Hotline usługi
【Codzienne najważniejsze informacje】Mosfety SL18N20 Wydajne rozwiązania w zakresie przełączania zasilania
Niedawno opublikowane dane przez Chińską Akademię Technologii Informacyjnych i Komunikacyjnych (CAICT) pokazały, że w styczniu 2024 r. wolumen dostaw telefonów komórkowych na rynku chińskim osiągnął 31.778 mln sztuk, co oznacza znaczący wzrost o 68.1% w porównaniu z analogicznym okresem ubiegłego roku. Liczba ta nie tylko świadczy o silnym odbiciu chińskiego rynku telefonów komórkowych, ale także podkreśla wysoki popyt konsumentów na nowe typy smartfonów. Na szczególną uwagę zasługuje fakt, że wolumen dostaw smartfonów 5G wzrósł o 59.0% rok do roku, stanowiąc 82.3% całkowitej sprzedaży telefonów komórkowych. Dane te wskazują, że wraz z coraz powszechniejszą adopcją sieci 5G i ciągłymi innowacjami w smartfonach 5G, gwałtownie rośnie zapotrzebowanie konsumentów na szybsze i mniej opóźnione sieci 5G. Na tej fali trendów smartfonów 5G, Slkor Semiconductor (www.slkoric.com) wykorzystuje wyjątkową okazję rozwoju dzięki swojej szerokiej ofercie produktów i wysokiej jakości produktom. Produkty SlkorSemiconductor obejmują różne serie, w tym diody Schottky'ego, diody zabezpieczające przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD), diody tłumiące przepięcia TVS, diody ogólnego przeznaczenia i tranzystory. Ponadto firma produkuje elementy mocy, takie jak tranzystory MOSFET, tyrystory, mostki wysokiego, średniego i niskiego napięcia, a także układy zarządzania energią, takie jak układy LDO, AC-DC i ADC. Produkty te znajdują szerokie zastosowanie nie tylko w dziedzinie komunikacji, ale również odgrywają ważną rolę w smartfonach 5G, zapewniając niezawodną i stabilną pracę smartfonów 5G.
SL18N20 firmy Slkor Semiconductor to krzemowy tryb wzmocnienia kanału N VDMOSFET, opracowany przy użyciu technologii samonastawnej planarnej w celu zmniejszenia strat przewodzenia, poprawy wydajności przełączania i zwiększenia energii lawinowej. Ten doskonały produkt tranzystorowy ma szeroki zakres zastosowań w różnych obwodach przełączników zasilania, zapewniając kluczowe wsparcie dla miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
Parametry tranzystora SL18N20 świadczą o jego wyjątkowej wydajności w dziedzinie przełączników mocy. Jako tranzystor MOSFET z kanałem N, charakteryzuje się napięciem dren-źródło (Vdss) wynoszącym 200 V i ciągłym prądem drenu (Id) wynoszącym 18 A, przy stratach mocy (Pd) sięgających 104 W. W stanie włączenia, jego rezystancja w stanie włączenia (RDS(on)@Vgs,Id) wynosi 120 mΩ@10 V, 9 A, a napięcie progowe (Vgs(th)@Id) wynosi 3.0 V@250 μA, w obudowie TO-220-3L. Parametry te wskazują, że SL18N20 może pracować stabilnie w środowiskach wysokiego napięcia i prądu, zapewniając solidne wsparcie dla systemów przełączania mocy. Oprócz doskonałych parametrów, SL18N20 charakteryzuje się również niskimi stratami mocy. Oznacza to, że może zmniejszyć zużycie energii w trakcie pracy, poprawić ogólną wydajność systemu i zapewnić większy potencjał oszczędzania energii w różnych scenariuszach zastosowań.
Jeśli chodzi o zastosowania, SL18N20 może być szeroko stosowany w obwodach przełączników zasilania, zasilaczach bezprzerwowych (UPS), korekcji współczynnika mocy (PFC) i innych scenariuszach. W obwodach wyłącznika zasilania może stabilnie wykonywać operacje przełączania wysokiej częstotliwości, spełniając zapotrzebowanie systemu na dynamiczną reakcję i wysoką wydajność konwersji. W dziedzinie zasilaczy UPS i PFC jego stabilna i niezawodna praca może zapewnić ciągłe wsparcie zasilania systemów, zapewniając bezpieczną pracę sprzętu i maksymalizując wykorzystanie energii elektrycznej.
Podsumowując, SL18N20 firmy Slkor, dzięki wydajnemu rozwiązaniu przełącznika zasilania, zapewni wyższą wydajność konwersji energii i bardziej niezawodne wsparcie zasilania w różnych scenariuszach zastosowań. Slkor Semiconductor będzie w dalszym ciągu wprowadzać nowe produkty, odgrywając większą rolę w takich dziedzinach, jak inteligentna elektronika, sterowanie przemysłowe i nowa energia, pomagając branżom w kierunku bardziej inteligentnej i wydajnej przyszłości.




粤公网安备44030002007346号