รายงาน "ตลาด RF แกลเลียมไนไตรด์ปี 2021: การใช้งาน ผู้เล่นหลัก เทคโนโลยี และวัสดุรองรับ" จาก Yole คาดการณ์ว่าตลาดอุปกรณ์ RF แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) จะเติบโตในอัตราการเติบโตเฉลี่ยต่อปี (CAGR) ที่ 18% จาก 891 ล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2020 เป็นมากกว่า 2.4 พันล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2026
ตลาดจะถูกครอบงำโดยแอปพลิเคชันด้านการป้องกันประเทศและโครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม 5G โดยคิดเป็น 49% และ 41% ของตลาดโดยรวมตามลำดับภายในปี 2026 โดยเฉพาะอย่างยิ่ง กลุ่มผลิตภัณฑ์มาโคร/ไมโครเซลลูลาร์ที่ใช้ GaN จะครองส่วนแบ่งมากกว่า 95% ของตลาดโครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม GaN ในปี 2026  Compared with the first generation (silicon-based) semiconductors, the third generation semiconductors have a large band gap, high electrical conductivity, and high thermal conductivity. They have the characteristics of high critical breakdown electric field, high electron mobility, and good frequency characteristics. Gallium Nitride (Gallium Nitride; GaN) is the most representative third-generation semiconductor material and has become one of the preferred materials for high-temperature, high-frequency, and high-power microwave devices. It is the material system with the highest theoretical electro-optical and photoelectric conversion efficiency so far. Excellent characteristics of gallium nitride:

ปัจจุบัน อุปกรณ์ GaN สองในสามถูกนำไปใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทางการทหาร เช่น การสื่อสารทางทหาร อิเล็กทรอนิกส์ การรบกวน เรดาร์ และสาขาอื่นๆ ในขณะที่ในภาคพลเรือน แกลเลียมไนไตรด์ส่วนใหญ่ใช้ในสถานีฐานการสื่อสาร อุปกรณ์ไฟฟ้า และสาขาอื่นๆ

In the next five years, electronic devices based on third-generation semiconductor materials will be widely used in 5G base stations, new energy vehicles, UHV, data centers and other scenarios.

       

เทคโนโลยี RF GaN

มันเข้ากันได้อย่างลงตัวกับ 5G

ช่องว่างพลังงานของแกลเลียมไนไตรด์คือ 3.4 อิเล็กตรอนโวลต์ ในขณะที่ช่องว่างพลังงานของซิลิคอน ซึ่งเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันมากที่สุดในปัจจุบัน คือ 1.12 อิเล็กตรอนโวลต์ ดังนั้น แกลเลียมไนไตรด์จึงมีประสิทธิภาพดีกว่าชิ้นส่วนซิลิคอนในอุปกรณ์กำลังสูงและความเร็วสูง
แกลเลียมไนไตรด์เป็นที่รู้จักกันดีในด้านความสามารถในการประมวลผลกำลังสูง เป็นวัสดุขยายสัญญาณที่นิยมใช้ในอุปกรณ์สื่อสารไร้สาย เช่น สถานีฐาน เรดาร์ และอุปกรณ์การบิน และยังถูกใช้ในระบบสื่อสาร 4G มานานหลายปีแล้ว ในระบบสื่อสารเคลื่อนที่ 5G อัตราการส่งข้อมูลของสถานีฐานและโทรศัพท์มือถือเร็วกว่า 4G และการใช้คลื่นความถี่ของเทคโนโลยีการมอดูเลชั่นก็สูงขึ้น ซึ่งทำให้มีความต้องการส่วนประกอบและโมดูลด้านหน้าของคลื่นความถี่วิทยุสูงขึ้น นอกจากนี้ แกลเลียมไนไตรด์ยังมีความไวต่อรังสีแม่เหล็กไฟฟ้าต่ำ และส่วนประกอบแกลเลียมไนไตรด์มีความเสถียรสูงในสภาพแวดล้อมที่มีรังสี เมื่อเทียบกับทรานซิสเตอร์แกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์สามารถทำงานได้ที่อุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าสูงกว่ามาก ทำให้เป็นส่วนประกอบขยายกำลังความถี่ไมโครเวฟที่เหมาะสม ในฐานะวัสดุเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม แกลเลียมไนไตรด์ได้รับการวิจัยและนำไปใช้มานานกว่า 20 ปี แต่เพิ่งในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมานี้เองที่โอกาสในการพัฒนาเชิงพาณิชย์เริ่มปรากฏให้เห็น 5G เป็นหนึ่งในแรงผลักดันหลักอย่างไม่ต้องสงสัย ส่วนหน้าของคลื่นความถี่วิทยุในการสื่อสาร 5G มีข้อกำหนดที่เข้มงวดสำหรับความถี่สูงและประสิทธิภาพสูง ซึ่งเป็นจุดที่แกลเลียมไนไตรด์เข้ามามีบทบาท นอกจากนี้ ความต้องการการชาร์จที่รวดเร็วและมีประสิทธิภาพสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์พกพาจะผลักดันให้ส่วนประกอบพลังงานแกลเลียมไนไตรด์เข้าสู่ตลาดมวลชน และค่อยๆ แทนที่ส่วนประกอบพลังงานซิลิคอนแบบดั้งเดิม

▲Comparison chart of RF power transistors with different material systems

▲โครงสร้างอุปกรณ์ GaNHEMT▌กำลังขับสูงและประสิทธิภาพเพิ่มเติมสูง  

GaN material systems are easy to form heterojunction material systems such as AlGaN/GaN. There are extremely strong spontaneous polarization and piezoelectric polarization effects on the heterojunction interface. The induced two-dimensional electron gas concentration is very high and has an electron mobility of up to 2000cm2/V·s. Therefore, transistors based on GaN heterostructures are also called high electron mobility transistors, namely GaNHEMT (HighElectronMobilityTransistor). At the same time, the breakdown field strength of GaN material is high, several times higher than that of Si and GaAs; the thermal conductivity of the SiC semi-insulating substrate used in GaNHEMT devices is better than that of metallic copper, and its good heat dissipation characteristics are conducive to high-power operation; GaNHEMT also has the characteristics of low parasitic capacitance and high breakdown voltage, which is very suitable for realizing high-efficiency power amplifiers (PA, PowerAmplifier).

▌ความกว้างพัลส์ยาว อัตราการทำงานสูง  

โดยทั่วไป GaNHEMT จะถูกปลูกแบบเอพิแท็กเซียลบนพื้นผิว SiC ซึ่งเป็นวัสดุที่มีช่องว่างพลังงานกว้างและเป็นสารกึ่งฉนวน การควบคุมความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าของ GaNHEMT อย่างเหมาะสมจะช่วยให้ได้พัลส์ที่มีความกว้างยาว รอบการทำงานสูง และสามารถใช้งานในโหมดคลื่นต่อเนื่องกำลังสูงได้อย่างง่ายดาย

▌แบนด์วิดท์ความถี่ในการทำงาน ความถี่สูง  

ความถี่ตัดของ GaNHEMT เป็นตัวกำหนดความถี่ในการทำงานและแบนด์วิดท์ทันทีของการใช้งานโดยตรง โดยจะเพิ่มขึ้นเมื่อความเข้มข้นของการเจือสารในช่องสัญญาณเพิ่มขึ้น และลดลงเมื่อความหนาของช่องสัญญาณและความยาวของเกตเพิ่มขึ้น เนื่องจากข้อจำกัดของพลังงานแถบต้องห้ามของวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ Si ความถี่ตัดจึงต่ำ ดังนั้นความถี่ในการทำงานของอุปกรณ์กำลังไฟฟ้าเซมิคอนดักเตอร์ Si จึงสามารถทำงานได้เฉพาะต่ำกว่าย่าน S เท่านั้น อุปกรณ์ GaAs มีความคล่องตัวของพาหะที่ดีกว่าอุปกรณ์อื่นๆ มากและมีความถี่ตัดสูง อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์เหล่านี้มีข้อจำกัดด้านความแข็งแรงของสนามพังทลายและมีแรงดันไฟฟ้าในการทำงานต่ำ ส่งผลให้กำลังเอาต์พุตของอุปกรณ์ต่ำ GaNHEMT มีคุณสมบัติเด่นคือ พลังงานช่องว่างแถบกว้าง ความแข็งแรงของสนามพังทลายสูง และความเร็วการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิ่มตัวสูง ซึ่งชดเชยข้อบกพร่องนี้และให้ประสิทธิภาพความถี่สูงที่ดี GaNHEMT สามารถทำงานที่ความถี่สูงขึ้นและในขณะเดียวกันก็มีกำลังเอาต์พุตสูง นอกจากนี้ คุณสมบัติโดยธรรมชาติของ GaNHEMT ยังทำให้ค่าอิมพีแดนซ์อินพุตและเอาต์พุตสูงขึ้น และการจับคู่อิมพีแดนซ์แบบบรอดแบนด์ของวงจรทำได้ง่ายกว่า ทำให้ GaNHEMT เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันแบบบรอดแบนด์

▲ช่วงความถี่กำลังไฟฟ้าของอุปกรณ์ RF ในระบบวัสดุที่แตกต่างกัน▌ทนทานต่อรังสีสูงและปรับตัวเข้ากับสภาพแวดล้อมได้ดี  

GaN เป็นสารประกอบที่มีความเสถียรสูงมาก มีพันธะอะตอมที่แข็งแรง มีค่าการนำความร้อนสูง มีระดับการแตกตัวเป็นไอออนสูงสุดในบรรดาสารประกอบ III-V และมีความเสถียรทางเคมีที่ดี ทำให้ GaN ทนต่อรังสีได้ดีกว่า Si และ GaAs ในขณะเดียวกัน GaN ก็เป็นวัสดุที่มีจุดหลอมเหลวสูงและมีค่าการนำความร้อนสูง อุปกรณ์ไฟฟ้า GaN มักใช้ SiC ซึ่งมีค่าการนำความร้อนที่ดีกว่าเป็นวัสดุรองรับ ดังนั้นอุปกรณ์ไฟฟ้า GaN จึงมีอุณหภูมิรอยต่อสูงกว่าและสามารถทำงานได้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง

พารามิเตอร์	Si	GaAs	กาน
ความกว้างของช่องว่างพลังงาน (eV)	1.1	1.4	3.4
ค่าคงที่ไดอิเล็กทริก	11.8	12.8	9.0
ความแรงสนามไฟฟ้าที่ทำให้เกิดการแตกตัว (106⁶V/cm)	0.6	0.7	3.5
ค่าการนำความร้อน (วัตต์/ซม.เคลวิน)	1.3	0.5	1.3
ความคล่องตัวของอิเล็กตรอน (cm²/Vs)	1450	8500	900
ความเร็วอิเล็กตรอนอิ่มตัว (107 ซม./วินาที)	1.0	2.0	2.7

▲Key properties of main semiconductor materials

อุปกรณ์ RF GaN

ในการใช้งานต่างๆข้อดีของประสิทธิภาพ

Mobile communication base stations are one of the main applications of GaN radio frequency devices. Compared with 4G, the communication frequency band of 5G has migrated to high-frequency bands. At present, my country's 4G network communication frequency band is mainly 2.6GHz. In 2017, the Ministry of Industry and Information Technology released a frequency usage plan for 5G systems in the 3-5GHz frequency band (mid-frequency band). In the future, high-frequency bands above 6GHz will be gradually added as capacity coverage.

เมื่อเปรียบเทียบกับ SiLDMOS และ GaAs แล้ว อุปกรณ์ RF ที่ใช้ GaN ในสถานีฐานสามารถตอบสนองความต้องการด้านกำลังสูง แถบความถี่การสื่อสารสูง และประสิทธิภาพสูงของ 5G ได้อย่างมีประสิทธิภาพมากกว่า แม้ว่า SiLDMOS จะสามารถให้กำลังสูงได้ แต่ในแง่ของความถี่นั้น จะมีประสิทธิภาพเฉพาะในช่วงคลื่นความถี่ไม่เกิน 3.5GHz เท่านั้น ในขณะที่แม้ว่าความถี่ของเครื่องขยายกำลัง GaAs จะเพิ่มขึ้นได้ แต่ก็ด้อยกว่าอุปกรณ์ GaN อย่างมากในแง่ของกำลังเอาต์พุต ดังนั้น ในแง่ของการสื่อสาร 5G ที่ต้องการกำลังสูง ความถี่สูง และแบนด์วิดท์กว้าง เครื่องขยายกำลัง GaN จึงเป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับสถานีฐาน

▌Military Applications – Advantages of Gallium Nitride in Radar and Electronic Warfare Systems  

ตลาดที่ใหญ่ที่สุดสำหรับอุปกรณ์แกลเลียมไนไตรด์ความถี่วิทยุในปัจจุบันอยู่ในภาคการทหารและอวกาศ เมื่อประมาณสิบห้าปีก่อน ด้วยเงินทุนสนับสนุนจากกระทรวงกลาโหมสหรัฐฯ นักวิจัยเริ่มลงทุนในเทคโนโลยีแกลเลียมไนไตรด์ความถี่วิทยุ ซึ่งก่อให้เกิดตลาดอุปกรณ์แกลเลียมไนไตรด์ความถี่วิทยุในปัจจุบัน

According to statistics from Strategy Analytics, defense and aerospace applications account for 40% of the total market size of RF gallium nitride, and radar and electronic warfare systems are the largest application markets for RF gallium nitride.

In March 2017, Raytheon announced that its Patriot missile defense system adopted the latest antenna system based on gallium nitride technology. Patriot Missile Defense is a land-based missile defense system capable of intercepting ballistic missiles, drones and aircraft.

▲Patriot missile

เทคโนโลยีเรดาร์ที่ใช้ในระบบแพทริออตแบบเก่าเรียกว่า อาร์เรย์สแกนอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (Passive Electronically Scanned Array) ระบบเรดาร์ใหม่ได้เปลี่ยนเป็น อาร์เรย์สแกนอิเล็กทรอนิกส์แบบแอคทีฟ (Active Electronically Scanned Array หรือ AESA) อาร์เรย์สแกนอิเล็กทรอนิกส์แบบแอคทีฟนี้จะทำให้ระบบแพทริออตมีขีดความสามารถในการตรวจจับ 360 องศา

"เรย์ธีออนเชื่อว่าการอัพเกรดไปใช้เรดาร์แบบ Active Electronically Scanned Array (AESA) ที่ใช้เทคโนโลยีแกลเลียมไนไตรด์ จะช่วยให้ระบบแพทริออตยังคงรักษาความได้เปรียบในการต่อต้านอาวุธโจมตีรุ่นใหม่ๆ ได้" ทิม เกลเซอร์ รองประธานฝ่ายพัฒนาธุรกิจของเรย์ธีออน แอร์ แอนด์ มิสไซล์ อินทิเกรเต็ด ดีเฟล็ก กล่าว

เรดาร์แบบ Active Electronically Scanned Array (AESA) ใช้เทคโนโลยี Phased Array เป็นพื้นฐาน อุปกรณ์ Phased Array ประกอบด้วยกลุ่มเสาอากาศที่สามารถควบคุมได้ทีละตัว โดยใช้เทคโนโลยี Beamforming ทำให้สามารถหันกลุ่มเสาอากาศไปในทิศทางต่างๆ ได้

เป็นที่น่าสังเกตว่าเทคโนโลยีเหล่านี้กำลังเปลี่ยนจากการใช้งานทางทหารไปสู่การใช้งานเชิงพาณิชย์ ตัวอย่างเช่น เทคโนโลยีอาร์เรย์สแกนอิเล็กทรอนิกส์แบบแอคทีฟและอาร์เรย์เฟสถูกนำไปใช้ในเทคโนโลยี Wi-Fi คลื่นมิลลิเมตร 60GHz ระบบเรดาร์ในรถยนต์ และสถานีฐานไร้สาย นอกจากนี้ เทคโนโลยีอาร์เรย์เฟสจะถูกนำมาใช้อย่างแพร่หลายใน 5G ด้วย

ในขณะเดียวกัน เครื่องขยายกำลังที่ผลิตด้วยเทคโนโลยีแกลเลียมไนไตรด์ก็ถูกนำไปใช้ในวิทยุพกพาทางทหารสำหรับการสื่อสารแบบจุดต่อจุดด้วยเช่นกัน

▌การประยุกต์ใช้งานเชิงพาณิชย์ - ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพของแกลเลียมไนไตรด์ในการจัดการพลังงาน  

แกลเลียมไนไตรด์เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานกว้าง (WBG) ซึ่งช่วยให้ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูงสามารถทำงานที่แรงดัน ความถี่ และอุณหภูมิสูงกว่าวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนแบบดั้งเดิม ในการใช้งานด้านการจัดการพลังงาน ข้อดีของแกลเลียมไนไตรด์ ได้แก่:

• The conduction loss is small and the energy efficiency is high. The on-resistance (Rds,on) of gallium nitride transistors is half that of traditional silicon components, resulting in smaller losses and higher energy efficiency at the same output current. Low loss also means low heat generation, which can effectively simplify the design of heat dissipation components and thermal management systems;

• ทรานซิสเตอร์แกลเลียมไนไตรด์ไม่มีไดโอดภายใน และไม่มีการสูญเสียจากการฟื้นตัวย้อนกลับ

• The input charge of GaN transistors is very small and there is almost no gate drive loss;

• Gallium nitride power components can support higher switching frequencies (gallium nitride: 1MHz, silicon: <100KHz), thereby reducing the size of passive components;

• ส่วนประกอบแกลเลียมไนไตรด์มีความหนาแน่นพลังงานสูงมาก ซึ่งสามารถสูงกว่า LDMOS ที่ใช้ซิลิคอนถึงสี่เท่า ทำให้สามารถเพิ่มกำลังเอาต์พุตได้ในขณะที่ลดขนาดลง

  
  

     

Chen Qingyuan, senior marketing manager of Infineon's Greater China Power Management and Multi-electronics Division, compared the advantages and disadvantages of gallium nitride and SiC, which are both third-generation semiconductor materials. Both have fast switching performance and help improve efficiency, but gallium nitride has lower losses than silicon.

Further comparison in application scenarios shows that in high-power and higher-voltage application scenarios, SiC shows good maturity and cost-effectiveness; while in low- and medium-voltage applications of 100V to 600V, gallium nitride can achieve higher cost-effectiveness. From a structural point of view, gallium nitride is a lateral structure (such as JFET), and it is difficult to achieve the high voltage capability of SiCMOSFET (vertical structure).

Gallium nitride is more attractive for switches that are inherently normally off and represents the successor technology to all silicon transistors used to date. In addition, from an overall system perspective, the advantage of GaN is that it can make the topology more compact.

ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ CoolGaN ที่พัฒนาโดย Infineon เป็นทรานซิสเตอร์ความคล่องตัวสูงของอิเล็กตรอนแบบโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ (E-HEMT) ที่ใช้แกลเลียมไนไตรด์ ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสวิตช์ความถี่สูงภายใต้แรงดันไฟฟ้าสูง ช่วยให้ได้ดีไซน์ที่บางลงและเพิ่มความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าได้มากขึ้น ส่งผลให้ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานดีขึ้นและลดต้นทุนของระบบโดยรวมลงได้

ยง อัง ผู้อำนวยการฝ่ายการตลาดเชิงกลยุทธ์ของ ON Semiconductor อธิบายเพิ่มเติมว่า ชิ้นส่วนแกลเลียมไนไตรด์มีค่าความจุปรสิตต่ำกว่าชิ้นส่วนซิลิคอน ดังนั้นจึงสามารถลดการสูญเสียจากการสวิตช์ที่เกี่ยวข้องกับประจุเกต Qg และเพิ่มความถี่ในการสวิตช์ให้อยู่ในช่วงหลายร้อยกิโลเฮิร์ตซ์ถึงเมกะเฮิร์ตซ์โดยไม่ลดประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

แตกต่างจากชิ้นส่วนกำลังไฟฟ้าที่ทำจากซิลิคอน แกลเลียมไนไตรด์ไม่มีไดโอดภายในตัว ก๊าซอิเล็กตรอนสองมิติ (2DEG) บนพื้นผิวรอยต่อระหว่างอะลูมิเนียมแกลเลียมไนไตรด์ (AlGaN) กับแกลเลียมไนไตรด์สามารถนำกระแสย้อนกลับได้ แต่ไม่มีประจุกู้คืนย้อนกลับ (QRR) ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานสวิตช์แบบแข็ง (hard switching)

เนื่องจากแกลเลียมไนไตรด์มีความไวต่อแรงดันเกินและมีความสามารถในการเกิดกระแสไหลวนจำกัดมากเมื่อเทียบกับซิลิคอน จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับวงจรแบบฮาล์ฟบริดจ์ ซึ่งแรงดันระหว่างเดรนและซอร์สถูกจำกัดไว้ที่แรงดันราง แกลเลียมไนไตรด์มีความน่าสนใจอย่างมากในวงจรแบบสวิตช์แรงดันศูนย์ (ZVS) เช่น LLC แบบเรโซแนนซ์, ฟลายแบ็กแบบแอคทีฟแคลมป์ และ PFC แบบโทเทมโพลแบบสวิตช์แข็ง

▲วิวัฒนาการของเทคโนโลยีอุปกรณ์คลื่นความถี่วิทยุหลักในสาขาการใช้งานต่างๆ

อุปกรณ์ GaN RF ทั่วโลก

ภาพรวมการแข่งขันในห่วงโซ่อุตสาหกรรม

ในปัจจุบัน ตลาดหลักสำหรับอุปกรณ์คลื่นความถี่วิทยุมีดังนี้: ตลาดโทรศัพท์มือถือและโมดูลการสื่อสาร คิดเป็นประมาณ 80%; ตลาดเราเตอร์ Wi-Fi คิดเป็นประมาณ 9%; ตลาดสถานีฐานการสื่อสาร คิดเป็นประมาณ 9%; และตลาด NB-IoT คิดเป็นประมาณ 2%

▌บริษัทสำคัญและความก้าวหน้าของผลิตภัณฑ์ในห่วงโซ่อุตสาหกรรมอุปกรณ์คลื่นความถี่วิทยุ GaN ในต่างประเทศ  

The launch of GaN microwave RF device products has accelerated significantly. Although the field of microwave radio frequency has attracted much attention at present, due to the high technical level and excessive patent barriers, there are not many companies in this field compared to the power electronics and optoelectronics fields, but most of them have strong scientific research strength and market operation capabilities. The commercial supply of GaN microwave RF devices is growing rapidly.

ผลิตภัณฑ์ของ Qorvo มีช่วงความถี่ในการทำงานที่กว้างที่สุด ในขณะที่ผลิตภัณฑ์ของ Skyworks มีช่วงความถี่ในการทำงานที่แคบกว่า กำลังขับของผลิตภัณฑ์ 73% จาก Qorvo, CREE และ MACOM กระจุกตัวอยู่ระหว่าง 10W ถึง 100W โดยมีกำลังสูงสุดถึง 1500W (ความถี่ในการทำงาน 1.0-1.1GHz ผลิตโดย Qorvo) เทคโนโลยีที่ใช้ส่วนใหญ่คือ GaN/SiC GaN

นอกจากนี้ บริษัทบางแห่งยังจำหน่ายผลิตภัณฑ์โมดูล GaN RF ปัจจุบันมี 4 บริษัทที่จำหน่ายเครื่องขยายสัญญาณ GaN RF โดยผลิตภัณฑ์ของ Qorvo มีช่วงความถี่ใช้งานกว้างที่สุด และความถี่ใช้งานสูงสุดสามารถสูงถึง 31GHz ส่วนผลิตภัณฑ์ของ Skyworks ทำงานที่ความถี่ต่ำกว่า โดยส่วนใหญ่จะอยู่ระหว่าง 0.05-1.218GHz

เครื่องขยายสัญญาณ RF ของ Qorvo มีให้เลือกในหลากหลายประเภทผลิตภัณฑ์มากที่สุด ในย่านความถี่ใช้งาน 5G สองย่าน (3.3-3.6GHz และ 4.8-5GHz) ที่กระทรวงอุตสาหกรรมและเทคโนโลยีสารสนเทศของประเทศประกาศ Qorvo ได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์เครื่องขยายสัญญาณ RF หลากหลายประเภทมากที่สุด โดยมีกำลังสูงสุดถึง 100W และ 80W ตามลำดับ (กำลังสูงสุดของผลิตภัณฑ์ 4.8-5GHz ของ Qorvo ในเดือนมกราคมอยู่ที่ 60W) และกำลังสูงสุดของผลิตภัณฑ์ 4.8-5GHz ของ ADI เพิ่มขึ้นเป็น 50W (กำลังสูงสุดของผลิตภัณฑ์ก่อนหน้านี้ต่ำกว่า 40W) และกำลังของผลิตภัณฑ์อื่นๆ ส่วนใหญ่ต่ำกว่า 50W

▌บริษัทสำคัญในห่วงโซ่อุตสาหกรรมอุปกรณ์ GaN RF ของจีนแผ่นดินใหญ่ และความคืบหน้าของผลิตภัณฑ์  

Out of concerns about the speed of my country's technological development and the idea of ​​curbing the development of my country's new material technology, European and American countries have imposed an almost complete technology and material blockade on my country in terms of third-generation semiconductor materials.

ภายใต้สถานการณ์เช่นนี้ สถาบันวิจัยทางวิทยาศาสตร์และหน่วยธุรกิจของประเทศเราได้ยึดมั่นในนวัตกรรมที่เป็นอิสระและประสบความสำเร็จอย่างน่าทึ่งในด้านคลื่นความถี่วิทยุไมโครเวฟ GaN โดยได้สร้างความก้าวหน้าในด้านการทหารและการป้องกันประเทศ รวมถึงด้านการสื่อสารพลเรือน ก่อให้เกิดองค์กรสำคัญ เช่น CETC 13, CETC 55, ZTE, Datang Mobile และลูกค้ารายใหญ่ เช่น China Mobile และ China Unicom

บริษัท Suzhou Nengxun ได้เปิดตัวทรานซิสเตอร์กำลังไฟฟ้า RF ที่มีความถี่สูงถึง 6GHz แรงดันใช้งาน 48V และกำลังไฟฟ้าที่ออกแบบตั้งแต่ 10W-320W

ในด้านการสื่อสารเคลื่อนที่ บริษัท Suzhou Nengxun สามารถจัดหาหลอดขยายสัญญาณ RF ประสิทธิภาพสูงและอัตราขยายสูงที่เหมาะสมสำหรับการใช้งานด้านการสื่อสารเคลื่อนที่ เช่น LTE, 4G และ 5G ได้แล้ว โดยมีช่วงความถี่ในการทำงาน 1.8-3.8 GHz แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน 48 V กำลังไฟฟ้าที่ออกแบบไว้ 130-390 W และกำลังไฟฟ้าเฉลี่ย 16-55 W

ข้อสงวนสิทธิ์: บทความนี้พิมพ์ซ้ำจาก "GaN World" บทความนี้เป็นเพียงความคิดเห็นส่วนตัวของผู้เขียนเท่านั้น และไม่ได้แสดงถึงความคิดเห็นของ Sacco Micro และอุตสาหกรรม การพิมพ์ซ้ำและการเผยแพร่มีจุดประสงค์เพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิ์ในทรัพย์สินทางปัญญา โปรดระบุแหล่งที่มาและผู้เขียนต้นฉบับเมื่อพิมพ์ซ้ำ หากพบการละเมิดลิขสิทธิ์ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก

หมายเลขโทรศัพท์ของบริษัท: +86-0755-83044319
โทรสาร: +86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่

QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว

ที่อยู่: ห้อง 809 อาคาร C อาคารเทคโนโลยีจ้านเทา เลขที่ 1079 ถนนหมินจือ เขตหลงหัวใหม่ เมืองเซินเจิ้น