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MOSFET de SiC
La impedancia de la capa de deriva de los dispositivos de carburo de silicio (SiC) es menor que la de los dispositivos de silicio (Si), y se puede lograr un alto voltaje de bloqueo y baja impedancia con la estructura de MOSFET sin modulación de conductividad. Además, los MOSFET no generan corriente de cola en principio, lo que permite reducir significativamente las pérdidas de conmutación y lograr la miniaturización de los componentes de disipación de calor al reemplazar los IGBT con MOSFET de SiC. Asimismo, la frecuencia de operación de los MOSFET de SiC puede ser mucho mayor que la de los IGBT, lo que reduce el tamaño de los componentes inductivos y capacitivos del circuito, facilitando la realización de sistemas pequeños y ligeros. En comparación con los MOSFET de silicio de la misma tensión de 600 V a 900 V, el área del chip de los MOSFET de SiC es pequeña, pueden utilizarse en encapsulados más compactos, y la pérdida de recuperación del diodo de cuerpo es muy baja. Actualmente, los MOSFET de SiC se utilizan principalmente en fuentes de alimentación industriales de alta gama, inversores y convertidores de alta gama, así como en accionamientos y control de motores de alta gama.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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