alle sue robuste capacità di gestione della tensione e alla risposta in alta frequenza, questo transistor offre prestazioni ed efficienza affidabili in una varietà di circuiti. Il transistor digitale PNP 2SA1661-Y è particolarmente adatto per ambienti ad alta frequenza e alta temperatura, garantendo stabilità e durata anche in condizioni difficili.
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23 2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92 VCEO(V):50V PD(W)(PD(W)):400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):250mV fT(MHz)(fT(MHz)):80MHz Package(Package):TO-92 IC(A)(IC(A)):150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220 Progettato principalmente per applicazioni di amplificatori di potenza lineari SSB
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23 VCEO(V):50V PD(W)(PD(W)):150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):250mV fT(MHz)(fT(MHz)):80MHz Package(Package):SOT-23 IC(A)(IC(A)):150mA
2SC2714-Y Transistor bipolare NPN SOT-23 VCEO(V):30V PD(W)(PD(W)):100mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):400mV fT(MHz)(fT(MHz)):550MHz Package(Package):SOT-23 IC(A)(IC(A)):20mA
2SC2873 Transistor bipolare NPN SOT-89 VCEO(V):50V PD(W)(PD(W)):500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):500mV fT(MHz)(fT(MHz)):120MHz Package(Package):SOT-89 IC(A)(IC(A)):2A
2SC2884-Y Transistor bipolare NPN SOT-89 Il transistor bipolare NPN 2SC2884-Y è progettato per applicazioni elettroniche avanzate che richiedono elevata efficienza e affidabilità. Con una tensione collettore-emettitore (Vceo) massima di 30 V e una corrente di collettore (Ic) di 0.8 A, questo transistor offre prestazioni robuste per diverse configurazioni di circuito. È progettato per gestire una dissipazione di potenza fino a 500 mW mantenendo una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) di 0.5 V con una corrente di collettore di 0.5 A e una corrente di base di 0.02 A. ?
2SC3356 Transistor bipolare R25 NPN SOT-23 2SC3356 Transistor bipolare R25 NPN SOT-23
2SC3356R25 Transistor bipolare NPN SOT-23 Il 2SC3356 è un transistor a basso rumore e frequenza ultra-alta che utilizza la tecnologia bipolare epitassiale al silicio NPN planare. È caratterizzato da un elevato guadagno di potenza, bassa cifra di rumore, ampia gamma dinamica ed eccellenti caratteristiche di corrente. Confezionato in formato SMD SOT-23, è utilizzato principalmente negli amplificatori a basso rumore a banda larga VHF, UHF e CATV.
2SC3357RE Transistor bipolare PNP SOT-89 Il 2SC3357 è un transistor di potenza a bassissimo rumore e frequenza ultra-alta, che utilizza un processo bipolare epitassiale al silicio NPN planare. Offre un elevato guadagno di potenza, una bassa cifra di rumore, un'ampia gamma dinamica e caratteristiche di corrente eccellenti. Confezionato in una configurazione a montaggio superficiale SOT-89, è utilizzato principalmente in applicazioni VHF, UHF e CATV per amplificazione a basso rumore a banda larga ad alta frequenza.
2SC3585R45 Transistor bipolare NPN SOT-23-3L Il 2SC3585 è un transistor a basso rumore e frequenza ultra-alta che utilizza la tecnologia bipolare epitassiale al silicio NPN planare. È caratterizzato da un elevato guadagno di potenza, bassa cifra di rumore, ampia gamma dinamica e caratteristiche di corrente ideali. È disponibile in un package a montaggio superficiale SOT-23-3L ed è utilizzato principalmente negli amplificatori a basso rumore a banda larga ad alta frequenza VHF, UHF e CATV.
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