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Diodo de protección ESD SLESDFBP12V SOD-923
El diodo de protección ESD SLESDFBP está diseñado para reemplazar a los varistores multicapa (MLV) en aplicaciones portátiles, como teléfonos celulares, computadoras portátiles y PDA. Cuentan con uniones de gran área de sección transversal para conducir corrientes transitorias elevadas, ofrecen características eléctricas deseables para la protección a nivel de placa, como tiempo de respuesta rápido, voltaje operativo más bajo, voltaje de sujeción más bajo y sin degradación del dispositivo en comparación con los MLV.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción general
El diodo de protección ESD SLESDFBP está diseñado para reemplazar los varistores multicapa (MLV) en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares, computadoras portátiles y PDA. Presentan uniones de gran sección transversal para conducir altas corrientes transitorias y ofrecen características eléctricas deseables para la protección a nivel de placa, como un tiempo de respuesta rápido, menor voltaje de operación, menor voltaje de sujeción y ausencia de degradación del dispositivo en comparación con los MLV.
Caracteristicas
● Potencia de pulso máxima de 60 W
● Paquete pequeño para uso en elecciones portátiles.
● Baja corriente de fuga
● Estos son dispositivos libres de Pb
Aplicaciones
● Terminales y accesorios para teléfonos móviles
● PDA
● MP3 jugadores
● Cámaras digitales
● Aplicaciones portátiles
● teléfono móvil
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
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Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
AZC199-04 Diodos TSD/ESD de capacitancia ultrabaja SOT-23-6L
Marcas: slkor， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V VBR max(V)： 1μA IR(uA)： 28V VC(V)： 0.8pF Package： SOT-23-6L
Diodo SMCJ36A TVS SMC
Marcas: slkor， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1μA VC(V)： 58.1V Package： SMC
Diodo SMF14A TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 14.0 V VBR min(V)： 15.60 V VBR max(V)： 17.20 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 23.2 V Package： SOD-123FL
Diodo SMF14CA TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 14.0 V VBR min(V)： 15.60 V VBR max(V)： 17.20 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 23.2 V Package： SOD-123FL
Diodo SMF17A TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 17V VBR min(V)： 18.9V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 27.6V Package： SOD-123FL
Diodo SMF17CA TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 17V VBR min(V)： 18.9V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 27.6V Package： SOD-123FL
Diodo SMF18A TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 20.9V IR(uA)： 1μA VC(V)： 29.2V Package： SOD-123FL
Diodo SMF22CA TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 22V VBR min(V)： 24.4V VBR max(V)： 26.9 V IR(uA)： 1μA VC(V)： 35.5V Package： SOD-123FL
Diodo SMF24A TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 24V VBR min(V)： 26.7V VBR max(V)： 29.5V IR(uA)： 1μA VC(V)： 38.9V Package： SOD-123FL
Diodo SMF28A TVS SOD-123FL
Marcas: slkor， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1μA VC(V)： 45.4V Package： SOD-123FL
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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