Продукты
Продукты
SiC диод Шоттки Благодаря структуре высокочастотного диода Шоттки с барьером, SiC SBD обеспечивает высокое напряжение свыше 600 В, тогда как максимальное рабочее напряжение кремниевого SBD составляет всего около 200 В, а его падение напряжения в открытом состоянии значительно ниже, чем у кремниевого быстровосстанавливающегося диода. Время обратного восстановления меньше, следовательно, потери при выключении ниже, что приводит к снижению электромагнитных помех (EMI). Использование SiC SBD для замены основного продукта — кремниевого быстровосстанавливающегося диода FRD — позволяет значительно снизить общие потери, повысить эффективность источника питания, а за счет работы на высокой частоте достичь миниатюризации пассивных компонентов, таких как катушки индуктивности и конденсаторы, при этом электромагнитные помехи (EMI) также ниже. Карбидокремниевые SBD могут широко применяться в кондиционерах, источниках питания, инверторах в системах фотоэлектрической генерации, системах привода электродвигателей для электромобилей и быстрых зарядных устройствах.
whatsapp

Горячая линия обслуживания

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950