Set cerita IP menarik SIC MOSFET — Bingfeeling separuh beg, Romm Shuanglou, kawasan penduduk dan ge yang sedang berbaring

Laman Utama Berita Sorotan Harian Set cerita IP menarik SIC MOSFET — Bingfeeling separuh beg, Romm Shuanglou, kawasan penduduk dan ge yang sedang berbaring

2022-03-17 185

Nota kajian seorang amatur cip silikon karbida. Pengumpulan sastera, berita industri, keuntungan sekali-sekala, gaya tanpa kekangan. Akaun rasmi WeChat adalah milik nota pembelajaran peribadi, hanya untuk hobi peribadi, dan tidak melibatkan sebarang tujuan komersial. Mohon maaf sekiranya terdapat petikan yang tidak terkawal dalam teks tersebut. Sesetengah orang hobi menanam bunga dan rumput, menyanyi dan memancing, manakala yang lain suka menulis blog Twiter dalam Tik Tok. Dalam beberapa tahun kebelakangan ini, saya suka sekali-sekala membaca buku dan berus kertas pada hujung minggu untuk melihat perkembangan bahan termaju dan teknologi peranti.

Prasasti: Lakukan sesuatu yang menarik dan menjadi jiwa yang menarik.

Saya bercakap beberapa perkataan mengenai gosip tuntutan IP berganda Romm, dan mendapati terdapat ramai rakan yang berminat. Banyak pertukaran dan persoalan tidak dapat dijawab satu persatu. Kemudian terus bersembang.

Sebenarnya, tidak banyak yang perlu dibincangkan tentang paten struktur parit ini. Seperti yang kita semua tahu, tidak ada cara. Ini adalah permulaan awal cacing, yang serupa dengan merebut pendaftaran nama domain pada tahun-tahun sebelumnya.Kami semua lewat beberapa tahun.

Struktur parit ini semuanya adalah struktur asas. Kadang-kadang ia kelihatan seperti kecantikan yang istimewa. Jika anda melihat dengan teliti, ia terutamanya simetri.Bayangkan membuat pilih atur dan gabungan struktur ini dan menggabungkannya semula dalam ruang tiga dimensi … bukankah ia menarik!

Itulah sebabnya selalu dikatakan bahawa tiga struktur, "Infineon half package, Roma double trench, Sumitomo grounding double buried" adalah struktur asas.Menarik tak? ...Malangnya, mengikut undang-undang paten antarabangsa, pilih atur dan gabungan tidak berfungsi!Jika tidak, Rohm boleh menyepadukan diod Schottky dengan mudah di sebelah parit berkembar, jadi kita tidak perlu pergi ke mahkamah dengan begitu sukar!

Tuntutan ini nampaknya tidak berkesudahan. Ini juga membuktikan sepenuhnya dari sisi betapa jarang IP paten yang benar-benar berguna bagi struktur parit silikon karbida!Terutamanya, terdapat lebih banyak peranti silikon karbida sekarang. Kebanyakan silikon IGBT dan CoolMOS asal bertukar menjadi diod silikon karbida dan MOSFET satah, dan produk pada dasarnya dihasilkan dalam beberapa minit.Dalam kes ini, IP struktur parit silikon karbida adalah berharga!

Saya pernah ingin memulakan perniagaan. Terutamanya selepas menjalankan sekolah di Jalan Schottky, saya fikir memandangkan saya hampir boleh menyelesaikan semua kerja dari reka bentuk reka letak hingga memproses penyepaduan dan pembangunan sendiri, saya boleh mencari sedikit wang untuk mencuba!Selepas membaca sedikit sejarah pembangunan dan paten setiap struktur, kami mendapati terdapat banyak persamaan antara pembangunan struktur SiC khas dan pembangunan struktur dan teknologi generasi ketujuh silikon IGBT!

Yang menghairankan, sumber banyak struktur dan proses IP sebenarnya adalah di GE!Saya pernah berfikir bahawa tiada masalah paten dalam planar MOS, tetapi sekarang saya tidak pasti. Saya tidak tahu bila masanya untuk membaca semua paten GE dan kumpulan Jepun!

Selain itu, Jepun adalah pertempuran kumpulan, yang merupakan pelengkap kepada susun atur paten. Sangat berguna!Sebagai contoh, saya pernah berfikir bahawa berbanding dengan pakej separuh Infineon dan parit berganda Rohm, sebenarnya menambah beberapa bahan dan serbuk pada IP tertanam dua yang dibumikan Sumitomo akan menjadi satu kejayaan yang baik untuk IP dengan struktur parit. Masih banyak yang perlu dilakukan. Dan pada masa hadapan, ia tidak akan begitu ketara dan mudah untuk disaman seperti Infenion half bag dan double groove.Walau bagaimanapun, dalam dua tahun kebelakangan ini, semasa Rohm terlibat dalam tuntutan mahkamah, didapati syarikat Jepun Denso Fuji RomToyota meraung untuk mendapatkan paten, menyulam secara liar pada struktur asal, memeriksa kecacatan dan menangkap kebocoran. Ia seperti cuba membina beberapa lagi bangunan tinggi di dalam parit. Sebagai contoh, terdapat tujuh belas atau lapan varian dan gabungan struktur tanam dua kali pembumian.

Pada bulan September tahun ini, saya mendengar bahawa Sanan juga ingin mula membangunkan MOSFET parit silikon karbida, tetapi paten struktur parit tidak dapat dielakkan. Akhirnya, saya hanya memilih untuk membuatnya dahulu. Jadi saya merekrut seorang doktor terus dari Beijing Institute of Microelectronics, dan mula meniru struktur parit.

Ia tidak terlalu jauh. Saya hanya mahu bercakap tentang GE. Ini adalah pembesar IP silikon karbida sebenar. Walau bagaimanapun, peranti silikon karbida adalah perniagaan kecil untuk GE, dan GE mempunyai sedikit minat. Malah GE, peralatan perubatan yang mengaut keuntungan, terlalu malas untuk mengambil alasan. Sukar untuk memberitahu bagaimana keadaan PRU sekarang.

GE akan berpecah dalam dua minggu yang lalu. Mungkin selepas pengedaran, GE POWER boleh memulakan perniagaan kecil secara perlahan, atau peranti silikon karbida.Lagipun, sekarang kita perlu pergi ke Belanda untuk makan malam.

GE sepatutnya berminat dengan peranti berkuasa tinggi. Selepas pemisahan, mungkin perlu melepaskan dan menyenaraikan semula. SiC ialah alat yang berharga! Ia boleh dilihat dengan melihat promosi bersemangat GE POWER terhadap pembangunan China baru-baru ini.

Jika GE POWER benar-benar mula berdikari dan berusaha untuk disenaraikan secara berasingan, maka cip kuasa dan peranti SiC Power harus menjadi pelabuhan yang baik untuk permulaan yang baru.

Masa yang tepat untuk GE POWER.Seperti yang berlaku, silikon karbida sangat panas, dan semua pemain sangat kaya.Mungkin GE POWER boleh mula menuai daun bawang seperti Qualcomm dan menjadi pembekal IP POWER.

Untuk perusahaan berusia berabad-abad,Kisah perpisahan baru sahaja bermula, dan masa depan akan menjadi cemerlang, siapa tahu!

Penafian: Artikel ini diterbitkan semula daripada "Nota Pembelajaran Cip Silikon Karbida". Artikel ini hanya mewakili pandangan peribadi pengarang, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ia hanya untuk mencetak semula dan berkongsi untuk menyokong perlindungan hak harta intelek. Sila nyatakan sumber dan pengarang asal semasa mencetak semula. Jika terdapat sebarang pelanggaran, sila hubungi kami untuk memadamkannya.

Tel Syarikat: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mel: 1615456225@qq.com
QQ: 332496225 Pengurus Qiu
Alamat: Bilik 809, Blok C, Bangunan Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Daerah Baru Longhua, Shenzhen

sebelum

Slkor mencapai satu lagi kemenangan! Jumlah tontonan video sains popularnya di TikTok melebihi 1 juta

Seterusnya

Pengurus Besar Song Shiqiang menyampaikan anugerah kepada Lin Yuanfang, penggiat jualan terbaik, dan Pasukan Dragon-Tiger, Jabatan Jualan Pertama Slkor