ท่อไดโอด ไตรโอด และฟิลด์เอฟเฟกต์ใดที่สร้างความเสียหายถาวรหลังจากการพัง?

หน้าแรก ข่าว ข่าวอุตสาหกรรม ท่อไดโอด ไตรโอด และฟิลด์เอฟเฟกต์ใดที่สร้างความเสียหายถาวรหลังจากการพัง?

2022-03-17 379

ไดโอด ไตรโอด หรือ FET ตัวใดที่จะทำให้เกิดความเสียหายถาวรหลังจากการพัง

การพังทลายของทางแยก pn สามารถแบ่งออกเป็นการพังทลายของหิมะถล่ม การพังของอุโมงค์ และการพังทลายของเทอร์โมอิเล็กทริก

?โดยทั่วไปแล้วสองรายการแรกจะไม่เป็นอันตราย หากแรงดันย้อนกลับลดลงทันที ประสิทธิภาพของจุดเชื่อมต่อ pn สามารถกลับคืนมาได้ หากแรงดันไฟฟ้าไม่ลดลงทันที จุดเชื่อมต่อ pn จะถูกทำลาย เมื่อใช้แรงดันย้อนกลับกับจุดเชื่อมต่อ pn หากไม่มีสภาวะการกระจายความร้อนที่ดี อุณหภูมิของจุดเชื่อมต่อจะเพิ่มขึ้น และกระแสย้อนกลับจะเพิ่มขึ้นอีก วงจรนี้จะเกิดขึ้นซ้ำ และในที่สุดทางแยก pn ก็จะพังทลาย การสลายที่เกิดจากความไม่เสถียรทางความร้อนเรียกว่าการสลายเทอร์โมอิเล็กทริก ซึ่งจะทำลายล้างอย่างถาวร การพังทลายของทางแยก pn เป็นคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่สำคัญของทางแยก pn แรงดันไฟฟ้าพังทลายจะจำกัดแรงดันไฟฟ้าในการทำงานของจุดเชื่อมต่อ pn ดังนั้นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์จึงมีข้อกำหนดบางประการสำหรับแรงดันพังทลาย อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์จำนวนมาก เช่น ซีเนอร์ไดโอด ไดโอดถล่ม และไดโอดทันเนลสามารถผลิตได้โดยใช้ปรากฏการณ์พังทลาย

มีกลไกทางกายภาพสองกลไกสำหรับการพังทลายของรอยต่อ PN แบบเอนเอียงแบบย้อนกลับ: การพังของซีเนอร์และการพังของหิมะถล่ม การพังทลายของซีเนอร์จะเกิดขึ้นที่ทางแยก PN ที่มีสารเจือสูงเนื่องจากกลไกการขุดอุโมงค์ ในทางแยก PN ที่มีสารเจืออย่างหนัก แถบการนำไฟฟ้าและแถบเวเลนซ์ทั้งสองด้านจะอยู่ใกล้กันมากภายใต้สภาวะไบแอสย้อนกลับ เพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถเจาะอุโมงค์ได้โดยตรงจากบริเวณ P ไปยังบริเวณ N

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319
แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น

การใช้ไดโอด

จะตัดสินคุณภาพของบอร์ดขับเคลื่อน IGBT ได้อย่างไร?