Hotline usługi
Produkty
Produkty
1N5817WS Dioda prostownicza Schottky'ego SOD-323
Vr: 20 V
Io: 1A
Napięcie: 750mV
Ir: 1mA przy 20V
Nasze atuty
- Ultraszybka prędkość przełączania z niemal zerowym czasem odzyskiwania po odwróceniu, skutecznie tłumiąca szum przełączania i skoki napięcia w obwodach o wysokiej częstotliwości.
- Niski spadek napięcia przewodzenia wynoszący zaledwie 750 mV przy chwilowym natężeniu prądu 3 A, co minimalizuje straty cieplne i zwiększa wydajność przetwarzania energii w urządzeniach przenośnych zasilanych bateryjnie.
- Doskonałe parametry przeciwprzepięciowe z tolerancją szczytowego prądu udarowego 9A, możliwość radzenia sobie z chwilowym prądem udarowym z kondensatorów i mikrosilników.
- Bardzo niski prąd upływu wstecznego przy znamionowym napięciu wstecznym, zmniejszający zużycie energii w trybie czuwania i wydłużający żywotność akumulatora.
- Szeroki zakres temperatur pracy (-55℃ ~ +125℃) i stabilne parametry elektryczne w ekstremalnych temperaturach.
- Standardowa obudowa SOD do montażu powierzchniowego, kompaktowy rozmiar, odporność na wilgoć i ciepło, pełna zgodność z RoHS i kompatybilność z automatycznym, szybkim montażem SMT.
- Surowa, wieloetapowa kontrola jakości obejmująca przesiewanie płytek, starzenie i cykle wysokich i niskich temperatur w celu zagwarantowania długoterminowej stabilności operacyjnej.
OPIS
1N5817WS to dioda Schottky'ego do montażu powierzchniowego, opracowana przez firmę Slkor, wykorzystująca dopracowaną technologię produkcji barier metalowo-półprzewodnikowych. Zaprojektowana do małych systemów elektronicznych o niskim napięciu i mocy, o znamionowym napięciu wstecznym 20 V i średnim prądzie prostowania 1 A, stanowi idealny element rdzeniowy do obwodów prostowniczych, wolnobiegunowych i zabezpieczających przed odwrotną polaryzacją.
W odróżnieniu od tradycyjnych diod złączowych PN, ta dioda Schottky'ego wykorzystuje przewodnictwo nośników większościowych, aby wyeliminować efekt magazynowania ładunku, zapewniając natychmiastowe przełączanie bez dodatkowych strat wysokoczęstotliwościowych i zakłóceń elektromagnetycznych. Dzięki zrównoważonym parametrom elektrycznym i niezawodnej obudowie, idealnie wpisuje się w trend rozwoju lekkiego, energooszczędnego i wysokoczęstotliwościowego mikrosprzętu inteligentnego, szeroko stosowanego w elektronice użytkowej, mini modułach mocy, mikrosterowaniu napędami i miniaturowych urządzeniach nowej energii.
Udogodnienia
- Czas odzyskiwania sygnału zwrotnego bliski zeru, zoptymalizowany pod kątem zastosowań przełączania o wysokiej częstotliwości
- Niski spadek napięcia przewodzenia, ograniczający straty mocy i wytwarzanie ciepła przez urządzenie
- Powtarzalne napięcie wsteczne 20 V, wystarczający margines napięcia dla obwodów niskonapięciowych 5 V/12 V
- Prąd prostowany ciągły 1A, pojemność niepowtarzalnego szczytowego prądu udarowego 9A
- Niski prąd upływu wstecznego (1 mA przy 20 V) w celu zmniejszenia poboru mocy statycznej
- Zakres temperatury roboczej: -55℃ do +125℃
- Standardowa obudowa SOD do montażu powierzchniowego z tworzywa sztucznego, mała powierzchnia do układów PCB o dużej gęstości
- Zgodność z dyrektywą RoHS, brak ołowiu, nadaje się do zautomatyzowanej produkcji masowej
- Wysoka odporność na wahania temperatury i przejściowe skoki napięcia
Zastosowania
- Noszona elektronika użytkowa: prostowanie mocy i zabezpieczenie przed odwrotnym podłączeniem do słuchawek Bluetooth, inteligentnych opasek, inteligentnych zegarków i zabawek elektrycznych
- Miniaturowe moduły zasilania: układy buck-boost DC-DC, miniaturowe adaptery USB, płytki zarządzające ładowaniem akumulatorów litowych
- Obwody zabezpieczające napęd i bieg jałowy: małe przekaźniki, mikrosilniki prądu stałego i zawory elektromagnetyczne do pochłaniania siły elektromotorycznej
- Mikronowe urządzenia energetyczne: Małe moduły ładowania do magazynowania energii fotowoltaicznej
- Miniaturowe akcesoria samochodowe: Oświetlenie ambientowe samochodu, ładowarki USB do pojazdów
- Przenośne przyrządy pomiarowe: Pętle prostownicze niskiego napięcia przenośnych urządzeń wykrywających
Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie
1N5817W Prostowniki barierowe Schottky’ego SOD-123
Marka: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1N5819W Prostowniki barierowe Schottky’ego SOD-123
Marka: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 0.45V IR： 1mA Package： SOD-123
1SS357 Diody barierowe Schottky'ego SOD-323
Marka: slkor， IO： 0.2A VR(V)： 70V VF(V)： 0.47V@1mA IR： 0.1uA@50V Package： SOD-323
B0530WS Prostowniki barierowe Schottky’ego SOD-323
Marka: slkor， IO： 0.5A VR(V)： 30V VF(V)： 0.36V@0.1A IR： 75uA@15V Package： SOD-323
B0540WS Prostowniki Schottky'ego SOD-323
Marka: slkor， IO： 500mA VR(V)： 40V VF(V)： 620mV@1A IR： 20μA@40V Package： SOD-323
B5817W Diody Schottky'ego mocy SOD-123FL
Marka: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V@1A IR： 1μA@20V Package： SOD-123FL
B5817WS Diody barierowe Schottky'ego SOD-323
Marka: slkor， IO： 1A VR(V)： 20V VF(V)： 0.45V@1A IR： 1mA@20V Package： SOD-323
B5819W Diody barierowe Schottky'ego SOD-123
Marka: slkor， IO： 1A VR(V)： 40V VF(V)： 900mV@3A IR： 1mA@40V Package： SOD-123
B5819WT Diody Schottky'ego SOT-523
Marka: slkor， IO： 350mA VR(V)： 40V VF(V)： 600mV@200mA IR： 5μA@30V Package： SOT-523
BAS40-04 Epitaksjalny tranzystor krzemowy SOT-23
Marka: slkor， IO： 200mA VR(V)： 40V VF(V)： 1V@40mA IR： 200nA@30V Package： SOT-23
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Potrzebujesz pomocy? Zeskanuj kod telefonem, aby rozpocząć czat na WhatsAppie.
粤公网安备44030002007346号