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Dispositivos de SiC
El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor compuesto, formado por silicio (Si) y carbono (C), generalmente en tipo de cristal 4H-SiC. Su intensidad de campo de ruptura de aislamiento es 10 veces mayor que la del Si, su banda prohibida de energía es 3 veces mayor que la del Si, su conductividad térmica es 3 veces mayor que la del Si, y su velocidad de deriva de saturación es 2 veces mayor que la del Si. Es un material para dispositivos electrónicos de potencia muy superior al Si.
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Las líneas de productos de SLKOR incluyen dispositivos discretos, etc., diodos, transistores, dispositivos de potencia; y chips de circuitos integrados, etc., reguladores lineales, chips DC/DC, chips de interfaz, sensores Hall, ADC y BMS... Tenemos años de tecnología acumulada en semiconductores dedicados.
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