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Le transistor bipolaire NPN MMBT1616AK est conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour une large gamme d'applications électroniques. Avec une tension nominale collecteur-émetteur (Vceo) de 60 V et une capacité de courant collecteur (Ic) de 1 A, ce transistor est conçu pour gérer des tâches exigeantes tout en conservant des performances optimales. L'appareil dispose d'une dissipation de puissance (Pd) de 350 mW, garantissant un fonctionnement robuste même sous des charges importantes. Doté d'un faible VCE(sat) de 0.3 V à 1 A et d'un courant de base de 50 mA (Ib), ce transistor offre une tension de saturation minimale pour une efficacité énergétique améliorée. De plus, avec une fréquence de transition (fT) de 100 MHz, il est bien adapté aux applications haute fréquence.
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description :
Le transistor bipolaire NPN MMBT1616AK est conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour une large gamme d'applications électroniques. Avec une tension collecteur-émetteur (VCEO) une tension nominale de 60 V et un courant de collecteur (Ic) capacité de 1A, ce transistor est conçu pour gérer des tâches exigeantes tout en conservant des performances optimales. L'appareil bénéficie d'une dissipation de puissance (Pd) de 350 mW, garantissant un fonctionnement robuste même sous des charges importantes. Doté d'un V faibleCE (SAT) de 0.3 V à 1 A et 50 mA de courant de base (Ib), ce transistor offre une tension de saturation minimale pour une efficacité énergétique améliorée. De plus, avec une fréquence de transition (fT) de 100 MHz, il est bien adapté aux applications haute fréquence.
Fonctionnalités
● Dissipation de puissance
Application:
● Circuits de commutation : Idéal pour une utilisation dans les applications de commutation électronique où une faible tension de saturation et une gestion de courant élevé sont essentielles.
● Étages d'amplification : Convient pour une utilisation dans les étages d'amplification nécessitant un fonctionnement à haute fréquence et une gestion de puissance fiable.
● Traitement du signal : Parfait pour les tâches de traitement du signal à haute vitesse, où une commutation rapide et une distorsion minimale du signal sont cruciales.
● Gestion de l'alimentation : Efficace dans les circuits de gestion de l'alimentation, assurant des performances stables et une conversion de puissance efficace.
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.