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MOSFET de puissance à canal P SL4813A SOP-8

● Technologie MOSFET BT Trench Power

● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS(ON)

● Commutation haute vitesse

Informations sur le produit     
●VDS                 -30V
● JeD                    -7.1A
●RDS (ON)(à VGS=-10 V) < 25 mohms
●RDS (ON)(à VGS=-4.5 V) < 40 mohms
● 100 % ▽VDS Examiné

Description générale  
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS (ON)
● Commutation haute vitesse

Applications  
● Protection de la batterie
● Commutation de charge
● Gestion de l'alimentation




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Longévité

 

Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.

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