L'interessante set di storie IP di SIC MOSFET: Bingfeeling half-bag, Romm Shuanglou, i giardini dei residenti e ge who sdraiato

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2022-03-17 185

Appunti di studio di un dilettante di chip di carburo di silicio. Raccolta di letteratura, novità del settore, guadagni occasionali, stile senza vincoli. L'account ufficiale WeChat appartiene agli appunti di studio personali, solo per hobby personali e non comporta alcuno scopo commerciale. Per favore perdonatemi se nel testo ci sono citazioni irregolari. Gli hobby di alcune persone sono coltivare fiori ed erba, cantare e pescare, mentre ad altri piace scrivere sul blog Twiter in Tik Tok. Negli ultimi anni mi piace leggere occasionalmente libri e spazzolare la carta nei fine settimana per vedere lo sviluppo di materiali e tecnologie di dispositivi all'avanguardia.

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Ho parlato qualche parola sui pettegolezzi sulla doppia causa di Romm sulla proprietà intellettuale e ho scoperto che ci sono parecchi amici interessati. A molti scambi e domande non è possibile rispondere uno per uno. Quindi continua a chattare.

In realtà non c’è molto di cui parlare riguardo a questi brevetti per la struttura delle trincee. Come tutti sappiamo, non c'è modo. Questo è l'inizio precoce del worm, che è simile al sequestro della registrazione del nome di dominio negli anni precedenti.Siamo tutti in ritardo di qualche anno.

Queste strutture di trincea sono tutte strutture di base. A volte sembra una sorta di bellezza speciale. Se guardi da vicino, è particolarmente simmetrico.Immagina di fare una permutazione e combinazione di queste strutture e di ricombinarle nello spazio tridimensionale... non è interessante!

Ecco perché si dice sempre che le tre strutture, "Mezzo pacchetto Fineon, Roma doppia trincea, Sumitomo messa a terra doppia interrata" sono le strutture di base.Non è interessante? ...Sfortunatamente, secondo la legge internazionale sui brevetti, la permutazione e la combinazione non funzionano!Altrimenti, Rohm può facilmente integrare un diodo Schottky accanto alla doppia trincea, così non dovremo andare in tribunale così duramente!

Questa causa sembra essere infinita. Ciò dimostra pienamente anche quanto sia raro il brevetto IP davvero utile della struttura a trincea in carburo di silicio!In particolare, oggigiorno sono sempre più numerosi i dispositivi in carburo di silicio. Molti degli IGBT e CoolMOS originali in silicio vengono trasformati in diodi in carburo di silicio e MOSFET planari, e i prodotti vengono realizzati praticamente in pochi minuti.In questo caso, l'IP della struttura trench in carburo di silicio è prezioso!

Una volta volevo avviare un'impresa. Soprattutto dopo aver gestito una scuola in Schottky Street, penso che dal momento che riesco quasi a finire tutto il lavoro da solo, dalla progettazione del layout all'integrazione e allo sviluppo dei processi, posso trovare dei soldi per provare!Dopo aver letto un po' la storia dello sviluppo e il titolare del brevetto di ciascuna struttura, abbiamo scoperto che ci sono molte somiglianze tra lo sviluppo della struttura del SiC speciale e lo sviluppo della struttura e della tecnologia della settima generazione di IGBT al silicio!

Sorprendentemente, la fonte di molte strutture e processi IP è in realtà GE!Una volta pensavo che non ci fossero problemi di brevetto nel MOS planare, ma ora non ne sono sicuro. Non so quando sarà il momento di leggere tutti quei brevetti della GE e dei gruppi giapponesi!

Inoltre, il Giappone è una battaglia di gruppo, complementare al layout dei brevetti. Molto utile!Ad esempio, pensavo che rispetto al mezzo pacchetto Infineon e al doppio trench di Rohm, l'aggiunta di alcuni materiali e polvere all'IP a doppio interrato di Sumitomo sarebbe stata una buona svolta per l'IP con struttura a trincea. C'è ancora molto da fare. E in futuro non sarà così evidente e facile da denunciare come il mezzo sacchetto e il doppio solco Infenion.Tuttavia, negli ultimi due anni, mentre Rohm era impegnato in una causa legale, si è scoperto che le società giapponesi Denso Fuji RomToyota chiedevano brevetti, ricamando selvaggiamente sulle strutture originali, controllando eventuali difetti e recuperando perdite. È come cercare di costruire qualche edificio più alto nel fossato. Esistono ad esempio diciassette o otto varianti e combinazioni della struttura di messa a terra a doppio interramento.

A settembre di quest'anno, ho sentito che anche Sanan voleva iniziare a sviluppare un MOSFET a trench in carburo di silicio, ma il brevetto della struttura a trench non poteva essere ignorato. Alla fine, ho semplicemente scelto di realizzarne uno per primo. Così ho reclutato un medico direttamente dall'Istituto di Microelettronica di Pechino e ho iniziato a imitare la struttura della trincea.

Non è molto lontano. Volevo solo parlare di GE. Questo è il vero magnate dell'IP in carburo di silicio. Tuttavia, i dispositivi in carburo di silicio rappresentano una piccola impresa per GE e GE ha poco interesse. Persino GE, il produttore di apparecchiature mediche, è troppo pigro per trovare una ragione. È difficile dire quale sia la situazione attuale di GE.

GE si è scissa nelle ultime due settimane. Forse dopo la distribuzione, GE POWER può avviare lentamente una piccola impresa o dispositivi in carburo di silicio.Dopotutto adesso dobbiamo mangiare olandese per cena.

GE dovrebbe essere interessata ai dispositivi ad alta potenza. Dopo la separazione, potrebbe essere necessario disinvestire e reinserirsi nell'elenco. Il SiC è uno strumento prezioso! Lo si può vedere osservando la recente promozione entusiastica dello sviluppo della Cina da parte di GE POWER.

Se GE POWER inizia davvero a essere indipendente e cerca di essere elencata separatamente, allora i chip di potenza e i dispositivi SiC Power dovrebbero essere un buon punto di partenza per un nuovo inizio.

Il momento è perfetto per GE POWER.Si dà il caso che il carburo di silicio sia estremamente caldo e tutti i giocatori ne siano particolarmente ricchi.Forse GE POWER può iniziare a raccogliere porri come Qualcomm e diventare un fornitore IP di POWER.

Per un’impresa centenaria,La storia della separazione è appena iniziata e il futuro sarà brillante, chi lo sa!

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