SIC MOSFET有趣的IP故事集－冰感半袋、羅姆雙樓、居民大地、躺著的葛

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2022-03-17 183

碳化矽晶片業餘愛好者的學習筆記。文獻整理，產業新聞，偶爾收穫，天馬行空。微信公眾號屬於個人學習筆記，僅用於個人嗜好，不涉及任何商業目的。文中如有引用不規範之處，請諒解。有些人的嗜好是養花養草、唱歌、釣魚，而有些人則喜歡在抖音上寫推特部落格。近年來，我喜歡偶爾在週末看書、刷紙，看看前沿材料和裝置技術的發展。

銘文：做一些有趣的事，做一個有趣的靈魂。

聊了幾句羅姆雙槽IP官司的八卦，發現有興趣的朋友還不少。很多交流和疑問無法一一解答。然後繼續聊天。

其實這些溝槽結構專利沒什麼好說的。眾所周知，沒有辦法。這是該蠕蟲病毒的早期啟動，類似於早年搶奪域名註冊。我們都晚了幾年。

這些溝槽結構都是基本結構。有時看起來有一種特殊的美。仔細一看，特別對稱。想像一下，將這些結構進行排列組合，並在三維空間中重新組合……是不是很有趣！

所以一直說「英飛凌半封裝、羅馬雙溝槽、住友接地雙埋」三種結構是基本結構。是不是很有趣？ ...不幸的是，根據國際專利法，排列組合是行不通的！不然Rohm完全可以輕易在雙溝槽旁邊整合一個肖特基二極管，這樣我們就不用這麼費勁去打官司了！

這場官司似乎永無止境。這也從側面充分證明碳化矽溝槽結構真正有用的專利IP是多麼難得！特別是現在碳化矽元件越來越多，很多原本的矽IGBT、CoolMOS都變成了碳化矽二極體、平面MOSFET，而且基本上幾分鐘就能生產產品。在這種情況下，碳化矽溝槽結構的IP就彌足珍貴了！

我曾經想創業。尤其是在肖特基街辦了學校之後，我想既然我幾乎可以自己完成從佈局設計到流程整合開發的所有工作，我可以找到一些錢來嘗試！在稍微閱讀了一下各個結構的發展歷史和專利權人之後，我們發現特種SiC的結構發展和第七代矽IGBT的結構和技術發展有許多相似之處！

令人驚訝的是，許多結構和工藝IP的來源居然是在GE！我曾經以為平面MOS不存在專利問題，但現在我不確定了。不知道什麼時候才能把GE和日本集團的那些專利看完！

而且日本是群戰，與專利佈局相輔相成。很有用！例如，我曾經認為，與英飛凌半封裝和羅姆雙溝槽相比，實際上在住友的接地雙埋IP中添加一些材料和粉末對於溝槽結構的IP來說是一個很好的突破。還有很多事情要做。而且以後也不會像Infenion半袋、雙槽那麼顯眼，容易被起訴。然而近兩年，在羅姆打官司的同時，卻發現日本電裝·富士·羅姆·豐田公司在咆哮專利，在原有結構上瘋狂繡花，檢查缺陷、追漏。這就像試圖在溝渠裡多建幾棟高樓一樣。例如，接地雙埋結構就有十七八種變型和組合。

今年9月，聽說三安也想開始研發碳化矽溝槽MOSFET，但繞不開溝槽結構的專利，最後乾脆選擇先做一個。於是我直接從北京微電子研究所招了一名博士，開始模仿溝槽結構。

那兒不太遠。我只是想談談GE。這才是真正的碳化矽IP巨頭。不過，碳化矽元件對GE來說是小生意，GE興趣不大。就連GE這個暴利的醫療設備公司也懶得找理由。現在很難說GE的情況如何。

通用電氣在過去兩週內進行了分拆。也許分配之後，GE POWER可以慢慢做起小生意，或是碳化矽元件。畢竟，現在我們得去荷蘭吃晚餐了。

GE應該對高功率設備感興趣。分拆後，可能需要剝離並重新上市。 SiC 是一種有價值的工具！從GE POWER近期對中國發展的熱情推動就可見一斑。

如果GE POWER真的開始獨立並尋求單獨上市，那麼功率晶片和SiC Power裝置應該是一個重新開始的好連接埠。

對 GE POWER 來說，時機恰到好處。恰巧碳化矽異常火爆，所有玩家都特別有錢。也許GE POWER可以像高通一樣開始收割韭菜，成為POWER的IP供應商。

對一個百年企業來說，分離的故事才剛開始，未來的輝煌，誰知道呢！

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