Горячая линия обслуживания
Продукты
Продукты
SiC МОП-транзистор
Импеданс дрейфового слоя карбидокремниевых (SiC) приборов ниже, чем у кремниевых (Si) приборов, что позволяет достичь высокого пробивного напряжения и низкого импеданса с помощью структуры MOSFET без модуляции проводимости. Кроме того, MOSFET в принципе не генерируют хвостовой ток, что позволяет значительно снизить коммутационные потери и добиться миниатюризации компонентов рассеивания тепла при замене IGBT на SiC-MOSFET. Помимо этого, рабочая частота SiC-MOSFET может быть значительно выше, чем у IGBT, что уменьшает размеры индуктивных и емкостных компонентов цепи, облегчая реализацию малогабаритной и легкой системы. По сравнению с Si-MOSFET того же класса напряжения 600–900 В, площадь кристалла SiC-MOSFET мала, что позволяет использовать корпуса меньшего размера, а потери на восстановление встроенного диода крайне низки. В настоящее время SiC MOSFET в основном применяются в высококлассных промышленных источниках питания, высококлассных инверторах и преобразователях, а также в высококлассных системах привода и управления двигателями.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Линейки продуктов SLKOR включают дискретные устройства, такие как диоды, транзисторы, силовые устройства; и интегральные схемы, такие как линейные стабилизаторы, микросхемы DC/DC, интерфейсные микросхемы, датчики Холла, АЦП и BMS... У нас есть многолетний накопленный опыт в области специализированных полупроводников.
Нужна помощь? Отсканируйте код телефоном, чтобы начать чат в WhatsApp.
粤公网安备44030002007346号