Горячая линия
Продукты
Продукты
SiC МОП-транзистор
Импеданс дрейфового слоя устройств SiC из карбида кремния ниже, чем у устройств Si, а высокое выдерживаемое напряжение и низкий импеданс могут быть достигнуты с помощью структуры MOSFET без модуляции проводимости. Более того, МОП-транзисторы в принципе не генерируют хвостовой ток, благодаря чему можно существенно снизить коммутационные потери и достичь миниатюризации компонентов тепловыделения при замене IGBT на SiC-MOSFET. Кроме того, рабочая частота SiC-MOSFET может быть намного выше, чем у IGBT, его части конденсатора индуктора меньше, что позволяет легко реализовать систему небольшого размера и веса. По сравнению с тем же Si-MOSFET с напряжением 600 В ~ 900 В, площадь чипа SiC-MOSFET невелика, его можно использовать в небольших корпусах, а потери на восстановление корпуса диода очень малы. В настоящее время SiC MOSFET в основном используются в высокотехнологичных промышленных источниках питания, высокотехнологичных инверторах и преобразователях, высокотехнологичных двигателях для сопротивления и управления и т. д.
SL19N120A МОП-транзистор высокого напряжения TO-247-3
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N -width
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N -width |
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Ассортимент продукции SLKOR включает дискретные устройства, диоды, транзисторы, силовые приборы; а также интегральные схемы, линейные регуляторы, микросхемы DC/DC, интерфейсные микросхемы, датчики Холла, АЦП и BMS... Мы обладаем многолетним опытом и технологиями в специализированной полупроводниковой отрасли.
Нужна помощь? Отсканируйте код телефоном, чтобы начать общение в WhatsApp.
粤公网安备44030002007346号