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Transistor bipolar SOT-2 1260SB89-R PNP
El transistor bipolar PNP 2SB1260-R es un componente robusto y versátil diseñado para aplicaciones de alta confiabilidad en diversos sistemas electrónicos. Diseñado para manejar hasta 80 V de voltaje colector-emisor, este transistor garantiza un rendimiento estable incluso en entornos exigentes. Con su diseño compacto y excelentes características térmicas, es ideal para aplicaciones que requieren control y eficiencia precisos.
Nuestras ventajas
Los procesos de fabricación chinos han pasado por años de iteración, lo que ha dado como resultado tecnologías maduras y confiables. Muchas corporaciones internacionales optan por subcontratar la producción en China. Como fabricante de componentes electrónicos en China, nuestros productos pueden reemplazar completamente a los de las principales marcas internacionales en el 99% de las aplicaciones sin necesidad de realizar pruebas de verificación. Nuestros productos cuentan con una alta consistencia en calidad, precios razonables, amplio inventario, suministro flexible, plazos de entrega cortos y servicio postventa profesional.
Descripción:
El transistor bipolar PNP 2SB1260-R es un componente robusto y versátil diseñado para aplicaciones de alta confiabilidad en diversos sistemas electrónicos. Diseñado para manejar hasta 80 V de voltaje colector-emisor, este transistor garantiza un rendimiento estable incluso en entornos exigentes. Con su diseño compacto y excelentes características térmicas, es ideal para aplicaciones que requieren control y eficiencia precisos.
CARACTERÍSTICAS
● Para aplicaciones de conmutación y amplificador AF.
Aplicación:
● Circuitos de conmutación: ideales para usar en circuitos de conmutación de alta velocidad y baja potencia donde la eficiencia es fundamental.
● Amplificación: Ideal para la amplificación de señales en aplicaciones de audio y radiofrecuencia, proporcionando una salida clara y fiable.
● Gestión de energía: Útil en circuitos de regulación y control de energía debido a su robusta capacidad de manejo de voltaje y corriente.
● Electrónica para automóviles: Rendimiento fiable en sistemas de control para automóviles, donde la estabilidad térmica y la durabilidad son esenciales.
Nombre
Título
Mareas Ideales para Lecciones
Hoja de Datos
Soporte
Soporte
Si necesita asistencia técnica o de diseño, háganoslo saber y complete el formulario de respuesta. Nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
Longevidad
El Programa de Longevidad tiene como objetivo informar a nuestros clientes periódicamente sobre el tiempo estimado de disponibilidad de nuestros productos. Este programa es revisado y actualizado regularmente por nuestro equipo directivo. Consulte nuestro programa de longevidad aquí.
13001 Transistor bipolar NPN SOT-23
Marcas: slkor， VCEO(V)： 400V PD(W)(PD(W))： 750mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： 8MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 200mA
2SC3357RF
Marcas: slkor，
2SC3585 R45
Marcas: slkor，
2SC4228 R45
Marcas: slkor，
BCX52-16 Transistores de potencia media PNP de 60 V y 1 A SOT-89
Marcas: slkor， VCEO(V)： 60V PD(W)(PD(W))： 500mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 500mV fT(MHz)(fT(MHz))： null- Package(Package)： SOT-89 IC(A)(IC(A))： 1A
MMBT2222A
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 225mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 1V fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-23 IC(A)(IC(A))： 600mA
Transistor PXT8050 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-2 4226SC24 R323 BJT
Marcas: slkor，
Transistor SOT-3946 MMDT363 BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 40V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 400mV fT(MHz)(fT(MHz))： 300MHz Package(Package)： SOT-363 IC(A)(IC(A))： 200mA
Transistor SOT-817 BC40-323W NPN BJT
Marcas: slkor， VCEO(V)： 45V PD(W)(PD(W))： 200mW VCE(sat)(V)(VCE(sat)(V))： 700mV fT(MHz)(fT(MHz))： 100MHz Package(Package)： SOT-323 IC(A)(IC(A))： 50mA
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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