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Transistor bipolar (BJT) Transistor, transistor semiconductor, también conocido como transistor bipolar, es un dispositivo semiconductor que puede controlar la corriente. Según su estructura, se divide en transistor NPN y transistor PNP. Tiene la función de amplificación de voltaje o corriente, que se puede utilizar en circuitos de amplificación, circuitos de oscilación, circuitos de modulación y demodulación, circuitos de conmutación, etc.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23 Presentamos el transistor bipolar NPN 13001, un componente robusto y versátil diseñado para aplicaciones de alta tensión y potencia. Encapsulado en un encapsulado SOT-23 compacto, este transistor ofrece una tensión máxima de colector-emisor (Vceo) de 600 V, lo que se adapta a los exigentes requisitos de los circuitos. Con una capacidad de corriente de colector (Ic) de hasta 0.2 A y una capacidad de disipación de potencia de 0.75 W, garantiza un funcionamiento fiable en diversas configuraciones. El 13001 presenta una tensión de saturación baja (VCE(sat)) de 0.5 V y una frecuencia de transición (fT) de 8 MHz, lo que lo hace adecuado tanto para tareas de conmutación como de amplificación.
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89 Serie de transistores de potencia media PNP en encapsulados de plástico para dispositivos de montaje en superficie (SMD).
MMBT2222A VCEO(V):40V PD(W)(PD(W)):225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V)):1V fT(MHz)(fT(MHz)):300MHz Package(Package):SOT-23 IC(A)(IC(A)):600mA
Transistor bipolar 2N2222A NPN TO-92 Transistor NPN de silicio en un paquete de plástico TO-92.
Transistor bipolar 2N3906 NPN TO-92 El 2N3906 es un transistor bipolar NPN versátil reconocido por su confiabilidad y eficiencia en diversos circuitos electrónicos. Encapsulado en un paquete TO-92, este transistor está diseñado para manejar un voltaje máximo de colector-emisor (Vceo) de -40 V y una corriente de colector continua (Ic) de -200 mA. Con una clasificación de disipación de potencia (Pd) de 625 mW, gestiona eficientemente la disipación de calor en condiciones operativas típicas. El 2N3906 presenta una alta frecuencia de transición (fT) de 250 MHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad y amplificación de señal.
Transistor bipolar 2N5401 PNP TO-92 El 2N5401 es un transistor de unión bipolar (BJT) PNP versátil diseñado para conmutación y amplificación de uso general en circuitos electrónicos. Encerrado en un paquete TO-92, ofrece un rendimiento sólido con un voltaje máximo de colector-emisor (Vceo) de -150 V y una corriente máxima de colector (Ic) de -0.6 A. Este transistor está bien considerado por su confiabilidad y facilidad de integración en varios diseños de circuitos.
Transistor bipolar 2N5551 NPN TO-92 Presentamos el transistor bipolar NPN 2N5551, un componente de alto rendimiento diseñado para aplicaciones electrónicas exigentes. Alojado en un encapsulado TO-92, este transistor ofrece un voltaje colector-emisor (Vceo) máximo de 160 V y admite una corriente de colector (Ic) de hasta 0.6 A. Con una capacidad de disipación de potencia de 625 mW y un voltaje de saturación bajo (VCE(sat)) de 0.2 V, garantiza un funcionamiento eficiente. El 2N5551 también cuenta con una impresionante frecuencia de transición (fT) de 300 MHz, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Transistor bipolar 2SA1015-B PNP TO-92 El transistor bipolar PNP 2SA1015-B está diseñado para ofrecer un rendimiento y una fiabilidad excepcionales en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Con sus especificaciones avanzadas y su diseño robusto, este transistor se destaca por su eficiencia en operaciones de amplificación y conmutación de señales.
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