Son zamanlarda, yerli SiC alt tabakaları yeni ilerlemeler kaydetti—Tongguang Crystal, mikro boru kusurları içermeyen 6 inçlik bir SiC tek kristalini başarıyla üretti."Yüksek voltajlı ve ultra yüksek voltajlı güç cihazlarının yapımına daha uygundur."

Raporlara göre, aynı optik kristal kullanılıyor.Geliştirilmiş PVT büyüme tasarım planı6 inçlik SiC levhasında herhangi bir gerilim noktası bulunmamaktadır, kafesin taban düzlemi daha az eğridir, (004) kırınım indeksinin ortalama yarı tepe genişliği 19 ark saniye kadar düşüktür ve direnç dağılımı homojendir.

Sonuçlar "Acta Ceramics" dergisinin Nisan 2021 sayısında yayınlandı ve başvuru tarihi Temmuz 2020 idi.    
     

Innovative growth process

Mikrotübül kusurları sorununu çözmek

After nearly 30 years of hard work, the industry has been able to maturely prepare 2-4-inch 4H-SiC single crystal materials without micropipe defects. However,6 inçlik 4H-SiC tek kristalinde hala bazı zorluklar mevcut.Tongguang Crystal, mikro boru kusurları içermeyen 6 inçlik SiC tek kristaller hazırlamak için polimorf oluşumunun önlenmesi gerektiğine inanıyor ve yöntemleri şu şekildedir:Fiziksel buhar taşınımı (PVT) yönteminin modifikasyonu.Raporlara göre, geleneksel büyüme montaj koşulları altında, büyüme bileşeninin akış yönü kısmen büyüme basamağının akış yönüyle aynı yönde, kısmen de basamak akış yönünün tersi yöndedir. Aynı optik kristalin iyileştirme planıDrenaj tertibatı veya asimetrik sıcaklık alanı tasarımı benimsenmiştir., during the growth process, the direction of the growth component flow is almost always opposite to the direction of the step flow.     Şekil 1: İki PVT yönteminin şematik diyagramı    Bu geliştirilmiş sürecin kendine özgü avantajları vardır.——The component atoms on the single crystal growth surface can quickly reach the kink position of the growth step, ensuring the orderly advancement of the atomic steps, thereby completely replicating the crystal structure of the single crystal. In addition, the orderly advancement of steps will not cause the aggregation of steps, and will not produce wide steps, thus avoiding the two-dimensional polytype nucleation phenomenon caused by wide steps. therefore,Geliştirilen işlem, 6 inçlik n-tipi SiC tek kristalinin kararlılığını büyük ölçüde artırmıştır.      

Mükemmel performans

Güç cihazı ihtiyaçlarını karşılayın

According to the paper, the Raman spectrum detection scan results of the substrate wafer showed that,6 inçlik levhanın tamamı tek bir 4H-SiC kristal formundan oluşmaktadır.     Şekil 2: 6 inçlik SiC Raman spektrum taramasıPolarizasyon gerilim ölçeri aracılığıyla, büyüme süreci koşullarının iyileştirilmesinden sonra,çipteStres noktası yok,Bu, yetiştirilen SiC tek kristalinin kristal kalitesinin daha iyi olduğunu göstermektedir.     Şekil 3: İki işlem kullanılarak elde edilen gofretlerin polarizasyon gerilimi dağılımının karşılaştırılmasıYüksek çözünürlüklü XRD salınım eğrisi modu test sonuçları, tüm plakanın yönelim farkının 0.04° içinde olduğunu ve X ekseni yönündeki eğrilik yarıçapının ≥132 m olduğunu göstermektedir.This shows that the base plane of its lattice is less curved and there are fewer stacking faults.Ek olarak, test salınım eğrilerinin yarı tepe genişliklerinin çoğu 30 yay saniyesinin altında olup, ortalama yarı tepe genişliği 19 yay saniyesidir; bu da kristal kalitesinin çok yüksek olduğunu gösterir.İçerisinde çok fazla mikroskobik kusur yok.     Şekil 4: 6 inçlik bir SiC tek kristalinin (004) kristal düzleminin yüksek çözünürlüklü XRD salınım eğrisi taraması.Aynı zamanda, girdap akımı yöntemiyle yapılan test sonuçları, özdirenç değerinin 16.8-22.2 mΩcm arasında olduğunu göstermektedir. Özdirenç dağılımı homojendir ve istatistiksel dağılım katsayısı %3.5'tir. Ortalama özdirenç değeri 20.5 mΩcm'dir.Güç cihazlarının üretim gereksinimlerini rahatlıkla karşılayabilir.     Şekil 5: 6 inçlik n-tipi SiC tek kristal levhanın özdirenç dağılım diyagramı  

Yasal Uyarı: Bu makale "Üçüncü Nesil Yarı İletken Trendi"nden alınmıştır. Bu makale yalnızca yazarın kişisel görüşlerini temsil eder ve Sacco Micro ile sektörün görüşlerini yansıtmaz. Yalnızca fikri mülkiyet haklarının korunmasını desteklemek amacıyla yeniden basım ve paylaşım için kullanılabilir. Yeniden basım için lütfen orijinal kaynağı ve yazarı belirtin. Herhangi bir ihlal durumunda, lütfen silinmesi için bizimle iletişime geçin.

Şirket telefon numarası: +86-0755-83044319
Faks: +86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Yönetici Li

QQ: 332496225 Yönetici Qiu

Adres: Shenzhen, Longhua Yeni Bölgesi, Minzhi Caddesi No. 1079, Zhantao Teknoloji Binası, C Binası, Oda 809