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Diodo a recupero rapido La struttura interna del diodo a recupero rapido è diversa da quella del diodo a giunzione PN ordinario; appartiene al diodo a giunzione PIN, cioè, nella regione di base I viene aggiunta tra il materiale di silicio di tipo P e il materiale di silicio di tipo N per formare il wafer di silicio PIN. Poiché la regione di base è molto sottile, la carica di recupero inverso è molto piccola, quindi il tempo di recupero inverso del diodo a recupero rapido è più breve, la caduta di tensione diretta è più bassa e la tensione di rottura inversa (valore di tenuta) è più alta.
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