Memandangkan pautan bersiri seperti USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 dan 16 Gbps SerDes menolak kadar data hujung tunggal melebihi 20 Gb/s, mana-mana peranti ESD yang kapasitinya melebihi 0.3 pF berkelakuan seperti induktor tersembunyi yang memperlahankan tepi. Diod TVS satu arah Slkor SLPESDMC2FD5VB menggabungkan kapasitansi simpang tipikal 0.25 pF dengan tahap pengapit 13 V, voltan kerja songsang (VRWM) 5 V dan voltan pecah minimum (VBR) 6 V untuk menyampaikan hampir "beban tambah sifar" perlindungan elektrostatik tinggi atau terbalik pada garisan tunggal hujung 5 V yang berbeza. hanya 100 nA—membantu peranti mudah alih dan boleh pakai memerah masa siap sedia yang lebih lama.

Misi: memintas ESD, CDE atau EFT berdenyut nanosaat sebelum ia mencapai IC I/O dan mengalihkan tenaga mereka ke satah tanah, bertindak sebagai "fius halimunan" antara sistem berkelajuan tinggi dan dunia luar yang bermusuhan. Penyelesaian tradisional memperdagangkan pengendalian kuasa yang lebih tinggi untuk kapasiti yang lebih besar, gambar rajah mata yang runtuh; SLPESDMC2FD5VB mengimbangi kuasa nadi puncak 88 W (8/20 μs) dengan 0.25 pF kapasiti melalui proses telaga dalam proprietari Slkor, menjadikannya penjaga senyap yang ideal untuk telefon pintar, tablet, komputer riba, kamera automotif dan set kepala AR/VR.

Tetingkap perlindungan yang ditala dengan tepat
Voltan kerja terbalik VRWM = 5 V
Pecahan terbalik minimum VBR = 6 V
Tetingkap ini menjamin bahawa isyarat 5 V biasa tidak pernah diganggu, namun peranti masih mengepit dengan pasti di bawah ±15 kV udara dan ±8 kV nyahcas sesentuh (IEC 61000-4-2 Tahap 4) dan 40 A, 5/50 ns EFT pecah, meliputi sepenuhnya spesifikasi elektrik, USB-C Band AUX SuperSpeed yang lain.

Voltan pengapit rendah 13 V
Pada 1 A, 8/20 μs VC pengapit biasa ialah 13 V; pada 4 A ia meningkat hanya kepada 22 V—jauh di bawah penarafan sementara 20 V+ bagi proses CMOS 5 V, meminimumkan tegasan lebihan tangkapan dan menghalang kerosakan get-oksida terpendam.

Kapasiti simpang 0.25 pF—30 % lebih rendah daripada tawaran arus perdana
CJ = 0.25 pF taip (@ VR = 0 V, f = 1 MHz, maks 0.4 pF)

kehilangan sisipan < –0.15 dB dan kehilangan kembalian < –25 dB pada 20 GHz memastikan tepi satu hujung tajam dan mata terbuka lebar melebihi 10 Gbps.

100 nA kebocoran ultra-rendah
IR = 100 nA typ (@ VR = 5 V, 25 °C) dan kekal di bawah 500 nA pada 85 °C, menambah minit berharga hayat bateri pada telefon, fon telinga TWS dan boleh pakai yang mesti kekal pada 24/7.

Pakej ultra-nipis DFN1006
Berukuran hanya 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm, ia menduduki 60 % kurang hartanah PCB daripada SOT-23; ketinggian 0.5 mm mudah tergelincir di bawah lidah USB-C. Dayung mati yang terdedah secara berpusat mencipta laluan tanah yang sesingkat mungkin, kearuhan gelung pemotongan dan mempercepatkan nyahcas ESD. Penamatan Ni/Pd/Au adalah serasi tanpa plumbum-aliran semula, dan pita-dan-kekili 7-inci memegang 10 kpcs untuk talian pick-and-place berkelajuan tinggi.

Aplikasi tipikal
? Mudah alih: Talian SuperSpeed ​​USB-C, bicu fon kepala, dulang SIM, kekunci sisi, kamera MIPI D-PHY/CSI-2
? Pengkomputeran: Thunderbolt? 4/5 lorong pada komputer riba ultra nipis, port HDMI 2.1, slot SSD M.2
? Automotif: kamera FPD-Link III, pautan GMSL, hab USB IVI, GPIO penala
? Perindustrian & perubatan: kad DAQ berkelajuan tinggi, kamera penglihatan mesin, port probe ultrasound mudah alih
? AR/VR & boleh pakai: Pautan Mikro-OLED kaca AR, port cas/data kombo jam pintar

reka bentuk Tips
Letakkan SLPESDMC2FD5VB dalam jarak 2 mm dari kemasukan penyambung. Pastikan jejak satu hujung atau berbeza simetri dan dikawal impedans. Buka tetingkap satah tanah pepejal terus di bawah pad terdedah TVS—jangan kongsi laluan balik tanah yang panjang.

Di samping itu, laman web Slkor (www.slkoric.com) menawarkan pelbagai jenis keluarga produk lain, memberikan pereka lebih banyak pilihan.

Dengan kapasiti ultra-rendah 0.25 pF, pengapit tepat 13 V, tetingkap perlindungan 5 V/6 V yang ketat dan kebocoran 100 nA, SLPESDMC2FD5VB menetapkan penanda aras ESD "tidak kelihatan" baharu untuk antara muka tunggal dan berbeza berkelajuan tinggi berkelajuan tinggi 5 V, menawarkan produk yang lebih senyap namun lebih padu rock yang boleh dipercayai.

Mengenai Slkor：

SLKOR, yang beribu pejabat di Shenzhen, China, ialah perusahaan teknologi tinggi negara yang sedang pesat membangun dalam sektor semikonduktor kuasa. Dengan pusat R&D di Beijing dan Suzhou, pasukan teknikal terasnya berasal dari Universiti Tsinghua. Sebagai inovator dalam teknologi peranti kuasa silikon karbida (SiC), SLKORProduk 's digunakan secara meluas dalam kenderaan tenaga baharu, penjanaan kuasa fotovoltaik, IoT perindustrian dan elektronik pengguna, menyediakan penyelesaian semikonduktor kritikal kepada lebih 10,000 pelanggan di seluruh dunia. Syarikat itu menyampaikan lebih daripada 2 bilion unit setiap tahun, dengan MOSFET SiC dan diod SBD pemulihan ultracepat generasi ke-5 yang menetapkan penanda aras industri dalam nisbah kecekapan dan kestabilan terma. SLKOR memegang lebih 100 paten ciptaan dan menawarkan 2,000+ model produk, terus mengembangkan portfolio IPnya merentas peranti kuasa, penderia dan IC pengurusan kuasa. Pensijilan termasuk pematuhan ISO 9001, RoHS/REACH EU dan CP65 menunjukkan komitmen teguh syarikat terhadap inovasi teknologi, pembuatan tanpa lemak dan pembangunan mampan.