Горячая линия
● Технология Trench Power LV MOSFET
● Конструкция ячейки высокой плотности для низкого уровня RDS(ON).
● Высокоскоростное переключение.
Наши преимущества
Китайские производственные процессы претерпели годы итераций, в результате чего появились зрелые и надежные технологии. Многие международные корпорации выбирают аутсорсинг производства в Китае. Как производитель электронных компонентов в Китае, наша продукция может полностью заменить продукцию крупных международных брендов в 99% случаев без необходимости проведения испытаний. Наша продукция отличается высоким качеством, разумными ценами, достаточным запасом, гибкой поставкой, короткими сроками поставки и профессиональным послепродажным обслуживанием.
Общее описание
МОП-транзистор расширения P-канала FDN306P разработан для обеспечения надежной работы в приложениях с отрицательным напряжением и помещен в компактный корпус SOT-23. Этот МОП-транзистор оптимизирован для высокоэффективного переключения и минимальных потерь мощности, что делает его идеальным выбором для различных электронных схем, работающих с отрицательным напряжением.
Особенности
● Технология Trench Power LV MOSFET
● Конструкция ячейки высокой плотности для низкого RDS(ON)
● Высокоскоростное переключение.
Области применения
● Защита аккумулятора
● Переключатель нагрузки
● Управление питанием
Поддержка
Если вам требуется техническая поддержка или помощь в проектировании, пожалуйста, сообщите нам об этом, заполнив форму обратной связи. Мы свяжемся с вами в кратчайшие сроки.
Долговечность
Программа долгосрочного обслуживания призвана периодически информировать наших клиентов о предполагаемом времени, когда наши продукты можно будет заказать. Программа регулярно пересматривается и обновляется нашей командой высшего руководства. Ознакомиться с программой долгосрочного обслуживания можно здесь.















