Hotline
● Charge de porte très faible
● Excellente diminution de l'effet CdV/dt
● Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire
Description générale
Il s'agit du MOSFET P-ch à tranchées le plus performant avec une densité de cellules extrêmement élevée, qui offre une excellente résistance à la traction.DSON et charge de porte pour la plupart des applications de convertisseurs abaisseurs synchrones. Ils répondent aux exigences RoHS et Green Product, 100 % EAS garanti avec une fiabilité complète approuvée.
Fonctionnalité
● Technologie avancée de tranchée à haute densité cellulaire
● Charge de porte très faible
● Excellente diminution de l'effet CdV/dt
● 100 % EAS garanti
● Appareil vert disponible
Applications
● Convertisseur Buck synchrone au point de charge haute fréquence.
● Mise en réseau du système d'alimentation DC-DC
● Commutateur de charge
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.















