บริษัท เซินเจิ้น สลคอร์ ไมโคร เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด  มีบุคลากรทางเทคนิคหลักจากมหาวิทยาลัยชิงหัว บริษัทนำโดยวัสดุใหม่ กระบวนการใหม่ และผลิตภัณฑ์ใหม่ เชี่ยวชาญเทคโนโลยีอุปกรณ์กำลังไฟฟ้าซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามระดับแนวหน้าของโลก Slkor เป็นองค์กรเทคโนโลยีขั้นสูงที่ผสานรวมการออกแบบ การพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ เพื่อมอบผลิตภัณฑ์ที่เชื่อถือได้และบริการทางเทคนิคสนับสนุนแก่ลูกค้า

1.1 ชื่อ: โซลูชันไดรเวอร์ MOSFET Slkor SL27517A

1.2 การใช้งาน: เครื่องมือไฟฟ้า การควบคุมมอเตอร์ ตัวแปลง AC-DC การควบคุมอุตสาหกรรม ฯลฯ

2. การเปรียบเทียบพารามิเตอร์ประสิทธิภาพ ความเข้ากันได้ที่แข็งแกร่ง

2.1 ความสามารถในการขับเคลื่อนแบบสมมาตร

Slkor SL27517A ซึ่งเป็นไดรเวอร์เกตแบบช่องสัญญาณเดียวขนาด 4A มีข้อได้เปรียบที่สำคัญหลายประการเมื่อนำมาใช้แทน UCC27517DBVR ของ TI (Texas Instruments) ข้อดีหลักๆ สะท้อนให้เห็นในด้านความเข้ากันได้ของประสิทธิภาพ การควบคุมต้นทุน ความยืดหยุ่นในการออกแบบ และความเสถียรของแหล่งจ่าย

Slkor SLkor SL27517A ให้กระแสสูงสุดแบบซิงก์/ซอร์ส (symmetrical drive) ที่ 4A ที่ VDD=12V ซึ่งสอดคล้องกับความสามารถด้านกระแสสูงสุด/ซิงก์ 4A ของ UCC27517 อย่างสมบูรณ์ สามารถขับอุปกรณ์ไฟฟ้า เช่น MOSFET และ IGBT ได้อย่างมีประสิทธิภาพ เหมาะสำหรับการใช้งาน เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งและตัวแปลง DC-DC

Slkor SL27517A มีช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กว้าง โดยมีช่วงแรงดันไฟฟ้าในการทำงานที่ 4.5V-20V ดีกว่าพารามิเตอร์ 4.5V-18V ของ UCC27517 (TI) เล็กน้อย ทำให้สามารถปรับตัวได้ดีกว่า โดยเฉพาะในสถานการณ์แรงดันไฟต่ำหรือใช้พลังงานจากแบตเตอรี่ (เช่น อุปกรณ์พกพา)

2.2 ความล่าช้าต่ำและการตอบสนองความเร็วสูง

Slkor SL27517A มีคุณสมบัติหน่วงเวลาการแพร่กระจายสั้น (โดยทั่วไป 12ns) และเวลาเพิ่มขึ้น/ลดลงที่รวดเร็ว (6ns/11ns) ช่วยให้ลดการสูญเสียการสลับให้น้อยที่สุด จึงเหมาะสำหรับการใช้งานความถี่สูง เช่น แหล่งจ่ายไฟดิจิทัลและการขับเคลื่อนอุปกรณ์ GaN

3. ความยืดหยุ่นในการออกแบบและความปลอดภัยที่เพิ่มขึ้น

3.1. การกำหนดค่าอินพุตคู่และการใช้พลังงาน

Slkor SL27517A รองรับโหมดอินพุตแบบอินเวิร์ตติ้ง (IN-) หรือไม่อินเวิร์ตติ้ง (IN+) ปรับให้เข้ากับความต้องการควบคุมลอจิกที่แตกต่างกันได้อย่างยืดหยุ่นผ่านการออกแบบพินคู่ ช่วยให้การออกแบบวงจรง่ายขึ้น

3.2 การป้องกันอินพุตแบบลอยตัว

เมื่อพินอินพุตลอยอยู่ เอาต์พุต Slkor SL27517A จะล็อกระดับต่ำโดยอัตโนมัติ ป้องกันการทริกเกอร์ผิดพลาดของทรานซิสเตอร์กำลัง และเพิ่มความน่าเชื่อถือของระบบ

3.3 การใช้พลังงานแบบนิ่งต่ำ

กระแสไฟฟ้านิ่งต่ำมาก จึงเหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับแบตเตอรี่หรือสถานการณ์การบริโภคพลังงานต่ำ (เช่น อุปกรณ์พลังงานแสงอาทิตย์ UPS)

4. การใช้งานทั่วไปของ Slkor SL27517A ในสถานการณ์การขับขี่กำลังสูง

4.1 หลักการประยุกต์ใช้:

สัญญาณมอดูเลตอินพุตให้รูปคลื่น PWM เพื่อขับออปโตคัปเปลอร์ Slkor PC817 U2 เมื่อรูปคลื่นพัลส์ 24V สูง กระแสออปโตคัปเปลอร์จะอยู่ที่ประมาณ 6mA (สามารถควบคุม 5V ได้โดยการเปลี่ยนตัวต้านทานจำกัดกระแส R6 และ R8) ออปโตคัปเปลอร์ U2 ใช้สำหรับแยกสัญญาณเป็นหลัก แหล่งจ่ายไฟได้รับจากไอซีจัดการพลังงาน DC-DC Slkor LM2596S-5.0 ให้แรงดันไฟ 5V สามารถจ่ายสัญญาณมอดูเลตภายนอกผ่าน PLC ได้ D1 คือไดโอดสวิตชิ่ง Slkor ซึ่งใช้สำหรับวงจรแบบฟรีวีลลิ่ง ทำหน้าที่ป้องกันออปโตคัปเปลอร์ U2 เมื่อสัญญาณมอดูเลตถูกเชื่อมต่อแบบย้อนกลับ U1 คือชิปไดรเวอร์เกต Slkor SL27517A ซึ่งเป็นไดรเวอร์เกตด้านต่ำความเร็วสูงแบบช่องสัญญาณเดียว 4A ที่สามารถขับมอสเฟตและ IGBT ได้อย่างมีประสิทธิภาพและปลอดภัย คุณสมบัติต่างๆ เช่น ความล่าช้าในการแพร่กระจายต่ำ แพ็คเกจ SOT-23 ขนาดกะทัดรัด และกระแสไฟฟ้านิ่งต่ำมาก ช่วยให้ความถี่ในการสวิตชิ่งมอสเฟตสูงถึงหลายร้อยกิโลเฮิรตซ์ ชิปนี้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการขับแบบซิงโครนัสเรกติไฟเออร์ในเซิร์ฟเวอร์และแหล่งจ่ายไฟสื่อสาร รวมถึงการใช้งานในอุตสาหกรรม

4.2 ข้อเสนอแนะจากแอปพลิเคชัน Slkor สำหรับวิศวกร:

ชิปไดรเวอร์เกต Slkor SL27517A ในวงจรนี้ใช้พลังงาน 12V เมื่อขา 5 เอาต์พุตสูง มันจะขับทรานซิสเตอร์ MOS Slkor SL142N06Q เพื่อเปิดและขับโหลด ทรานซิสเตอร์ MOS Slkor SL142N06Q มีกระแสเดรน-ซอร์สทั่วไปที่ 20A ที่ไดรฟ์เกต 10V โดยมีความต้านทานเปิดต่ำที่ 2.6mΩ ทำให้เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการควบคุมการสลับความเร็วสูงและการเรียงกระแสแบบซิงโครนัส ควรเลือกค่าตัวต้านทาน R3 ตามการเดินสายและรูปแบบ PCB จริง โดยเลือก 100Ω ในกรณีนี้ R3 ควรวางใกล้กับเกตของทรานซิสเตอร์ MOS และทางเดินสายควรสั้นเพื่อลดความเหนี่ยวนำ D3 เป็นไดโอดสวิตชิ่งที่ใช้เป็นหลักเพื่อเร่งการปิดทรานซิสเตอร์ MOS ควรเพิ่มค่าตามสถานการณ์จริง

5บอร์ด DEMO ที่สอดคล้องกับไดรเวอร์เกต Slkor SL27517A แสดงอยู่ด้านล่างนี้:

ภาพทางกายภาพของบอร์ด DEMO ที่รองรับไดรเวอร์เกต Slkor SL27517A

5.1 บอร์ด DEMO นี้ใช้การออกแบบ PCB สองชั้น เมื่อ Slkor (/slkoric.com) SL27517A ขับเคลื่อนโครงสร้างขนานของทรานซิสเตอร์ MOS กำลังสูง เช่น SL142N06Q ซึ่งสามารถรองรับกระแสสูงได้ บอร์ด DEMO เพิ่มพื้นที่จ่ายทองแดงและใช้ทองแดงสองด้านเพื่อระบายความร้อนได้ดีขึ้นและรองรับกระแสสูง CN2 และ CN1 เชื่อมต่อกับมอเตอร์หรือปั๊มเลเซอร์ CN2 และ CN3 เชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่งที่มีแรงดันไฟฟ้าสูงสุด 60V (สามารถเชื่อมต่อกับ 12V-60V ได้ตามความต้องการจริง) คุณสมบัติการหน่วงเวลาต่ำของ Slkor SL27517A ทำให้ใช้กันอย่างแพร่หลายในการขับเคลื่อน PWM ของทรานซิสเตอร์ MOS กำลังสูง บอร์ด DEMO มีโลโก้แบรนด์ Slkor ผู้ใช้สามารถสแกนโค้ดเพื่อติดตามการพัฒนาล่าสุดจาก Slkor Semiconductor

6ข้อมูล BOM บอร์ด DEMO ของ Slkor SL27517A Gate Driver มีดังนี้:

บริษัท เอสแอลคอร์ เซมิคอนดักเตอร์ (/slkoric.com) จัดเตรียมบอร์ดสาธิตที่เกี่ยวข้องสำหรับลูกค้าปลายทางและผู้จัดจำหน่าย เพื่ออำนวยความสะดวกในการใช้งานผลิตภัณฑ์ใหม่ของแบรนด์ "Slkor" และเพื่อยกระดับบริการทางเทคนิคสนับสนุนให้กับลูกค้า ทุกท่านสามารถติดต่อฝ่ายบริการลูกค้า Slkor คุณเซีย (0755-8304 4319) เพื่อรับบอร์ดสาธิตฟรี!