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IGBT discret haute puissance Slkor SL50T120FZ : dispositif de commutation de puissance de qualité industrielle 1200 V
2026-09-03 51
Dans les systèmes d'électronique de puissance haute performance, tels que les onduleurs industriels, les postes de soudage à onduleur, les alimentations UPS, les convertisseurs de stockage d'énergie photovoltaïque et les équipements de chauffage par induction, la tenue en tension, la capacité de transport de courant, les performances de dissipation thermique et la fiabilité à large plage de températures des composants de puissance déterminent directement l'efficacité globale et la sécurité de fonctionnement de l'ensemble de l'équipement. Le Slkor SL50T120FZ est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) haute puissance, encapsulé en boîtier TO-264. Il présente une tension collecteur-émetteur élevée de 1 200 V, un courant nominal continu de 50 A à une température de boîtier de 100 °C, une dissipation de puissance élevée de 535 W et une large plage de températures de jonction allant de -55 °C à 175 °C. Grâce à son excellente capacité de sortie sous forte charge, ses faibles pertes et sa stabilité thermique supérieure, il constitue un composant de puissance alternatif de haute qualité pour les équipements de conversion de puissance industriels.



1. Paramètres électriques principaux

Type de composant : IGBT discret simple ; Tension collecteur-émetteur (VCE) : 1200 V ; Courant de collecteur (IC à TC = 100 °C) : 50 A ; Puissance dissipée totale (PD à TC = 25 °C) : 535 W ; Température de jonction de fonctionnement (TJ) : -55 °C à 175 °C ; Boîtier : TO-264

2. Principaux avantages du produit

2.1 Résistance haute tension 1200 V avec marge de sécurité suffisante

Doté d'une tension de tenue collecteur-émetteur élevée de 1 200 V, le SL50T120FZ supprime efficacement les surtensions et les pics de tension, réduisant considérablement les risques de panne. Parfaitement adapté aux applications industrielles de conversion de puissance avec une entrée de 380 V CA, il répond aux exigences de sécurité strictes des systèmes d'onduleurs haute tension et offre une excellente résistance aux variations de tension.

2.2 Courant continu élevé de 50 A pour un fonctionnement stable en conditions intensives

Maintenant un courant de collecteur continu de 50 A même à une température de boîtier élevée de 100 °C, ce dispositif présente d'excellentes performances en matière de transport de courant à haute température. Il garantit un courant de sortie stable lors d'un fonctionnement prolongé à pleine charge, sans réduction de puissance ni insuffisance de puissance, et s'adapte parfaitement aux conditions de fonctionnement continu à forte charge des machines à souder, des convertisseurs de fréquence et autres équipements industriels.

Boîtier haute puissance TO-264 2.3 pour une excellente dissipation thermique

Utilisant le boîtier traversant standard TO-264 avec une large base thermique métallique, ce composant présente une faible résistance thermique et peut être associé à des dissipateurs thermiques externes pour une conduction thermique efficace. Avec une dissipation de puissance élevée de 535 W, il supporte les pertes de puissance importantes, limite l'accumulation de chaleur sous forte charge et améliore considérablement la fiabilité opérationnelle à long terme de l'ensemble du système.

2.4 Adaptation à une très large plage de températures pour les environnements industriels difficiles

Supportant une plage de températures de jonction ultra-large de -55 °C à 175 °C, le SL50T120FZ fonctionne de manière stable dans des environnements extérieurs à températures extrêmement basses et dans des châssis fermés à températures élevées. Il résiste aux chocs thermiques et au froid intense, s'adaptant parfaitement aux environnements de travail industriels complexes et exigeants.

2.5 Caractéristiques de pertes optimisées pour une efficacité système accrue

Grâce à sa technologie éprouvée de blocage par tranchée, ce dispositif offre un équilibre optimal entre faibles pertes par conduction et faibles pertes de commutation, garantissant ainsi d'excellentes performances de commutation à haute vitesse. Il réduit efficacement les pertes thermiques lors de la conversion de puissance, améliore le rendement énergétique global et diminue les coûts de dissipation thermique du système.

2.6 Remplacement national fiable avec une qualité de production de masse stable

Grâce au processus de production en série éprouvé de Slkor pour les semi-conducteurs de puissance, le SL50T120FZ offre des paramètres électriques constants et une excellente tenue aux courts-circuits. Compatible broche à broche avec les IGBT équivalents importés, il résout efficacement les problèmes rencontrés par l'industrie, tels que les longs délais de livraison, les pénuries et le coût élevé des composants importés, ce qui en fait la solution idéale pour la production industrielle en grande série.

3 Principaux domaines d'application

Grâce à ses avantages intégrés de résistance à haute tension, de grande capacité de courant, d'excellente dissipation thermique et de grande stabilité en température, le Slkor SL50T120FZ est largement utilisé dans divers dispositifs électroniques de puissance de forte puissance, notamment les convertisseurs de fréquence industriels, les alimentations pour servomoteurs, les machines à souder à onduleur, les équipements de découpe plasma, les alimentations sans interruption (UPS), les onduleurs photovoltaïques, les convertisseurs de stockage d'énergie, les équipements de chauffage par induction, les alimentations à découpage de forte puissance, les entraînements de moteurs industriels et les unités d'alimentation pour bornes de recharge de forte puissance.

4. Directives de conception technique

Conception de la marge de tensionPrévoyez une marge de tension suffisante pour les applications pratiques. Évitez un fonctionnement prolongé à proximité de la tension limite de 1 200 V afin de prévenir tout dommage causé par les surtensions.
Gestion thermiqueÉquipez le boîtier TO-264 d'un dissipateur thermique adapté et appliquez uniformément de la pâte thermique. Surveillez la température du boîtier et celle des jonctions lors d'un fonctionnement prolongé à forte puissance afin d'éviter toute surchauffe.
Correspondance des entraînements de portailEn tant que dispositif IGBT commandé en tension, il nécessite une tension de commande de grille et une résistance de grille adaptées afin d'optimiser la vitesse de commutation, de supprimer les oscillations et de réduire les pertes de commutation et les interférences électromagnétiques.
Suggestion d'opération parallèlePour étendre la capacité par connexion en parallèle, sélectionnez des dispositifs aux paramètres similaires et mettez en œuvre une conception de partage de courant. Exploitez le coefficient de température positif de la chute de tension de saturation pour garantir une distribution de courant équilibrée.
Limite de fonctionnementNe pas utiliser l'appareil au-delà des valeurs nominales de courant, de dissipation de puissance et de température de jonction. En cas de fonctionnement pulsé, surveiller attentivement la largeur d'impulsion et les conditions de dissipation thermique.

5. Informations sur le produit

Le Slkor SL50T120FZ est un IGBT discret de puissance de qualité industrielle, en boîtier TO-264. Offrant une résistance à une tension de 1200 V, une capacité de courant de 50 A à haute température, une dissipation de puissance élevée de 535 W et une plage de température de jonction ultra-large de -55 °C à 175 °C, il combine une grande endurance en tension, d'excellentes performances sous forte charge et à haute température, une dissipation thermique optimale et de faibles pertes. Il est parfaitement adapté aux applications industrielles telles que les onduleurs, le soudage, le stockage d'énergie et les alimentations haute puissance, et constitue une alternative économique et fiable aux IGBT discrets de puissance disponibles sur le marché domestique.


Introduction à Slkor

Selon Song Shiqiang, Slkor Semiconductor (https://www.slkormicro.com) a inauguré en grande pompe son troisième magasin franchisé à Huaqiangbei le 14 août 2026. Le magasin propose principalement des MOSFET, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation, des éléments Hall, des optocoupleurs, des IGBT, des composants en carbure de silicium SiC, des dispositifs AC/DC, des diodes TVS, des diodes Schottky, des thyristors et d'autres composants électroniques.
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