En productos alimentados por batería, como dispositivos electrónicos portátiles y terminales inteligentes pequeños, el nivel de integración, la precisión de carga, el consumo de energía y el tamaño del encapsulado de los circuitos integrados de gestión de carga determinan directamente la seguridad de la carga, la vida útil de la batería y el nivel de miniaturización de los dispositivos finales. Las soluciones de carga lineal convencionales requieren numerosos componentes externos, presentan una baja integración y ocupan un gran espacio en la placa de circuito impreso, lo que dificulta su adaptación a diseños compactos para productos portátiles. El Slkor SL4057 es un cargador lineal de corriente constante/voltaje constante (CC/CV) diseñado específicamente para baterías de iones de litio de una sola celda. Alojado en un encapsulado miniatura SOT23-6, integra un MOSFET de potencia en el chip y un circuito de bloqueo inverso, eliminando la necesidad de resistencias de detección y diodos de bloqueo externos. Admite una corriente de carga programable de hasta 500 mA e incluye regulación térmica, recarga automática y múltiples funciones de protección. Con un mínimo de componentes externos y compatibilidad con fuentes de alimentación USB y adaptadores, es una solución de carga de baterías de litio altamente integrada para dispositivos electrónicos portátiles. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Cargador lineal para baterías de iones de litio de una sola celda Tensión de alimentación de entrada (VCC): 4.0 V ~ 6.5 V Voltaje de flotación: 4.24 V con una precisión de ±1 %. Corriente de carga programable máxima: 500 mA Voltaje umbral de carga lenta: 2.9 V Corriente de reposo en modo de espera: 25 μA (típica) Corriente de fuga de la batería en modo de suspensión: ≤1 μA Rango de temperatura ambiente de funcionamiento: -40 ℃ ~ 85 ℃ Temperatura de unión del disparador de regulación térmica: 135 ℃ Paquete: SOT23-6 2. Ventajas principales del producto 2.1 Diseño altamente integrado con componentes externos mínimos El chip integra un MOSFET de potencia, un circuito de detección de corriente y un diodo de bloqueo inverso, eliminando la necesidad de resistencias de detección, transistores de potencia y dispositivos de aislamiento externos. Reduce significativamente la cantidad de componentes externos, ahorra espacio en la placa de circuito impreso y disminuye el costo total de la solución, lo que lo hace especialmente adecuado para diseños electrónicos portátiles con espacio limitado. 2.2 Perfil de carga completo con regulación térmica inteligente Admite un proceso de carga completo de tres etapas: precarga lenta, carga de corriente constante y carga de voltaje constante. Cuando el voltaje de la batería es inferior a 2.9 V, la precarga con baja corriente; una vez que el voltaje supera el umbral, cambia a carga rápida de corriente constante; al acercarse a la carga completa, entra en modo de carga flotante de voltaje constante y finaliza automáticamente la carga cuando la corriente cae a 1/10 del valor establecido. Un bucle de retroalimentación térmica integrado reduce automáticamente la corriente de carga cuando la temperatura de la unión del chip supera los 135 °C, evitando daños por sobrecalentamiento y maximizando la velocidad de carga, lo que resulta adecuado para escenarios de carga de alta potencia. 2.3 Voltaje de carga de alta precisión con corriente de carga programable Gracias a su referencia de voltaje de alta precisión integrada y a su red divisora ​​de resistencias, el voltaje de flotación de 4.24 V alcanza una precisión de ±1 %, cumpliendo con los requisitos de carga de las baterías de iones de litio y polímero de litio. La corriente de carga se puede ajustar de forma flexible mediante una resistencia externa conectada al pin PROG, con soporte para hasta 500 mA. Se adapta a diferentes capacidades de batería para optimizar la velocidad de carga, ofreciendo una amplia flexibilidad. 2.4 Modo de espera de bajo consumo con múltiples mecanismos de protección El consumo de corriente en reposo es de tan solo 25 μA. Al desconectar la alimentación, el dispositivo entra en modo de suspensión con una corriente de fuga de la batería inferior a 1 μA, lo que reduce eficazmente la pérdida de energía en reposo y prolonga la vida útil de la batería. Además, integra múltiples mecanismos de protección, como el bloqueo por subtensión (UVLO), la limitación de la corriente de arranque suave, la protección contra polaridad inversa de la batería y la protección contra subtensión, lo que mejora la fiabilidad operativa del sistema de carga. 2.5 Indicadores de estado duales con función de recarga automática Equipado con dos pines de salida de estado de drenaje abierto, CHRG y STDBY, puede indicar visualmente diversos estados de funcionamiento, como carga en curso, carga completa y ausencia de fallos en la batería. Admite indicadores LED externos o la conexión a un controlador host para la detección de estado. La función de recarga automática integrada monitoriza continuamente el voltaje de la batería tras la finalización de la carga e inicia automáticamente un nuevo ciclo de carga cuando el voltaje cae por debajo del umbral de recarga, manteniendo la batería casi completamente cargada sin necesidad de control adicional. 2.6 Encapsulado SMD compacto para aplicaciones portátiles Gracias a su encapsulado ultracompacto SOT23-6 para montaje en superficie, este dispositivo ocupa poco espacio, admite el ensamblaje SMT automatizado estándar con una calidad de soldadura uniforme y se adapta a diseños de PCB compactos y de alta densidad. Además, es compatible con una amplia gama de requisitos de diseño estructural para diversos dispositivos electrónicos portátiles de pequeño tamaño. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su alta integración, sus componentes externos mínimos, su carga de alta precisión y sus completas funciones de protección, el SL4057 se utiliza ampliamente en diversos productos portátiles alimentados por baterías de litio de una sola celda: teléfonos móviles, PDA, reproductores de MP3/MP4, cámaras digitales, diccionarios electrónicos, auriculares Bluetooth, navegadores GPS, terminales inteligentes portátiles y pequeños cargadores de baterías de litio. 4. Directrices de diseño de ingeniería Configuración de la corriente de carga : configure la corriente de carga mediante una resistencia externa entre el pin PROG y tierra. Seleccione la resistencia según la capacidad de la batería: 2 kΩ corresponden a 500 mA, 5 kΩ corresponden a 200 mA. Consulte los parámetros de la hoja de datos para la selección del modelo. Selección de componentes externos : se recomienda colocar condensadores cerámicos de 1 μF a 10 μF en la entrada VCC y el terminal BAT respectivamente para filtrar la ondulación de la fuente de alimentación y estabilizar el voltaje y la corriente de carga. Optimización térmica : para escenarios de carga de alta corriente, aumente el área de disipación de calor del chip mediante el vertido de cobre de la PCB para mejorar la capacidad de carga continua y utilizar completamente el margen de rendimiento de la función de regulación térmica. Diseño del indicador de estado : CHRG y STDBY son salidas de drenaje abierto. Se requieren resistencias pull-up externas en la aplicación. Pueden controlar directamente los LED o conectarse a los puertos de E/S del MCU para la adquisición de estado. Diseño de protección : el chip cuenta con protección integrada contra polaridad inversa de la batería. Asegúrese de que el voltaje de entrada no supere el límite superior de 6.5 V para evitar daños por sobretensión. Se recomienda ampliar las pistas de alimentación de entrada para reducir el impacto de las pérdidas de línea en la precisión de la carga. 5 Resumen del producto El Slkor SL4057 es un circuito integrado de carga lineal para baterías de iones de litio de una sola celda, altamente integrado y encapsulado en miniatura SOT23-6. Integra transistores de potencia y circuitos de detección en el chip, requiere un mínimo de componentes externos y ofrece una precisión de voltaje de carga de ±1 %, una corriente programable de 500 mA y un proceso de carga completo de tres etapas. Con regulación térmica, recarga automática, indicadores de estado duales y funciones de protección integrales, equilibra el rendimiento de carga, el consumo de energía y la facilidad de diseño, lo que lo convierte en una solución de carga doméstica rentable para diversas aplicaciones de baterías de litio en dispositivos electrónicos portátiles. Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.SL4057 a la página del producto

En sistemas electrónicos de alta potencia, como inversores industriales, soldadoras inverter, fuentes de alimentación UPS, convertidores de almacenamiento de energía fotovoltaica y equipos de calentamiento por inducción, la capacidad de soportar voltaje, la capacidad de conducción de corriente, el rendimiento de disipación de calor y la fiabilidad en un amplio rango de temperaturas de los dispositivos de potencia determinan directamente la eficiencia general y la seguridad operativa de todo el equipo. El Slkor SL50T120FZ es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) discreto de alta potencia encapsulado en TO-264. Presenta una alta resistencia de voltaje colector-emisor de 1200 V, una corriente nominal continua de 50 A a una temperatura de la carcasa de 100 °C, una alta disipación de potencia de 535 W y un amplio rango de temperatura de unión de -55 °C a 175 °C. Con una excelente capacidad de salida de carga pesada, bajas pérdidas y una estabilidad térmica superior, sirve como un dispositivo de potencia central alternativo nacional de alta calidad para equipos de conversión de alta potencia industriales. 1. Parámetros eléctricos básicos Tipo de dispositivo: IGBT discreto único Tensión colector-emisor (VCE): 1200 V Corriente de colector (IC a TC=100 ℃): 50 A Disipación de potencia total (PD a TC=25 ℃): 535 W Temperatura de unión operativa (TJ): -55 ℃ ~ 175 ℃ Encapsulado: TO-264 2. Ventajas principales del producto 2.1 Resistencia de alto voltaje de 1200 V con margen de seguridad suficiente Equipado con una alta tensión de colector-emisor de 1200 V, el SL50T120FZ suprime eficazmente las sobretensiones y los picos de tensión del circuito, reduciendo considerablemente el riesgo de averías y fallos del dispositivo. Totalmente adaptado a escenarios de conversión industrial de alta potencia con entrada de CA de 380 V, cumple con los estrictos requisitos de seguridad de los sistemas inversores de alta tensión y ofrece una excelente resistencia a las sobretensiones. 2.2 Corriente continua alta de 50 A para un funcionamiento estable y de alta resistencia. Al mantener una corriente de colector continua de 50 A incluso a una temperatura de la carcasa de 100 °C, el dispositivo exhibe un excelente rendimiento de conducción de corriente a altas temperaturas. Garantiza una salida de corriente estable durante el funcionamiento prolongado a plena carga sin reducción de potencia ni potencia de salida insuficiente, adaptándose perfectamente a las condiciones de trabajo continuas de alta carga de máquinas de soldar, convertidores de frecuencia y otros equipos industriales. 2.3 Encapsulado TO-264 de alta potencia para una excelente disipación de calor. Gracias a su encapsulado estándar TO-264 de montaje pasante y su amplia base térmica metálica, este dispositivo ofrece baja resistencia térmica y permite la integración con disipadores de calor externos para una eficiente disipación del calor. Con una alta disipación de potencia de 535 W, soporta pérdidas de potencia extremas, reduce la acumulación de calor en condiciones de alta carga y mejora significativamente la fiabilidad operativa a largo plazo de todo el sistema. 2.4 Adaptación a un rango de temperatura ultra amplio para entornos industriales exigentes. Con un rango de temperatura de unión ultra amplio de -55 °C a 175 °C, el SL50T120FZ funciona de forma estable tanto en entornos exteriores con temperaturas extremadamente bajas como en chasis cerrados con altas temperaturas. Resiste el frío intenso y los choques térmicos, adaptándose perfectamente a entornos de trabajo industriales complejos y exigentes. 2.5 Características de pérdida optimizadas para una mayor eficiencia del sistema Gracias a la tecnología de parada de campo con compuerta de trinchera, este dispositivo logra un equilibrio entre bajas pérdidas por conducción y bajas pérdidas por conmutación, ofreciendo un excelente rendimiento de conmutación a alta velocidad. Reduce eficazmente las pérdidas térmicas durante la conversión de energía, mejora la eficiencia general de conversión energética y disminuye los costos de disipación de calor del sistema. 2.6 Reemplazo nacional confiable con calidad de producción en masa estable Respaldado por el proceso de producción en masa de semiconductores de potencia de Slkor, el SL50T120FZ ofrece parámetros eléctricos consistentes y una gran resistencia a los cortocircuitos. Proporciona compatibilidad pin a pin con dispositivos IGBT equivalentes importados, solucionando eficazmente problemas comunes en la industria como los largos plazos de entrega, la escasez de suministro y los altos costos de los componentes importados, lo que lo convierte en la solución ideal para la producción industrial en masa a gran escala. 3. Principales campos de aplicación Gracias a sus ventajas integradas de alta resistencia al voltaje, gran capacidad de corriente, excelente disipación de calor y amplia estabilidad térmica, el Slkor SL50T120FZ se aplica ampliamente en diversos dispositivos electrónicos de alta potencia, incluidos convertidores de frecuencia industriales, fuentes de alimentación para servomotores, máquinas de soldadura inverter, equipos de corte por plasma, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores fotovoltaicos, convertidores de almacenamiento de energía, equipos de calentamiento por inducción, fuentes de alimentación conmutadas de alta potencia, accionamientos de motores industriales y unidades de alimentación para estaciones de carga de alta potencia. 4. Directrices de diseño de ingeniería Diseño de margen de voltajeEn aplicaciones prácticas, reserve un margen de voltaje suficiente. Evite el funcionamiento prolongado cerca de la tensión máxima de 1200 V para prevenir daños en el dispositivo causados ​​por sobretensiones. Transferencia térmicaEquipe el encapsulado TO-264 con un disipador de calor con la capacidad adecuada y aplique pasta térmica de manera uniforme. Supervise la temperatura de la carcasa y la temperatura de la unión durante el funcionamiento prolongado a alta potencia para evitar fallos por sobrecalentamiento. Entrada de vehículos a juegoComo dispositivo IGBT controlado por voltaje, requiere un voltaje de control de puerta y una resistencia de puerta coincidentes para optimizar la velocidad de conmutación, suprimir la oscilación y reducir las pérdidas de conmutación y las interferencias electromagnéticas. Sugerencia de operación en paraleloPara la expansión de capacidad mediante conexión en paralelo, seleccione dispositivos con parámetros consistentes e implemente un diseño de reparto de corriente. Utilice el coeficiente de temperatura positivo de la caída de tensión de saturación para garantizar una distribución de corriente equilibrada. Límite de funcionamientoNo opere más allá de los límites de corriente, disipación de potencia y temperatura de unión nominales. Preste especial atención al ancho de pulso y a las condiciones de disipación de calor en escenarios de operación pulsada. 5 Resumen del producto El Slkor SL50T120FZ es un transistor IGBT discreto de alta potencia de grado industrial en encapsulado TO-264. Con una resistencia a alta tensión de 1200 V, una capacidad de corriente a alta temperatura de 50 A, una disipación de potencia de 535 W y un rango de temperatura de unión ultra amplio de -55 °C a 175 °C, integra alta resistencia a la tensión, rendimiento a altas temperaturas y cargas pesadas, excelente disipación de calor y bajas pérdidas. Es ideal para aplicaciones industriales como inversores, soldadura, almacenamiento de energía y fuentes de alimentación de alta potencia, constituyendo una alternativa nacional rentable y fiable para transistores IGBT discretos de alta potencia.Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.SL50T120FZ Ir a la página del producto

Para dispositivos electrónicos portátiles alimentados por batería, terminales IoT y pequeños electrodomésticos, los interruptores de detección magnética sin contacto imponen requisitos estrictos en cuanto al consumo de energía en modo de espera, el rendimiento antiinterferencias del polo magnético y la duración de la batería. Los interruptores de contacto mecánico sufren desgaste y oxidación, lo que resulta en una vida útil corta y falsas activaciones. El Slkor SL1719SH es un sensor de interruptor Hall de micropotencia con respuesta a un solo polo S en un encapsulado TO-92S de orificio pasante. Responde únicamente al campo magnético del polo S, presenta una corriente de funcionamiento promedio ultrabaja de 0.9 μA con escaneo intermitente de 25 Hz y una tensión de alimentación máxima de 5.5 V. Caracterizado por una potencia de espera ultrabaja, detección direccional del polo magnético y salida de conmutación estable, sirve como un chip sensor nacional rentable para la detección de posición sin contacto y la verificación de apertura/cierre en productos alimentados por batería. 1. Parámetros eléctricos básicos Tipo de dispositivo: Sensor de interruptor Hall de polo S único Polaridad del sensor: Solo polo S (activado únicamente por el campo magnético del polo S) Tensión de alimentación (VDD): 5.5 V Corriente de funcionamiento media (IDD): 0.9 μA Frecuencia de escaneo: 25 Hz Encapsulado: TO-92S 2. Ventajas principales del producto 2.1 Detección direccional de polos S con fuerte capacidad antiinterferencias El chip solo responde a señales de campo magnético con polaridad positiva (polo S); el campo magnético con polaridad negativa (polo N) no activará la función. Esto evita eficazmente las falsas activaciones causadas por campos magnéticos parásitos o la instalación incorrecta de los imanes. Ideal para diseños con polaridad magnética fija, mejora la fiabilidad general de la detección del sistema. 2.2 El consumo de energía ultrabajo a nivel de nanoamperios prolonga la vida útil de la batería. Gracias a su mecanismo de escaneo intermitente de reposo y activación, la corriente de funcionamiento promedio es tan baja como 0.9 μA. El consumo de energía estática extremadamente bajo reduce considerablemente el consumo de energía de los equipos alimentados por batería y prolonga significativamente la vida útil de los productos finales que utilizan pilas secas y baterías de litio. 2.3 Escaneo de baja velocidad de 25 Hz optimizado para la detección de posición de apertura y cierre. La frecuencia de muestreo de 25 Hz está diseñada para la detección de estado a baja velocidad, cumpliendo con los requisitos para la identificación del estado de apertura/cierre, la posición límite y la detección de la presencia de imanes. No es adecuada para escenarios con campos magnéticos que cambian rápidamente y ofrece un rendimiento excepcional en aplicaciones de detección de baja potencia. 2.4 Encapsulado TO-92S de orificio pasante para facilitar el montaje y la depuración. El encapsulado estándar TO-92S de 3 pines con orificios pasantes ofrece un proceso de soldadura consolidado, soldadura manual sencilla y producción masiva de PCB con orificios pasantes. Puede reemplazar directamente los interruptores de láminas y los interruptores de contacto mecánicos tradicionales. 2.5 Compatibilidad con amplio rango de voltaje y rendimiento de salida estable La tensión de alimentación máxima alcanza los 5.5 V, compatible con sistemas de microcontroladores de 3.3 V y 5 V con baterías de litio. El circuito de compensación de temperatura integrado minimiza la deriva del punto de conmutación ante variaciones de temperatura. La salida push-pull CMOS se puede conectar directamente a los pines de E/S del microcontrolador sin resistencias pull-up adicionales. 2.6 Solución nacional consolidada con suministro estable El sensor Slkor SL1719SH, validado para producción en masa, garantiza parámetros consistentes y una excelente protección ESD. Ofrece compatibilidad pin a pin con sensores Hall de bajo consumo de un solo polo S equivalentes en el extranjero, lo que facilita la solución de problemas como los largos plazos de entrega y el alto costo de los componentes importados en proyectos de consumo de gran volumen. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su detección de un solo polo S, su bajo consumo de energía y su encapsulado de orificio pasante, el SL1719SH se utiliza ampliamente en dispositivos alimentados por batería: detección de apertura y cierre de estuches de carga, interruptores magnéticos para pequeños electrodomésticos, cerraduras inteligentes, monitorización de la posición de válvulas, caudalímetros de agua/gas, detectores inalámbricos de imanes para puertas, nodos de sensores IoT de baja potencia, detección de límites de juguetes, instrumentos de prueba portátiles y diversos interruptores de proximidad sin contacto. 4. Directrices de diseño de ingeniería Adaptación de polos magnéticosEste dispositivo solo responde al polo sur (S). Asegúrese de que el polo sur esté orientado hacia la superficie de detección del chip en el diseño del hardware; el polo norte (N) no puede activar la salida. Verifique la orientación de montaje del imán. Aviso sobre potencia y frecuenciaEl sensor funciona con escaneo intermitente a 25 Hz únicamente para la detección de estado a baja velocidad. No lo utilice en condiciones de campo magnético que cambien rápidamente. Diseño de la fuente de alimentaciónNo exceda los 5.5 V de tensión de alimentación. Coloque un condensador de desacoplamiento cerca del pin de alimentación para suprimir el ruido de la fuente de alimentación. Conexión de salidaSalida push-pull; no se requiere resistencia pull-up externa. Conéctelo directamente a los puertos de E/S del microcontrolador para la lectura de nivel. Distancia entre el imán y el chip: Ajuste correctamente la distancia entre el imán y el sensor para garantizar una intensidad de campo magnético suficiente para un disparo fiable. Rango de temperaturaTemperatura de funcionamiento: -40 ℃ ~ +85 ℃. Evite operar fuera de este rango de temperatura. 5 Resumen del producto El Slkor SL1719SH es un sensor de interruptor de efecto Hall de bajo consumo y un solo polo S, encapsulado TO-92S. Admite una tensión de alimentación máxima de 5.5 V, una corriente de funcionamiento ultrabaja de 0.9 μA y una frecuencia de escaneo de 25 Hz. Se activa exclusivamente mediante el campo magnético del polo S, lo que le confiere una excelente inmunidad a campos magnéticos parásitos y un consumo de energía ultrabajo. Es ideal para la detección de apertura/cierre y posición sin contacto en equipos alimentados por batería, y constituye un reemplazo perfecto para interruptores mecánicos e interruptores de láminas en aplicaciones domésticas.Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.SL1719SH a la página del producto

En productos de audio de consumo como altavoces Bluetooth, reproductores portátiles, ordenadores portátiles y dispositivos de aviso por voz para pequeños electrodomésticos, la eficiencia de conversión, la generación de calor, la complejidad del circuito periférico y la adaptabilidad de voltaje de los chips amplificadores de potencia determinan directamente la calidad de sonido general, la duración de la batería y la dificultad del diseño de la placa de circuito impreso (PCB) del equipo terminal. Los amplificadores de potencia tradicionales de clase AB presentan una alta generación de calor y baja eficiencia, lo que requiere numerosos componentes periféricos y dificulta el diseño de productos miniaturizados. El Slkor PAM8403 es un amplificador de potencia de audio estéreo de clase D sin filtro, encapsulado en SOP-16. Ofrece una potencia de salida de hasta 3 W por canal, admite un amplio rango de voltaje de alimentación de -0.3 V a 5.5 V y presenta una baja corriente de funcionamiento y una corriente de espera ultrabaja. Gracias a su alta eficiencia, baja disipación de calor y mínimos componentes periféricos, constituye una solución de amplificación doméstica rentable para dispositivos de audio alimentados por batería. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Amplificador de potencia de audio estéreo Clase D Tensión de alimentación (VDD): -0.3 V ~ 5.5 V Temperatura de funcionamiento (TA): -40 ℃ ~ 85 ℃ Potencia de salida de un solo canal (Po): 3 W Corriente de reposo de funcionamiento (IDD): 6.3 mA Corriente de espera de apagado (ISD): 16 μA Encapsulado: SOP-16 2. Ventajas principales del producto 2.1 La arquitectura de clase D sin filtros simplifica el diseño del hardware. Gracias a su diseño patentado sin filtros, el PAM8403 puede controlar directamente los altavoces sin necesidad de los tradicionales circuitos de filtro paso bajo de salida. Esto reduce considerablemente la lista de materiales periféricos, ahorra valioso espacio en el diseño de la placa de circuito impreso, disminuye los costes generales de materiales y acorta los ciclos de desarrollo del producto, adaptándose perfectamente a las tendencias de diseño de productos de audio ligeros y miniaturizados. 2.2 La alta eficiencia de conversión y la baja generación de calor prolongan la vida útil de la batería. Con una eficiencia de conversión máxima del 90 %, este chip reduce eficazmente la pérdida de potencia en comparación con los amplificadores convencionales de clase AB. Genera muy poco calor durante su funcionamiento y, en la mayoría de las condiciones, no requiere disipador de calor adicional. Ideal para dispositivos portátiles alimentados por baterías de litio de 3.7 V y USB de 5 V, mejora significativamente la autonomía del equipo y la eficiencia de la batería. 2.3 Amplia adaptabilidad de voltaje compatible con sistemas de alimentación convencionales Con un amplio rango de voltaje de -0.3 V a 5.5 V, el chip es totalmente compatible con las fuentes de alimentación más comunes, como baterías de litio y fuentes de alimentación USB de 5 V. Equipado con un pin de control de apagado independiente, reduce la corriente en espera a tan solo 16 μA en modo de suspensión, lo que disminuye eficazmente el consumo de energía en reposo y cumple con los requisitos de diseño de bajo consumo de los dispositivos electrónicos portátiles. 2.4 Baja distorsión y bajo nivel de ruido para una calidad de sonido nítida. El PAM8403 logra una distorsión armónica total (THD+N) ultrabaja y un ruido de fondo mínimo, ofreciendo una salida de sonido estéreo pura. Las funciones integradas de protección contra cortocircuitos y apagado por sobretemperatura evitan eficazmente los daños en el chip causados ​​por condiciones de funcionamiento anormales, mejorando notablemente la estabilidad y la vida útil del equipo de audio. 2.5 Paquete estándar SOP-16 para producción en masa Encapsulado en un formato SMD SOP-16 estándar, este dispositivo admite montaje SMT automatizado gracias a su avanzada tecnología de soldadura y su tamaño compacto, ideal para diseños de PCB de alta densidad. Verificado mediante producción en masa a gran escala, el Slkor PAM8403 ofrece una consistencia de parámetros estable y compatibilidad pin a pin con chips equivalentes importados. Resuelve los problemas del sector relacionados con los largos plazos de entrega y los altos costes de los dispositivos importados, garantizando un suministro estable para la producción en masa. 3. Principales campos de aplicación Gracias a sus ventajas integrales de alta eficiencia, bajo consumo de energía, bajo nivel de ruido y circuitos periféricos sencillos, el Slkor PAM8403 se utiliza ampliamente en diversos escenarios de audio estéreo de baja potencia: altavoces portátiles Bluetooth, salida de audio para portátiles, sistemas de sonido para pantallas y televisores, reproductores de DVD portátiles, consolas de juegos, sistemas manos libres de walkie-talkie, mensajes de voz para pequeños electrodomésticos, juguetes inteligentes, módulos de audio para proyectos de bricolaje, mini altavoces alimentados por USB y terminales de transmisión de voz para IoT. 4. Directrices de diseño de ingeniería Diseño de fuente de alimentaciónNo exceda la tensión máxima de alimentación de 5.5 V. Coloque condensadores de desacoplamiento cerca de los pines de alimentación para suprimir el ruido de la alimentación y optimizar el rendimiento del ruido de fondo de audio. Coincidencia de cargaSe recomienda su uso con altavoces de 4Ω a 8Ω. Puede alcanzar una potencia de salida estable de 3W con una carga de 4Ω y una fuente de alimentación de 5V. Control del pin de apagado: El pin de apagado puede ser controlado por el microcontrolador para realizar la conmutación al modo de suspensión, reduciendo eficazmente el consumo de energía del sistema en modo de espera durante el estado de inactividad. Diseño de PCBMantenga las pistas de salida de potencia cortas y gruesas. Aísle las pistas de entrada de audio de los bucles de potencia para evitar interferencias electromagnéticas y ruido de audio. Instrucciones de protecciónLas protecciones integradas contra cortocircuitos y sobrecalentamiento están diseñadas únicamente para la protección contra fallos. No utilice el chip en condiciones de cortocircuito prolongado. Rango de temperaturaEl rango normal de temperatura de funcionamiento es de -40 ℃ a 85 ℃. Está prohibido operar fuera de este rango para garantizar un rendimiento estable. 5 Resumen del producto El Slkor PAM8403 es un chip amplificador de potencia de audio de clase D de doble canal y 3 W, encapsulado en SOP-16. Ofrece un amplio rango de voltaje (-0.3 V~5.5 V), baja corriente de funcionamiento (6.3 mA), corriente de apagado ultrabaja (16 μA) y un amplio rango de temperatura (-40 °C~85 °C). Gracias a su arquitectura sin filtros, alta eficiencia, baja generación de calor y componentes periféricos mínimos, logra un equilibrio entre una excelente calidad de sonido y un bajo consumo de energía. Es la solución alternativa nacional rentable preferida para diversos dispositivos de audio estéreo mini USB y alimentados por batería en la industria de la electrónica de consumo.

En sistemas de circuitos de alta frecuencia, como comunicaciones inalámbricas, oscilación de microondas, recepción de RF y procesamiento de señales de televisión por cable, el rendimiento de ruido, la adaptabilidad a la banda de frecuencia, la linealidad de la señal y los parámetros parásitos de los dispositivos afectan significativamente la calidad de la transmisión de la señal y la estabilidad operativa de todo el equipo. Los transistores convencionales de propósito general tienen un rendimiento limitado en alta frecuencia, con un ruido relativamente alto y grandes parámetros de unión parásitos, lo que los hace inadecuados para la amplificación de señales débiles en circuitos de banda GHz. El Slkor BFR360F es un transistor de RF de microondas de silicio NPN encapsulado en un formato SMD SOT-323 compacto. Optimizado para operación de alta frecuencia con baja corriente y compatible con sistemas de alimentación de CC comunes de 3.3 V a 5 V, se aplica ampliamente en circuitos de amplificación de alta frecuencia y oscilación de microondas, sirviendo como un dispositivo nacional bien adaptado para diseños de circuitos de RF de alta frecuencia para uso civil. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Transistor RF NPN de alta frecuencia Tensión colector-emisor (VCEO): 6 V Corriente de colector (IC): 35 mA Disipación de potencia (PD): 300 mW Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)): 6 V Frecuencia de transición (fT): 12 GHz Encapsulado: SOT-323 2. Características principales del producto 2.1 Excelente rendimiento de RF con bajo nivel de ruido El dispositivo presenta un nivel de ruido de aproximadamente 1.0 dB a 1.8 GHz, lo que proporciona una supresión de ruido fiable. Reduce eficazmente la interferencia del ruido de fondo en los circuitos de radiofrecuencia, amplifica con claridad las señales débiles de alta frecuencia y mejora la fidelidad de la señal y la sensibilidad de recepción de los circuitos receptores de radiofrecuencia, siendo adecuado para diversos escenarios de procesamiento de señales de alta frecuencia de precisión. 2.2 Adaptabilidad de banda ancha y alta frecuencia Con una frecuencia de transición de 12 GHz, el dispositivo ofrece una respuesta estable en alta frecuencia. Admite la amplificación de señal para circuitos de oscilación dentro de los 4.0 GHz, cubriendo las principales bandas de frecuencia de radiofrecuencia y microondas de uso civil. Cumple múltiples funciones de circuito, incluyendo amplificación de señal, oscilación de circuito y mezcla de señal, con una gran adaptabilidad a diversos escenarios. 2.3 Salida de señal estable con características eléctricas optimizadas Gracias a su baja corriente de fuga y reducida capacitancia de unión, este dispositivo minimiza la atenuación de la señal y la desviación de fase durante el funcionamiento a alta frecuencia. Con un rango dinámico moderado y una linealidad de corriente óptima, mantiene una baja distorsión de la señal y formas de onda de salida suaves, garantizando así el funcionamiento estable de los circuitos de alta frecuencia. 2.4 Compatibilidad con sistemas convencionales de baja tensión Diseñado para una fuente de alimentación de CC de colector de 3.3 V a 5 V, este dispositivo se adapta a la arquitectura de alimentación estándar de la electrónica de consumo, los dispositivos inalámbricos en miniatura y los módulos IoT. Con una corriente de funcionamiento nominal de 35 mA, es ideal para un funcionamiento continuo de baja corriente y admite el diseño de circuitos de alta frecuencia, ligeros y de bajo consumo. 2.5 Paquete en miniatura para producción en masa miniaturizada Gracias a su encapsulado SMD SOT-323 compacto, este dispositivo ocupa un espacio mínimo en la placa de circuito impreso y admite el montaje SMT automatizado con un rendimiento de soldadura estable para la producción en masa. Respaldado por el proceso de fabricación consolidado de Slkor, ofrece un rendimiento de parámetros consistente y compatibilidad pin a pin con dispositivos equivalentes importados, con un suministro estable y una excelente relación coste-beneficio. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su rendimiento fiable en alta frecuencia, sus características de bajo ruido y su salida lineal estable, el Slkor BFR360F se utiliza ampliamente en circuitos de microondas de alta frecuencia para uso civil, incluyendo módulos de amplificación de señal de televisión por cable, circuitos de sintonización y recepción de televisión por satélite, unidades de RF para intercomunicadores inalámbricos, módulos de comunicación para teléfonos inalámbricos, circuitos de inducción de radar, módulos de control remoto inalámbrico y transmisión de datos, sistemas de identificación por radiofrecuencia RFID, circuitos de amplificación de señal de comunicación por fibra óptica, así como amplificadores, osciladores, mezcladores y detectores para las bandas VHF y UHF. Es ideal para dispositivos inalámbricos de alta frecuencia de tamaño reducido alimentados con una tensión de 3.3 V a 5 V. 4. Directrices de diseño de ingeniería Adaptación a las condiciones de funcionamientoOptimizado para escenarios de baja tensión y baja corriente, y alta frecuencia. Su diseño se ajusta estrictamente a las especificaciones de tensión, corriente y potencia nominales para garantizar la estabilidad operativa a largo plazo. Optimización del diseño de PCBLos circuitos de alta frecuencia son sensibles al cableado. Mantenga las pistas de entrada y salida de RF cortas y ordenadas, con una correcta adaptación de impedancias, para minimizar las interferencias parásitas en las señales de alta frecuencia. Reducción de ruido en la fuente de alimentación: Instale condensadores de desacoplamiento de alta frecuencia cerca de los pines de alimentación para filtrar el ruido de la fuente de alimentación, suprimir la diafonía de los circuitos digitales y garantizar una calidad de señal de RF pura. Protección contra ESDLos dispositivos semiconductores de alta frecuencia son sensibles a la electricidad estática. Se requieren procedimientos estándar de protección ESD durante la soldadura y el ensamblaje para evitar daños en el rendimiento causados ​​por descargas electrostáticas. 5 Resumen del producto El Slkor BFR360F es un transistor RF NPN diseñado para aplicaciones civiles de alta frecuencia. Gracias a su frecuencia de transición de 12 GHz, bajo ruido de 1.0 dB a 1.8 GHz, linealidad de corriente estable y baja capacitancia de unión, admite la amplificación y oscilación de señales de microondas dentro de los 4 GHz. Compatible con fuentes de alimentación de bajo voltaje de 3.3 V a 5 V y con encapsulado miniatura SOT-323, ofrece un equilibrio entre excelente rendimiento, tamaño compacto y practicidad. Como dispositivo de reemplazo fiable para uso doméstico, proporciona una adaptabilidad excepcional para equipos inalámbricos miniatura de alta frecuencia y el diseño de circuitos RF de pequeña señal para aplicaciones civiles.Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.BFR360F a la página del producto

En sistemas de electrónica de potencia, como variadores de velocidad para motores industriales, reguladores de velocidad de frecuencia variable e inversores pequeños, la durabilidad, el rendimiento de conmutación, el comportamiento ante aumentos de temperatura y la capacidad antiinterferencias de los dispositivos IGBT afectan directamente la estabilidad operativa y la vida útil de todo el equipo. El Slkor SL15T65FK es un dispositivo discreto IGBT diseñado para escenarios de control industrial. Encapsulado en TO-263, presenta una tensión colector-emisor de 650 V, una corriente de colector continua de 15 A a una temperatura de la carcasa de 100 °C, una disipación de potencia nominal de 182 W a una temperatura ambiente de 25 °C y un amplio rango de temperatura de unión de -40 °C a 175 °C. Con un coeficiente de temperatura positivo de la tensión de saturación, un diodo antiparalelo de recuperación rápida y características de baja interferencia electromagnética, se adapta a escenarios industriales como inversores de control de motores, sirviendo como una solución de conmutación de potencia rentable para sistemas de accionamiento industrial de baja y media potencia. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Dispositivo discreto IGBT (con diodo antiparalelo incorporado)Voltaje Colector-Emisor (VCE): 650VCorriente del colector (IC a TC=100℃): 15ADisipación de potencia total (PD a TC=25℃): 182 WRango de temperatura de unión operativa (TJ): -40 ℃ ~ 175 ℃Paquete: TO-263 2. Ventajas principales del producto 2.1 Diseño de alta durabilidad para operación industrial de ciclo largo La estructura y el proceso de fabricación del dispositivo están optimizados para escenarios de operación continua, como el control de motores industriales, lo que mejora la resistencia a los impactos y la fiabilidad operativa a largo plazo. Se adapta a las condiciones de trabajo industriales con arranques y paradas frecuentes y fluctuaciones de carga, garantizando un funcionamiento estable y duradero del equipo. 2.2 Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat) para reparto de corriente paralelo equilibrado La caída de tensión de saturación presenta un coeficiente de temperatura positivo, que aumenta a medida que se incrementa la temperatura del dispositivo. Cuando se utilizan varios dispositivos en paralelo, se puede equilibrar automáticamente la corriente de cada uno, reducir el riesgo de sobrecalentamiento localizado causado por la polarización de corriente y mejorar la estabilidad operativa de los sistemas paralelos con múltiples dispositivos. 2.3 Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida para reducir la tensión de conmutación. El diodo antiparalelo integrado presenta características de recuperación suave y una rápida velocidad de recuperación. Puede suprimir eficazmente los picos de voltaje y las sobretensiones durante la recuperación inversa, reducir la tensión de conmutación del dispositivo y minimizar las pérdidas causadas por el proceso de recuperación del diodo, mejorando así la eficiencia general de conversión de energía. 2.4 Baja interferencia electromagnética para un rendimiento EMC optimizado del sistema El proceso de conmutación suave puede reducir eficazmente los valores di/dt y dv/dt en el circuito, disminuir la generación de interferencias electromagnéticas, reducir la dificultad del diseño del filtrado EMC del sistema y adaptarse a escenarios de control industrial con altos requisitos de compatibilidad electromagnética. 2.5 Amplio rango de temperatura de unión para una gran adaptabilidad ambiental. Al admitir un rango de temperatura de unión de -40 ℃ a 175 ℃, puede adaptarse a las fluctuaciones de temperatura en diferentes condiciones de trabajo, operar de manera estable incluso en entornos con un alto aumento de temperatura dentro del chasis y satisfacer las demandas tanto del arranque a baja temperatura como del funcionamiento a alta temperatura y carga pesada. 2.6 Encapsulado SMD TO-263 con excelente disipación de calor y compatibilidad de montaje. Gracias al encapsulado de potencia de montaje superficial TO-263, la base de disipación de calor metálica se puede fijar directamente a la zona de disipación de calor de la placa de circuito impreso o a un disipador externo, lo que garantiza una conducción de calor corta y una excelente eficiencia de disipación. Además, es compatible con procesos de montaje SMT automatizados, lo que la hace ideal para la producción industrial en serie. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su durabilidad, excelentes características de diodo y ventajas de baja interferencia, el SL15T65FK se utiliza principalmente en diversos escenarios de control de motores e inversores de baja y media potencia: convertidores de frecuencia para accionamientos de motores industriales, servomotores, fuentes de alimentación para inversores pequeños, controladores de conversión de frecuencia para electrodomésticos, circuitos de regulación de velocidad para herramientas eléctricas, microinversores fotovoltaicos, etapas de potencia de sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), etc. 4. Directrices de diseño de ingeniería Margen de tensión : Se recomienda reservar un margen de tensión adecuado en aplicaciones prácticas, evitar el funcionamiento prolongado cerca de la tensión de resistencia nominal y reducir el riesgo de avería causado por sobretensiones. Diseño térmico : El encapsulado TO-263 debe combinarse con un esquema de disipación de calor correspondiente según la corriente de trabajo y el ciclo de trabajo reales, para garantizar que la temperatura de la unión del dispositivo esté dentro del rango especificado y mejorar la fiabilidad operativa. Adaptación del controlador : Seleccione parámetros de control de puerta adecuados para equilibrar la velocidad de conmutación y el nivel de interferencia electromagnética, y tenga en cuenta tanto las pérdidas del dispositivo como el rendimiento EMC del sistema. Aplicación en paralelo : Cuando se conectan varios dispositivos en paralelo, se puede utilizar la característica de coeficiente de temperatura positivo del dispositivo, y se prefieren dispositivos con buena consistencia de parámetros para garantizar el efecto de reparto de corriente. Aplicación de diodo : El diodo antiparalelo incorporado se puede utilizar en escenarios de libre circulación. Si necesita soportar grandes sobretensiones de corriente inversa, los parámetros del diodo deben verificarse en combinación con las condiciones de trabajo reales. 5 Resumen del producto El Slkor SL15T65FK es un transistor IGBT discreto de grado industrial en encapsulado TO-263. Ofrece una resistencia a la tensión de 650 V, una capacidad de corriente de 15 A a una temperatura de la carcasa de 100 °C y una temperatura máxima de unión de 175 °C. Gracias a su coeficiente de temperatura positivo de la tensión de saturación, un diodo antiparalelo de recuperación rápida y baja interferencia electromagnética, proporciona una durabilidad excepcional. Adecuado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia industrial de baja y media potencia, como inversores de control de motores, es una opción fiable entre los dispositivos de potencia nacionales que equilibra rendimiento y coste. Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.SL15T65FK a la página del producto

En fuentes de alimentación conmutadas de baja potencia, adaptadores electrónicos de consumo, controladores LED, cargadores de baterías y otros circuitos, los diodos rectificadores desempeñan un papel fundamental en la conversión de CA a CC y el bloqueo inverso. La tensión de ruptura, el rendimiento de fuga, la tolerancia a sobretensiones y la fiabilidad del encapsulado del dispositivo afectan directamente a la estabilidad operativa y la vida útil del sistema de alimentación. El Slkor SM4007PL (modelo comercial: A7) es un diodo rectificador de uso general encapsulado en plástico en un paquete miniatura SOD-123. Presenta una tensión inversa máxima repetitiva nominal de 1000 V, admite una corriente rectificada directa promedio de 1.0 A y ofrece baja fuga inversa, alta capacidad de sobretensión directa y compatibilidad de soldadura a altas temperaturas. Adecuado para diversos escenarios de rectificación de baja potencia, constituye una solución de rectificación rentable para aplicaciones de alimentación auxiliar industrial y electrónica de consumo. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Diodo rectificador encapsulado en plástico de uso general Voltaje inverso máximo repetitivo (VRRM): 1000V Voltaje de bloqueo de CC (V CC): 1000 V Corriente rectificada directa promedio (IO(AV), TA=75℃): 1.0A Corriente de sobretensión directa máxima (IFSM): 30 A Tensión directa típica (VF, a 1.0 A): 1.1 V Tiempo típico de recuperación inversa (trr): 30 μs Rango de temperatura de unión operativa (TJ): -50℃ ~ +175℃ Envase: Encapsulado de plástico SOD-123 2. Características principales del producto 2.1 Tensión de resistencia de 1000 V para escenarios de rectificación generales Con una tensión inversa de resistencia nominal de 1000 V, cubre los requisitos de rectificación de la mayoría de las fuentes de alimentación y adaptadores de baja potencia fuera de línea. Puede utilizarse en diversas topologías, como rectificación con diodo único y rectificación en puente, y se adapta a condiciones de rectificación de alta tensión en la entrada de CA, con una amplia aplicabilidad en diversos escenarios. 2.2 Baja fuga inversa para reducir las pérdidas en modo de espera El dispositivo presenta una baja corriente de fuga inversa, manteniendo una pérdida de fuga mínima a la tensión de bloqueo nominal. Esto ayuda a reducir el consumo de energía en modo de espera de los sistemas eléctricos y a mejorar la eficiencia energética general. Asimismo, el aumento de la corriente de fuga en condiciones de alta temperatura está bien controlado, lo que garantiza un rendimiento de rectificación óptimo en entornos de alta temperatura. 2.3 Alta capacidad de resistencia a sobretensiones frente a la corriente de arranque. Con una tolerancia de corriente de sobretensión directa máxima de 30 A, puede soportar la corriente de irrupción al encenderse, reducir el riesgo de daños en los dispositivos causados ​​por picos de arranque y mejorar la fiabilidad operativa a largo plazo de todo el equipo. 2.4 Proceso de moldeo fiable para la producción en masa Gracias a su tecnología de moldeo de plástico sin poros, la carcasa cumple con la clasificación de inflamabilidad UL 94V-0, ofreciendo un excelente rendimiento de seguridad. Admite soldadura a alta temperatura (250 °C durante 10 segundos), es compatible con los procesos estándar de soldadura por ola y reflujo, y cumple con las normas de soldabilidad pertinentes, siendo ideal para la producción en masa automatizada SMT. El diseño de terminales axiales permite posiciones de montaje flexibles, y su tamaño compacto y peso ligero se adaptan a diseños de PCB compactos. 2.5 Amplio rango de temperatura de unión para una gran adaptabilidad ambiental. Al admitir un rango de temperatura de unión de -50 ℃ a +175 ℃, se adapta a las fluctuaciones de temperatura en diferentes regiones y condiciones de trabajo, satisface las demandas tanto del arranque a baja temperatura como del funcionamiento a plena carga a alta temperatura, y funciona de manera estable en electrónica de consumo, alimentación auxiliar industrial y otros escenarios. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su rendimiento eléctrico equilibrado y la calidad fiable de su encapsulado de plástico, el SM4007PL (A7) se utiliza ampliamente en diversos escenarios de rectificación de baja potencia: fuentes de alimentación conmutadas de baja potencia, adaptadores de corriente, cargadores de teléfonos móviles, fuentes de alimentación para LED, circuitos de carga de baterías, unidades rectificadoras de placas de control de electrodomésticos, módulos de alimentación para pequeños electrodomésticos, circuitos de rectificación de señales, rectificación de entrada de fuentes de alimentación auxiliares industriales, etc. 4. Directrices de diseño de ingeniería Especificaciones de soldadura : Consulte la condición de soldadura a alta temperatura de 250 ℃ durante 10 segundos durante la soldadura. Evite la soldadura prolongada a alta temperatura para evitar daños en el cuerpo plástico y deriva del rendimiento del dispositivo. Margen de voltaje : Se recomienda reservar un margen de voltaje apropiado en aplicaciones prácticas, evitar el funcionamiento prolongado cerca del voltaje de resistencia nominal y reducir el riesgo de ruptura causado por sobretensión. Diseño térmico : Para una corriente nominal de 1.0 A, diseñe el esquema térmico de acuerdo con el ciclo de trabajo real para garantizar que la temperatura de la unión del dispositivo esté dentro del rango especificado y mejorar la estabilidad operativa a largo plazo. Operación en paralelo : Cuando se utilizan varios dispositivos en paralelo, se recomienda seleccionar dispositivos con buena consistencia de parámetros y ajustar medidas de reparto de corriente si es necesario para garantizar una distribución de corriente equilibrada. Almacenamiento y manipulación : Como dispositivo semiconductor encapsulado en plástico, preste atención a la protección contra la humedad y el estrés mecánico durante el almacenamiento y el ensamblaje para evitar la deformación de los terminales y daños en el cuerpo plástico. 5 Resumen del producto El Slkor SM4007PL (A7) es un diodo rectificador de uso general encapsulado en plástico, con paquete SOD-123. Ofrece una tensión inversa de 1000 V, una capacidad de rectificación directa de 1.0 A y una tolerancia a sobretensiones de 30 A, además de una baja fuga inversa, un encapsulado de plástico ignífugo fiable y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. Gracias a sus parámetros equilibrados y su tecnología consolidada, se adapta a diversos circuitos de rectificación y alimentación de baja potencia, lo que lo convierte en una opción fiable y económica para aplicaciones de rectificación de baja potencia.Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.SM4007PL A7 a la página del producto

En circuitos electrónicos de potencia, como fuentes de alimentación conmutadas, adaptadores de corriente, placas de control de electrodomésticos y controladores LED, los diodos rectificadores desempeñan la función principal de conversión de CA a CC, y los dispositivos de montaje superficial son cada vez más ventajosos para la miniaturización de productos y la producción en masa automatizada. El Slkor S2M es un diodo rectificador de silicio de propósito general de montaje superficial en un encapsulado SMA. Con una unión de chip pasivada con vidrio, ofrece una tensión inversa máxima repetitiva de 1000 V y una corriente rectificada directa promedio de 2 A. Con baja fuga inversa, alta capacidad de resistencia a sobretensiones y una construcción sin plomo que cumple con la normativa RoHS, admite la producción SMT de alta densidad y sirve como una solución de dispositivo nacional altamente confiable para escenarios de rectificación de baja y media potencia. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: Diodo rectificador de silicio de montaje superficial de uso general Tensión inversa máxima de pico repetitiva (VRRM): 1000 V Tensión máxima de bloqueo de CC (VCC): 1000 V Corriente rectificada directa promedio máxima (IF(AV)): 2A Corriente de sobretensión directa máxima (IFSM, onda semisinusoidal única de 8.3 ms): 50 A Tensión directa (VF, a 2 A): 1.1 V Corriente inversa de CC (IR, a 25 °C de tensión nominal): 5 μA Capacitancia de unión típica (CJ): 25 pF Resistencia térmica (RθJA): 65 °C/W Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento: -55 ℃ ~ +150 ℃ Paquete: Paquete de plástico para montaje en superficie SMA 2. Ventajas principales del producto 2.1 Unión de chips pasivada con vidrio para un rendimiento estable y fiable Gracias a la tecnología de unión de chips pasivados con vidrio, el dispositivo optimiza las características inversas y la estabilidad a altas temperaturas. Ofrece un excelente control de fugas inversas, reduce la deriva del rendimiento durante el funcionamiento prolongado, mejora la fiabilidad operativa continua y es adecuado para aplicaciones de rectificación con tiempos de encendido prolongados. 2.2 Tensión de resistencia de 1000 V y corriente nominal de 2 A cubren las necesidades de rectificación convencionales. Con una tensión inversa máxima repetitiva de 1000 V y una corriente rectificada directa promedio de 2 A, cumple con los requisitos de rectificación de puente y de diodo único de la mayoría de las fuentes de alimentación y adaptadores fuera de línea de baja y media potencia. Se adapta a condiciones de rectificación de alta tensión en la entrada de CA y es aplicable a una amplia gama de escenarios. 2.3 Alta capacidad de resistencia a sobretensiones frente a la corriente de arranque. Admite una corriente de sobretensión directa máxima de hasta 50 A en condiciones de onda semisinusoidal única de 8.3 ms, resistiendo la corriente de irrupción al encender el dispositivo, reduciendo el riesgo de daños en el dispositivo causados ​​por picos de corriente de arranque y mejorando la durabilidad a largo plazo del sistema en general. 2.4 Encapsulado SMD de perfil bajo SMA para producción en masa automatizada El encapsulado SMA de perfil bajo para montaje superficial presenta un tamaño compacto, ahorra espacio en el diseño de la placa de circuito impreso y admite el diseño de circuitos de alta densidad. Su formato facilita el ensamblaje mediante sistemas de recogida y colocación, es compatible con los procesos estándar de soldadura por reflujo SMT y cumple con la Directiva RoHS 2011/65/UE de la UE para la fabricación sin plomo, lo que lo hace idóneo para la producción automatizada a gran escala. 2.5 Amplio rango de temperatura para una gran adaptabilidad ambiental. Con un rango de temperatura de unión operativa de -55 ℃ a +150 ℃, se adapta a las fluctuaciones de temperatura en diferentes regiones y condiciones de trabajo, satisface las exigencias tanto del arranque a baja temperatura como del funcionamiento a plena carga a alta temperatura, y funciona de forma estable en electrónica de consumo, alimentación auxiliar industrial y otros escenarios. 3. Principales campos de aplicación Gracias a su rendimiento eléctrico equilibrado y la calidad fiable de su encapsulado SMD, el S2M se utiliza ampliamente en diversos escenarios de rectificación de baja y media potencia: fuentes de alimentación conmutadas, adaptadores de corriente CA/CC, cargadores de baterías, fuentes de alimentación para LED, unidades rectificadoras de placas de control de electrodomésticos, módulos de alimentación para pequeños electrodomésticos, rectificación de entrada para fuentes de alimentación auxiliares industriales, circuitos de rectificación de señal y rectificación frontal para inversores. 4. Directrices de diseño de ingeniería Proceso de soldadura : Compatible con procesos de soldadura por reflujo estándar. Configure los parámetros de soldadura según la tolerancia de temperatura del dispositivo; evite la soldadura prolongada a temperaturas elevadas para prevenir la deriva del rendimiento y el daño del paquete. Margen de voltaje : Se recomienda reservar un margen de voltaje razonable en aplicaciones prácticas, evitar el funcionamiento prolongado cerca del voltaje de resistencia nominal y reducir el riesgo de ruptura causado por sobretensiones. Diseño térmico : Diseñe el esquema térmico en función de la corriente de funcionamiento real, el ciclo de trabajo y la temperatura ambiente para garantizar que la temperatura de la unión del dispositivo se mantenga dentro del rango especificado y mejorar la estabilidad operativa a largo plazo. Reducción de carga : Para aplicaciones de carga capacitiva, se recomienda una reducción del 20 % de la corriente directa para garantizar el funcionamiento seguro del dispositivo. Diseño de PCB : Diseñe los patrones de conexión de PCB según las dimensiones de almohadilla recomendadas para garantizar la fiabilidad de la soldadura y el rendimiento de disipación de calor del dispositivo. 5 Resumen del producto El Slkor S2M es un diodo rectificador de silicio de montaje superficial de uso general de 1000 V y 2 A en encapsulado SMA. Incorpora tecnología de unión de chip pasivada con vidrio, lo que proporciona características inversas estables, alta resistencia a sobretensiones y un amplio rango de temperatura de funcionamiento. Su encapsulado SMD de perfil bajo permite la producción en masa automatizada y cumple con la normativa medioambiental RoHS. Gracias a sus parámetros equilibrados y su tecnología consolidada, se adapta a diversos circuitos de rectificación y alimentación de baja y media potencia, lo que lo convierte en una opción de alta calidad a nivel nacional que ofrece un equilibrio entre fiabilidad y coste para aplicaciones de rectificación de montaje superficial. Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.Página de producto S2M

En diseños de circuitos como los de electrónica de consumo portátil, protección de baterías de litio, interruptores de carga pequeña y gestión de energía de baja potencia, la pérdida de conducción, la velocidad de conmutación, la compatibilidad de control y el tamaño del encapsulado de los MOSFET de baja potencia afectan directamente la duración de la batería y el nivel de miniaturización del equipo final. El Slkor FDV305N es un MOSFET de potencia de trinchera de canal N (TrenchFET) en un encapsulado miniatura de montaje superficial SOT-23. Presenta una tensión de ruptura drenador-fuente de 20 V y una corriente de drenaje continua de 0.9 A, con baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y compatibilidad con control de baja tensión. Adecuado para diversos escenarios de control de baja tensión y baja potencia, sirve como una solución de conmutación de potencia rentable para electrónica portátil y sistemas de potencia pequeños. 1. Parámetros básicos del producto Tipo de dispositivo: MOSFET de potencia de trinchera de canal N (TrenchFET) Tensión de ruptura drenador-fuente (VDS): 20 V Tensión puerta-fuente (VGS): ±12V Resistencia de encendido (RDS(on)): 220 mΩ máx. a VGS=4.5 V, ID=0.9 A; 300 mΩ máx. a VGS=2.5 V, ID=0.7 A Corriente de drenaje continua (ID, TC=25℃): 0.9 A Corriente de drenaje pulsada (IDM): 2.0 A Disipación de potencia máxima (PD, TC=25℃): 0.35 W Voltaje umbral de puerta (VGS(th)): 0.6 V ~ 1.5 V Carga total de puerta (Qg): 0.8 nC típico Temperatura máxima de unión de funcionamiento (TJ): 150℃ Rango de temperatura de almacenamiento: -50 ℃ ~ 155 ℃ Encapsulado: SOT-23 de montaje superficial 2. Ventajas principales del producto 2.1 Arquitectura TrenchFET con bajas pérdidas de conducción Fabricado con tecnología de proceso TrenchFET, este dispositivo ofrece un rendimiento de conducción optimizado. Con una resistencia de encendido típica de tan solo 170 mΩ a una tensión de puerta de 4.5 V, reduce eficazmente la pérdida de potencia en estado activo, mejora la eficiencia de conversión de energía del circuito y se adapta a escenarios de funcionamiento de baja tensión y baja corriente. 2.2 Baja carga de puerta para una respuesta de conmutación rápida El dispositivo presenta una carga de puerta total típica de 0.8 nC, junto con tiempos de conmutación y de subida/bajada en la escala de nanosegundos. Permite una alta velocidad de conmutación y bajas pérdidas dinámicas, admite operaciones de conmutación de alta frecuencia y cumple con los requisitos de conmutación rápida de aplicaciones de gestión de energía y conmutación de carga de bajo consumo. 2.3 Compatibilidad de accionamiento de bajo voltaje para múltiples señales de control Con un voltaje umbral de puerta que oscila entre 0.6 V y 1.5 V, el dispositivo puede encenderse completamente con un voltaje de puerta tan bajo como 2.5 V. Es compatible con varios niveles de control de bajo voltaje, incluidos 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V y 4.5 V, y puede ser controlado directamente por chips maestros de bajo voltaje, como MCU y PMIC, adaptándose a la arquitectura de sistema de bajo voltaje de los dispositivos portátiles. 2.4 Encapsulado SMD en miniatura para la miniaturización de productos El encapsulado SOT-23 de montaje superficial, ultracompacto, ocupa un espacio mínimo en la placa de circuito impreso y admite el ensamblaje SMT automatizado estándar con una calidad de soldadura uniforme. Es ideal para diseños de circuitos compactos de alta densidad y cumple con los requisitos de miniaturización de los productos electrónicos portátiles. 2.5 Baja fuga para una menor potencia en modo de espera Tanto la corriente de drenaje de puerta cero como la corriente de fuga de puerta se mantienen en niveles bajos, lo que reduce el consumo de energía estática en el modo de espera del circuito. Es ideal para dispositivos portátiles alimentados por batería y ayuda a prolongar la vida útil de la batería del producto. 3. Principales campos de aplicación Gracias a sus ventajas de accionamiento a bajo voltaje, bajas pérdidas y tamaño compacto, el FDV305N se utiliza ampliamente en diversos escenarios de control de bajo voltaje y baja potencia: placas de protección de baterías de litio, interruptores de carga para dispositivos portátiles, interruptores de alimentación USB, pequeños módulos de gestión de energía, electrónica portátil, circuitos de control de baja potencia en electrónica de consumo y circuitos de conmutación de potencia en sistemas alimentados por batería. 4. Directrices de diseño de ingeniería Ajuste de la tensión de excitación : Se recomienda una tensión de excitación de puerta de 4.5 V para un rendimiento de conducción óptimo. Al utilizar tensiones de puerta de 2.5 V o inferiores, preste atención al aumento de pérdidas causado por una mayor resistencia de encendido y verifique si la capacidad de conducción de corriente cumple con los requisitos de diseño. Reducción de la corriente de excitación : Realice un diseño de reducción de corriente basado en la temperatura ambiente, las condiciones de disipación de calor y el ciclo de trabajo en aplicaciones prácticas. Asegúrese de que la temperatura de la unión del dispositivo no supere los 150 ℃ para garantizar la fiabilidad operativa a largo plazo. Diseño de PCB : Se recomienda ampliar las rutas de las pistas de alimentación de forma adecuada para optimizar la ruta de disipación de calor del dispositivo. Mantenga las pistas de excitación de puerta cortas para reducir la influencia de los parámetros parásitos en la velocidad de conmutación. Protección ESD : Los MOSFET son dispositivos sensibles a la electrostática. Se deben implementar procedimientos estándar de protección ESD durante la producción, el almacenamiento y el ensamblaje para evitar la ruptura electrostática de la puerta. Aplicación del diodo de cuerpo : El diodo de cuerpo de fuente-drenador incorporado se puede utilizar para escenarios de rueda libre de baja corriente. En caso de grandes picos de corriente inversa, verifique los parámetros del diodo de acuerdo con las condiciones de funcionamiento reales. 5 Resumen del producto El Slkor FDV305N es un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de baja tensión y baja potencia, alojado en un encapsulado miniatura SOT-23. Ofrece una resistencia a la tensión de 20 V, una capacidad de conducción de corriente de 0.9 A, baja resistencia de encendido, baja carga de puerta y compatibilidad con bajas tensiones de excitación. Gracias a sus parámetros equilibrados y su tamaño compacto, se adapta a una amplia gama de aplicaciones, como la protección de baterías, la conmutación de carga y la gestión de energía para dispositivos portátiles, lo que lo convierte en una opción económica para circuitos de control de baja potencia y baja tensión.Introducción a SlkorSegún Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.comLa empresa inauguró por todo lo alto su tercera tienda franquiciada en Huaqiangbei el 14 de agosto de 2026. La tienda ofrece principalmente MOSFET, circuitos integrados de gestión de energía, elementos Hall, optoacopladores, IGBT, componentes de carburo de silicio (SiC), dispositivos de CA/CC, diodos TVS, diodos Schottky, tiristores y otros componentes electrónicos.FDV305N a la página del producto