Poiché collegamenti seriali come USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 e SerDes a 16 Gbps spingono velocità di trasmissione dati single-ended oltre i 20 Gb/s, qualsiasi dispositivo ESD con capacità superiore a 0.3 pF si comporta come un induttore nascosto che rallenta i fronti. Il diodo TVS unidirezionale SLPESDMC2FD5VB di Slkor combina una capacità di giunzione tipica di 0.25 pF con un livello di clamping di 13 V, una tensione di lavoro inversa (VRWM) di 5 V e una tensione di rottura minima (VBR) di 6 V per fornire una protezione elettrostatica praticamente "a carico aggiunto zero" su linee single-ended o differenziali ad alta velocità da 5 V, mentre la sua dispersione inversa è di soli 100 nA, aiutando i dispositivi mobili e indossabili a ottenere tempi di standby ancora più lunghi.

Missione: intercettare gli impulsi ESD, CDE o EFT nanosecondi prima che raggiungano l'I/O del circuito integrato e deviarne l'energia verso il piano di massa, fungendo da "fusibile invisibile" tra il sistema ad alta velocità e il mondo esterno ostile. Le soluzioni tradizionali barattano una maggiore gestione della potenza con una maggiore capacità, riducendo i diagrammi a occhio; SLPESDMC2FD5VB bilancia una potenza di picco dell'impulso di 88 W (8/20 μs) con una capacità di 0.25 pF tramite il processo deep-well proprietario di Slkor, rendendolo il guardiano silenzioso ideale per smartphone, tablet, notebook, fotocamere per auto e visori AR/VR.

Una finestra di protezione calibrata con precisione
Tensione di lavoro inversa VRWM = 5 V
Minimo guasto inverso VBR = 6 V
Questa finestra garantisce che i normali segnali a 5 V non vengano mai disturbati, ma il dispositivo continua a bloccarsi in modo affidabile sotto scariche aeree di ±15 kV e scariche di contatto di ±8 kV (IEC 61000-4-2 Livello 4) e burst EFT da 40 A, 5/50 ns, coprendo completamente le specifiche elettriche di USB-C SuperSpeed, DisplayPort AUX, PCIe sideband e altre interfacce a 5 V.

Bassa tensione di serraggio 13 V
A 1 A, 8/20 μs il tipico VC di clamp è 13 V; a 4 A sale solo a 22 V, ben al di sotto del valore nominale transitorio di 20 V+ dei processi CMOS a 5 V, riducendo al minimo lo stress da overshoot e prevenendo danni latenti all'ossido di gate.

Capacità di giunzione di 0.25 pF: inferiore del 30% rispetto alle offerte tradizionali
CJ = 0.25 pF tipico (@ VR = 0 V, f = 1 MHz, max 0.4 pF)

La perdita di inserzione < –0.15 dB e la perdita di ritorno < –25 dB a 20 GHz mantengono nitidi i bordi single-ended e tengono gli occhi ben aperti sopra i 10 Gbps.

Perdita ultra bassa da 100 nA
IR = 100 nA tipico (@ VR = 5 V, 25 °C) e rimane al di sotto di 500 nA a 85 °C, aggiungendo preziosi minuti di durata della batteria a telefoni, auricolari TWS e dispositivi indossabili che devono rimanere accesi 24 ore su 7, XNUMX giorni su XNUMX.

Pacchetto ultrasottile DFN1006
Con dimensioni di soli 1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm, occupa il 60% di spazio in meno sul PCB rispetto al SOT-23; l'altezza di 0.5 mm si adatta facilmente a una linguetta USB-C. Un die paddle esposto centralmente crea il percorso di massa più breve possibile, riducendo l'induttanza del loop e accelerando la scarica ESD. Le terminazioni Ni/Pd/Au sono compatibili con la rifusione senza piombo e il nastro e bobina da 7 pollici contiene 10 kpcs per linee pick-and-place ad alta velocità.

Applicazioni tipiche
? Mobile: linee USB-C SuperSpeed, jack per cuffie, vassoi SIM, tasti laterali, fotocamera MIPI D-PHY/CSI-2
? Elaborazione dati: Thunderbolt? 4/5 corsie su notebook ultrasottili, porte HDMI 2.1, slot SSD M.2
? Automotive: telecamera FPD-Link III, collegamenti GMSL, hub USB IVI, sintonizzatori GPIO
? Industriale e medico: schede DAQ ad alta velocità, telecamere per visione artificiale, porte per sonde ecografiche portatili
? AR/VR e dispositivi indossabili: collegamenti Micro-OLED in vetro AR, porte di ricarica/dati combinate per smartwatch

Consigli per la progettazione
Posizionare l'SLPESDMC2FD5VB entro 2 mm dall'ingresso del connettore. Mantenere le tracce single-ended o differenziali simmetriche e controllate dall'impedenza. Aprire una finestra con piano di massa solido direttamente sotto la piazzola esposta del TVS, evitando di condividere un lungo percorso di ritorno a terra.

Inoltre, il sito web di Slkor (www.slkoric.com) offre un'ampia gamma di altre famiglie di prodotti, offrendo ai progettisti ancora più opzioni.

Con la sua capacità ultra-bassa di 0.25 pF, il clamp preciso di 13 V, la finestra di protezione stretta di 5 V/6 V e la dispersione di 100 nA, SLPESDMC2FD5VB stabilisce un nuovo punto di riferimento ESD "invisibile" per interfacce differenziali e single-ended ad alta velocità da 5 V, offrendo una protezione silenziosa ma solida per prodotti finali più leggeri, veloci e affidabili.

Informazioni su Slkor:

SLKOR, con sede a Shenzhen, in Cina, è un'impresa nazionale high-tech in rapida crescita nel settore dei semiconduttori di potenza. Con centri di ricerca e sviluppo a Pechino e Suzhou, il suo team tecnico principale proviene dall'Università Tsinghua. In qualità di innovatore nella tecnologia dei dispositivi di potenza in carburo di silicio (SiC), SLKORI prodotti di sono ampiamente utilizzati nei veicoli a nuova energia, nella generazione di energia fotovoltaica, nell'IoT industriale e nell'elettronica di consumo, fornendo soluzioni a semiconduttore critiche a oltre 10,000 clienti in tutto il mondo. L'azienda consegna oltre 2 miliardi di unità all'anno, con i suoi MOSFET SiC e i diodi SBD a recupero ultrarapido di quinta generazione che stabiliscono parametri di riferimento del settore in termini di efficienza e stabilità termica. SLKOR Detiene oltre 100 brevetti d'invenzione e offre oltre 2,000 modelli di prodotto, ampliando costantemente il proprio portfolio di proprietà intellettuale in dispositivi di potenza, sensori e circuiti integrati per la gestione dell'alimentazione. Certificazioni come ISO 9001, RoHS/REACH UE e conformità CP65 dimostrano il costante impegno dell'azienda per l'innovazione tecnologica, la produzione snella e lo sviluppo sostenibile.