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Transistor bipolare PNP MMDT5401 SOT-363
Il transistor digitale PNP MMDT5401 è progettato per offrire prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta tensione e alta frequenza. Con una classificazione Vceo di 150 V e un Ic massimo di 600 mA, questo transistor è progettato per eccellere in ambienti esigenti in cui affidabilità ed efficienza sono fondamentali. La sua costruzione robusta supporta un'elevata temperatura di lavoro fino a 150 °C, rendendolo adatto a varie applicazioni industriali e ad alta temperatura.
I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale.
Descrizione:
Il transistor digitale PNP MMDT5401 è progettato per offrire prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta tensione e alta frequenza. Con una Vceo nominale di 150 V e una Ic massima di 600 mA, questo transistor è progettato per eccellere in ambienti difficili in cui affidabilità ed efficienza sono fondamentali. La sua struttura robusta supporta temperature di esercizio elevate fino a 150 °C, rendendolo adatto a diverse applicazioni industriali e ad alta temperatura.
CARATTERISTICHE
● Per applicazioni di amplificatori ad alta tensione
Applicazione:
Il transistor digitale PNP 2SA1661-Y è perfettamente adatto a una varietà di applicazioni elettroniche, tra cui:
● Amplificatori di potenza: ideali per l'uso in circuiti di amplificazione di potenza dove sono essenziali elevate tensioni e correnti.
● Circuiti di commutazione: Perfetto per applicazioni di commutazione ad alta velocità grazie alla sua bassa V CE(sat) e all'elevata frequenza di transizione.
● RF e elaborazione del segnale: Adatto per applicazioni ad alta frequenza, inclusi circuiti a radiofrequenza e sistemi di elaborazione del segnale.
● Apparecchiature industriali: Prestazioni affidabili in ambienti industriali dove le alte temperature di esercizio sono comuni.
Nome
Titolo
Descrizione
Datasheet
Assistenza
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevità ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sulla durata prevista di conservazione dei nostri prodotti. Il Programma Longevità viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro team dirigenziale. Consulta il nostro Programma Longevità qui.
13001 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
13001S Transistor bipolare NPN TO-92
Brand: slkor，
2SA1015-B Transistor bipolare PNP TO-92
Brand: slkor，
2SA1037-R Transistor bipolare PNP SOT-23
Brand: slkor，
2SA1661-Y Transistor bipolare PNP SOT-89
Brand: slkor，
2SB1261 Transistor bipolare PNP
Brand: slkor，
2SC1623 Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor，
2SC1815 Transistor planare epitassiale al silicio TO-92
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 400mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： TO-92 IC(A)(IC(A))： 150mA
2SC2078 Transistor bipolare NPN TO-220
Brand: slkor，
2SC2712-Y Transistor bipolare NPN SOT-23
Brand: slkor， VCEO(V)： 50V PD(W)(PD(W))： 150mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 250mV fT(MHz)(fT(MHz))： 80MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 150mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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