Поскольку последовательные интерфейсы, такие как USB 3.2 Gen2×2, DisplayPort 2.1 и SerDes 16 Гбит/с, обеспечивают скорость передачи данных по несимметричным линиям свыше 20 Гбит/с, любое устройство ESD с ёмкостью более 0.3 пФ действует как скрытый индуктор, замедляющий фронты. Однонаправленный TVS-диод Slkor SLPESDMC2FD5VB сочетает в себе типичную ёмкость перехода 0.25 пФ с уровнем ограничения 13 В, обратным рабочим напряжением (VRWM) 5 В и минимальным пробивным напряжением (VBR) 6 В, обеспечивая практически нулевую добавленную нагрузку на высокоскоростных несимметричных или дифференциальных линиях 5 В, при этом ток обратной утечки составляет всего 100 нА, что позволяет мобильным и носимым устройствам ещё дольше работать в режиме ожидания.

Задача: перехватывать импульсы электростатического разряда (ESD), разряда тока утечки (CDE) или электрического заряда (EFT) за наносекунды до того, как они достигнут входов/выходов микросхемы, и перенаправлять их энергию на заземляющий слой, действуя как «невидимый предохранитель» между высокоскоростной системой и внешним окружением. Традиционные решения жертвуют большей мощностью ради большей ёмкости, что приводит к схлопыванию глазковых диаграмм; SLPESDMC2FD5VB обеспечивает баланс пиковой импульсной мощности 88 Вт (8/20 мкс) с ёмкостью 0.25 пФ благодаря запатентованной технологии Slkor с глубокими ячейками, что делает его идеальным бесшумным защитником для смартфонов, планшетов, ноутбуков, автомобильных камер и гарнитур дополненной и виртуальной реальности (AR/VR).

Точно настроенное окно защиты
Обратное рабочее напряжение VRWM = 5 В
Минимальное обратное пробойное напряжение VBR = 6 В.
Это окно гарантирует, что обычные сигналы 5 В никогда не будут искажены, но при этом устройство по-прежнему надежно фиксирует воздушные разряды ±15 кВ и контактные разряды ±8 кВ (IEC 61000-4-2 Уровень 4), а также импульсы EFT 40 А, 5/50 нс, полностью охватывая электрические характеристики USB-C SuperSpeed, DisplayPort AUX, PCIe sideband и других интерфейсов 5 В.

Низкое напряжение фиксации 13 В
При токе 1 А, 8/20 мкс типичное напряжение фиксации VC составляет 13 В; при 4 А оно повышается только до 22 В — значительно ниже переходного номинала 20 В+ для 5-вольтовых КМОП-процессов, что сводит к минимуму перенапряжение и предотвращает скрытое повреждение затворно-оксидного слоя.

Емкость перехода 0.25 пФ — на 30 % ниже, чем у основных предложений
CJ = 0.25 пФ тип. (при VR = 0 В, f = 1 МГц, макс. 0.4 пФ)

Вносимые потери < –0.15 дБ и возвратные потери < –25 дБ при 20 ГГц обеспечивают четкие фронты односторонних сигналов и широкое раскрытие глаз на скоростях свыше 10 Гбит/с.

100 нА сверхнизкая утечка
IR = 100 нА (типичное значение) (при VR = 5 В, 25 °C) и остается ниже 500 нА при 85 °C, что добавляет драгоценные минуты работы аккумулятора телефонам, TWS-наушникам и носимым устройствам, которые должны оставаться включенными круглосуточно.

Ультратонкий корпус DFN1006
Имея размеры всего 1.0 мм × 0.6 мм × 0.5 мм, он занимает на 60% меньше места на печатной плате, чем SOT-23; высота 0.5 мм легко помещается под язычок USB-C. Центральная площадка кристалла обеспечивает кратчайший путь заземления, снижая индуктивность контура и ускоряя разряд электростатического разряда. Выводы Ni/Pd/Au совместимы с бессвинцовой пайкой, а 7-дюймовая лента на катушке вмещает 10 килопар для высокоскоростных линий захвата и установки.

Типичные области применения
? Мобильные устройства: сверхскоростные линии USB-C, разъёмы для наушников, лотки для SIM-карт, боковые клавиши, камера MIPI D-PHY/CSI-2
? Компьютеры: Thunderbolt? 4/5 линий на ультратонких ноутбуках, порты HDMI 2.1, слоты SSD M.2
? Автомобили: камера FPD-Link III, соединения GMSL, USB-концентраторы IVI, тюнеры GPIO
? Промышленные и медицинские: высокоскоростные платы сбора данных, камеры машинного зрения, порты портативных ультразвуковых датчиков.
AR/VR и носимые устройства: AR-стекло, Micro-OLED-соединения, комбинированные порты зарядки/данных для смарт-часов

дизайн Советы
Разместите SLPESDMC2FD5VB на расстоянии 2 мм от входа разъёма. Следите за симметричностью несимметричных или дифференциальных цепей и контролем импеданса. Создайте окно для сплошного слоя заземления непосредственно под открытой площадкой TVS — не используйте длинный путь возврата тока через землю.

Кроме того, на сайте Slkor (www.slkoric.com) представлен широкий ассортимент других семейств продукции, что дает дизайнерам еще больше возможностей.

Благодаря сверхнизкой емкости 0.25 пФ, точному зажиму 13 В, узкому окну защиты 5 В/6 В и утечке 100 нА, SLPESDMC2FD5VB устанавливает новый «невидимый» стандарт защиты от электростатических разрядов для высокоскоростных несимметричных и дифференциальных интерфейсов 5 В, предлагая бесшумную, но надежную защиту для более легких, быстрых и надежных конечных продуктов.

О Слкоре:

SLKOR, со штаб-квартирой в Шэньчжэне, Китай, является быстрорастущим национальным высокотехнологичным предприятием в секторе силовых полупроводников. С научно-исследовательскими центрами в Пекине и Сучжоу, его основная техническая команда происходит из Университета Цинхуа. Как новатор в области технологии силовых устройств из карбида кремния (SiC), SLKORПродукция компании широко используется в транспортных средствах на новых источниках энергии, фотоэлектрических системах, промышленном Интернете вещей и потребительской электронике, предоставляя критически важные полупроводниковые решения более чем 10,000 2 клиентам по всему миру. Компания ежегодно поставляет более 5 миллиардов устройств, а её SiC MOSFET и сверхбыстровосстанавливающиеся SBD-диоды XNUMX-го поколения устанавливают отраслевые стандарты эффективности и термостабильности. SLKOR Имеет более 100 патентов на изобретения и предлагает более 2,000 моделей продуктов, постоянно расширяя свой портфель IP в области силовых устройств, датчиков и ИС управления питанием. Сертификации, включая ISO 9001, EU RoHS/REACH и соответствие CP65, демонстрируют неизменную приверженность компании технологическим инновациям, бережливому производству и устойчивому развитию.