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MOSFET de puissance canal N 2N7002T SOT-523
● Faible capacité d'entrée
● Vitesse de commutation rapide
● Faible fuite d'entrée/sortie
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Présentation du produit
Le 2N7002T est un MOSFET à canal N à enrichissement, encapsulé en boîtier SOT-523. Avec une tension drain-source de 60 V et un courant de drain continu de 0.115 A, ce composant assure une conversion de puissance efficace dans un format compact pour montage en surface. Sa résistance à l'état passant maximale est inférieure à 3 Ω à VGS = 10 V, et il bénéficie d'une protection ESD HBM ≥ 2000 V pour une résistance accrue aux décharges électrostatiques.
Caractéristiques du produit
- MOSFET à canal N à enrichissement, adapté aux applications de commutation compactes en montage en surface - Tension drain-source (Vdss) : 60 V, assurant un fonctionnement stable pour les circuits de commutation moyenne tension - Courant de drain continu (Id) : 0.115 A, idéal pour les applications de commutation de faible signal - Résistance à l'état passant (RDS(on) à Vgs) : < 3 Ω à 10 V. Une faible résistance à l'état passant contribue à réduire les pertes par conduction - Protection contre les décharges électrostatiques : HBM ≥ 2000 V, offrant une bonne protection contre les décharges électrostatiques - Boîtier : SOT-523, facilitant la conception et l'assemblage de circuits imprimés haute densité
Applications
Le transistor 2N7002T est largement utilisé dans les applications de commutation de signaux faibles. Grâce à son boîtier SOT-523 compact et à sa protection contre les décharges électrostatiques, il assure une commutation de signaux fiable dans les circuits à espace restreint.
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
IRF640 Alimentation canal N TO-220
Marque: slkor， Package： TO-220 VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,11A VTH： 3V@250uA P/N： N-channel
IRFR5305 MOSFET de puissance à canal P TO-252
Marque: slkor， Package： TO-252 VDSS(V)： -60V Id(A)： -30A RDSON(Ω)： 26mΩ@-10V,-15A VTH： -1.8V@-250μA P/N： P-channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal P SL10P23A
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -100V Id(A)： -2A RDSON(Ω)： 560mΩ@-10V, -1A VTH： -2V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration du canal N 7002N23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 115mA RDSON(Ω)： 7.5Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration du canal N 7002N23E
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 3Ω@10V,500mA VTH： 2.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2328 d'amélioration du canal N SL23A
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 310mΩ@10V,2A VTH： 3V@250uA P/N： N-Channel
MOSFET TO-4041 d'amélioration de canal P SL23
Marque: slkor， Package： TO-23-3L VDSS(V)： -40V Id(A)： -6.0A RDSON(Ω)： 40Ω@-10V,-3A VTH： -1.2V@-250uA P/N： P-Channel
MOSFET canal N BSS123 SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 100V Id(A)： 150mA RDSON(Ω)： 3.5Ω@10V,120mA VTH： 2.8V@1mA P/N： N-Channel
MOSFET d'amélioration de canal N SL2N65F TO-220F
Marque: slkor， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 2.0A RDSON(Ω)： 4.2Ω@10V,1.0A VTH： 2V@250uA P/N： N-Channel
MOSFET de puissance canal N 2N7002K SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 60V Id(A)： 0.3A RDSON(Ω)： 2Ω@10V,0.3A VTH： 1.5V@250uA P/N： N-channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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